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首页 品牌列表 CISSOID

CISSOID

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类目：
  • 全部
  • 栅极驱动芯片
  • 碳化硅场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • -
当前 “CISSOID” 共4件相关型号
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CXT-PLA3SA12450AA
CXT-PLA3SA12450AA
类目： 碳化硅场效应管(MOSFET)
品牌： CISSOID
封装： -
描述：
碳化硅场效应管(MOSFET) CISSOID 6个N沟道 450A 1200V
沟道类型： 6个N沟道
Id-漏极电流(25℃)： 450A
Vds-漏源击穿电压： 1200V
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 47908.69
200+： ¥ 19115.88
500+： ¥ 18477.1
1000+： ¥ 18161.47
合计总额： ¥ 47908.6900
CMT-TIT0697A
CMT-TIT0697A
类目： 栅极驱动芯片
品牌： CISSOID
封装： -
描述：
栅极驱动芯片 CISSOID 半桥 -40℃~+125℃@(Ta) 2 IGBT;MOSFET 10A 12V~18V 10A
驱动配置： 半桥
工作温度： -40℃~+125℃@(Ta)
驱动通道数： 2
负载类型： IGBT;MOSFET
峰值拉电流： 10A
电源电压： 12V~18V
峰值灌电流： 10A
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3064.2
200+： ¥ 1222.64
500+： ¥ 1181.78
1000+： ¥ 1161.6
合计总额： ¥ 3064.2000
CMT-TIT8243A
CMT-TIT8243A
类目： 栅极驱动芯片
品牌： CISSOID
封装： -
描述：
栅极驱动芯片 CISSOID 半桥 -40℃~+125℃@(Ta) 2 IGBT;MOSFET 10A 12V~18V 10A
驱动配置： 半桥
工作温度： -40℃~+125℃@(Ta)
驱动通道数： 2
负载类型： IGBT;MOSFET
峰值拉电流： 10A
电源电压： 12V~18V
峰值灌电流： 10A
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2826.67
200+： ¥ 1127.86
500+： ¥ 1090.17
1000+： ¥ 1071.55
合计总额： ¥ 2826.6700
CMT-TIT8244A
CMT-TIT8244A
类目： 栅极驱动芯片
品牌： CISSOID
封装： -
描述：
栅极驱动芯片 CISSOID 半桥 -40℃~+125℃@(Ta) 2 IGBT;MOSFET 10A 12V~18V 10A
驱动配置： 半桥
工作温度： -40℃~+125℃@(Ta)
驱动通道数： 2
负载类型： IGBT;MOSFET
峰值拉电流： 10A
电源电压： 12V~18V
峰值灌电流： 10A
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3501.95
200+： ¥ 1397.3
500+： ¥ 1350.61
1000+： ¥ 1327.54
合计总额： ¥ 3501.9500
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