Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas)。设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、中国台北、桃园、竹北、上海、扬州、英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、GPP桥、GPP整流器、保护装置、特定功能数组、单闸极逻辑、放大器与比较器、霍尔效应与温度传感器、电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器、DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及马达控制器。
Diodes 亦提供高速信号的定时、连接、开关与信号完整性解决方案。
类目: -
全部
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人体感应传感器
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IGBT管/模块
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继电器/线圈驱动芯片
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音视频模块
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红外发射管
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RF放大器
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时钟提取和数据恢复
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温度传感器
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预售芯片
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发光二极管/LED
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SAW振荡器(有源)
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LCD驱动
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FET输入运放
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音频接口芯片
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预售新品
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有刷直流电机驱动芯片
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无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
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专用传感器
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半导体放电管(TSS)
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达林顿晶体管阵列
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RF检波器
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RF其它IC和模块
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触发器
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专用时钟/计时
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专用功能芯片免费验证板
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单片机(MCU/MPU/SOC)
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RS232芯片
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锁存器
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模拟开关-特殊用途
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移位寄存器
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晶闸管(可控硅)/模块
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霍尔开关
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浪涌保护器
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温度补偿晶体振荡器(TCXO)
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扩频振荡器
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实时时钟(RTC)
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以太网收发器
-
视频接口芯片
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预售晶体管
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特殊逻辑IC
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ADC/DAC-专用型
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总线转UART
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碳化硅二极管
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精密运放
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USB转换芯片
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无源晶振
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电流源/恒流源
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其他模块
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温控开关
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I/O扩展器
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监控和复位芯片
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专业电源管理(PMIC)
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AC-DC控制器和稳压器
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缓冲器/驱动器/收发器
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信号开关/编解码器/多路复用器
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反相器
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逻辑门
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开关二极管
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快恢复/高效率二极管
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电流传感器
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电流感应放大器
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通用二极管
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PCI/PCIE接口
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其他接口
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音频功率放大器
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变容二极管
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栅极驱动芯片
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比较器
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转换器/电平移位器
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模拟开关/多路复用器
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功率电子开关
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时钟缓冲器/驱动器/分配器
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运算放大器
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电池管理
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电压基准芯片
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数字晶体管
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信号缓冲器/中继器/分配器
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电机驱动芯片
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压控晶体振荡器(VCXO)
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LED驱动
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DC-DC电源芯片
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线性霍尔传感器
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三极管(BJT)
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线性稳压器(LDO)
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达林顿管
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场效应管(MOSFET)
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超势垒整流器(SBR)
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整流桥
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LVDS芯片
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静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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定时器/计时器
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有源晶振
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稳压二极管
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时钟发生器/频率合成器/PLL
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肖特基二极管
当前 “DIODES(美台)”
共20,881件相关型号
2298
最小包:3000
起订量:10
增量:10
10+: ¥ 0.260658
100+: ¥ 0.213548
300+: ¥ 0.189994
1+: ¥ 3.5
200+: ¥ 1.4
500+: ¥ 1.35
1000+: ¥ 1.33
1+: ¥ 0.948392
200+: ¥ 0.378415
500+: ¥ 0.36577
1000+: ¥ 0.359522
直流反向耐压(Vr): 75V
工作温度: -65℃~+150℃
正向压降(Vf): 1.25V@150mA
反向恢复时间(trr): 4ns
反向电流(Ir): 1uA@75V
整流电流: 150mA
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr): 75V
整流电流: 150mA
反向电流(Ir): 1uA@75V
反向恢复时间(trr): 4ns
工作温度: -65℃~+150℃@(Tj)
二极管配置: -
正向压降(Vf): 1V@1A
直流反向耐压(Vr): 200V
整流电流: 1A
反向电流(Ir): 5uA@200V
二极管配置: -
正向压降(Vf): 1V@1A
直流反向耐压(Vr): 50V
整流电流: 1A
反向电流(Ir): 5uA@50V
反向电流(Ir): 5uA@1000V
正向压降(Vf): 1V@4A
整流电流: 8A
直流反向耐压(Vr): 1kV
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
1+: ¥ 2.7998
200+: ¥ 1.1172
500+: ¥ 1.0798
1500+: ¥ 1.0614
正向压降(Vf): 900mV@3A
反向电流(Ir): 5uA@600V
整流电流: 6A
直流反向耐压(Vr): 600V
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
1+: ¥ 12.45
200+: ¥ 4.97
500+: ¥ 4.81
1000+: ¥ 4.72
反向电流(Ir): 5uA@1000V
正向压降(Vf): 1V@3A
整流电流: 6A
直流反向耐压(Vr): 1kV
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
1+: ¥ 2.8789
200+: ¥ 1.1487
500+: ¥ 1.1104
1500+: ¥ 1.0914
正向压降(Vf): 950mV@2A
反向电流(Ir): 5uA@1000V
整流电流: 4A
直流反向耐压(Vr): 1kV
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
1+: ¥ 3.3
200+: ¥ 1.32
500+: ¥ 1.27
1500+: ¥ 1.25
正向压降(Vf): 1.3V@4A
反向电流(Ir): 5uA@1000V
整流电流: 4A
直流反向耐压(Vr): 1kV
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
1+: ¥ 3.33
200+: ¥ 1.33
500+: ¥ 1.29
1500+: ¥ 1.27
1+: ¥ 11.81
200+: ¥ 4.72
500+: ¥ 4.56
1500+: ¥ 4.48
反向电流(Ir): 5uA@1000V
正向压降(Vf): 1V@1.5A
整流电流: 3A
直流反向耐压(Vr): 1kV
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
1+: ¥ 1.6149
200+: ¥ 0.6444
500+: ¥ 0.6228
1500+: ¥ 0.6122
正向压降(Vf): 1.05V@5A
反向电流(Ir): 5uA@1000V
整流电流: 10A
直流反向耐压(Vr): 1kV
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
1+: ¥ 3.2
200+: ¥ 1.28
500+: ¥ 1.24
1500+: ¥ 1.22
正向压降(Vf): 1.05V@5A
反向电流(Ir): 5uA@1000V
整流电流: 10A
直流反向耐压(Vr): 1kV
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
1+: ¥ 3.66
200+: ¥ 1.46
500+: ¥ 1.42
1500+: ¥ 1.39
类型: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 75mA
功率(Pd): 330mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20Ω@10V,150mA
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V@1mA
输入电容(Ciss@Vds): 50pF@25V
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
5+: ¥ 1.3321
50+: ¥ 1.0725
150+: ¥ 0.9612
500+: ¥ 0.8224
3000+: ¥ 0.6924
漏源电压(Vdss): 240V
连续漏极电流(Id): 200mA
功率(Pd): 750mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9Ω@200mA,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@1mA
类型: 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds): 200pF@25V
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
1+: ¥ 6.06
10+: ¥ 5.92
30+: ¥ 5.83
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