光电子是从1972年开始在日本Kyoto成立,与1980年在韩国开拓益山基地,1992年建立中国基地,是历经40余年的全球化电子元件企业。KODENSHI AUK 是以韩国,日本,中国3国为据点,通过三位一体模式追求高于顾客需求的目标。并以快速应对顾客的高效经营方式和高品优势为全世界提供界最高水平的核心元件。
类目: -
全部
-
三极管(BJT)
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场效应管(MOSFET)
-
开关二极管
-
稳压二极管
-
线性稳压器(LDO)
-
肖特基二极管
-
快恢复/高效率二极管
-
电压基准芯片
-
数字晶体管
-
监控和复位芯片
-
槽型光电开关(光电晶体管输出)
封装: -
全部
-
SOT-23-3
-
SOD-323
-
TO-220F
-
SOT-223
-
ITO-220AB-3
-
TO-220
-
ITO-220AC
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TO-92
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SOT-23(TO-236)
-
TO-92-2.54mm
-
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当前 “KODENSHI AUK(光电子)”
共47件相关型号
输出电压: 2.495V~36V
工作温度: -40℃~+85℃@(TA)
最小阴极电流调节: 1mA
输出电流: 100mA
输出类型: 可编程
10+: ¥ 0.0589
100+: ¥ 0.0476
300+: ¥ 0.042
3000+: ¥ 0.035
6000+: ¥ 0.0316
9000+: ¥ 0.0299
直流反向耐压(Vr): 40V
正向压降(Vf): 400mV@10mA
平均整流电流(Io): 200mA
10+: ¥ 0.0581
100+: ¥ 0.0468
300+: ¥ 0.0412
1000+: ¥ 0.037
4000+: ¥ 0.0315
8000+: ¥ 0.0298
1+: ¥ 0.21
10+: ¥ 0.156
30+: ¥ 0.1448
100+: ¥ 0.1353
500+: ¥ 0.1305
1000+: ¥ 0.1289
输出电压: 2.495V~36V
工作温度: -40℃~+85℃@(TA)
最小阴极电流调节: 1mA
输出电流: 100mA
输出类型: 可编程
17890
最小包:30000
起订量:10
增量:10
10+: ¥ 0.0381
100+: ¥ 0.0341
300+: ¥ 0.0335
1000+: ¥ 0.0325
直流反向耐压(Vr): 70V
工作温度: +150℃@(Tj)
功率: 225mW
二极管配置: -
正向压降(Vf): 1.25V@150mA
反向恢复时间(trr): 6ns
反向电流(Ir): 2.5uA@70V
平均整流电流(Io): 200mA
50+: ¥ 0.0093
1500+: ¥ 0.0079
反向电流(Ir): 2uA@2V
精度: -
阻抗(Zzt): 60Ω
二极管配置: 独立式
稳压值(范围): 4.8V~5.4V
功率: 350mW
稳压值(标称值): 5.1V
50+: ¥ 0.005
1500+: ¥ 0.0042
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 25V
功率(Pd): 350mW
集电极电流(Ic): 1.5A
特征频率(fT): 100MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@800mA,80mA
晶体管类型: PNP
工作温度: +150℃@(Tj)
50+: ¥ 0.0155
500+: ¥ 0.0122
3000+: ¥ 0.0104
6000+: ¥ 0.0093
24000+: ¥ 0.0083
51000+: ¥ 0.0078
集射极击穿电压(Vceo): 25V
功率(Pd): 350mW
集电极电流(Ic): 1.5A
晶体管类型: NPN
1260
最小包:3000
起订量:20
增量:20
20+: ¥ 0.0231
200+: ¥ 0.0186
600+: ¥ 0.0161
3000+: ¥ 0.0124
9000+: ¥ 0.0112
21000+: ¥ 0.0105
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 25V
功率(Pd): 350mW
集电极电流(Ic): 500mA
特征频率(fT): 200MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@500mA,50mA
晶体管类型: PNP
工作温度: +150℃@(Tj)
2250
最小包:3000
起订量:50
增量:50
50+: ¥ 0.0177
500+: ¥ 0.0143
3000+: ¥ 0.0107
6000+: ¥ 0.0096
24000+: ¥ 0.0086
51000+: ¥ 0.0081
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 25V
功率(Pd): 350mW
集电极电流(Ic): 500mA
特征频率(fT): 200MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@500mA,50mA
晶体管类型: NPN
工作温度: +150℃@(Tj)
50+: ¥ 0.0138
500+: ¥ 0.0109
3000+: ¥ 0.0092
6000+: ¥ 0.0083
24000+: ¥ 0.0074
51000+: ¥ 0.007
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 45V
功率(Pd): 200mW
集电极电流(Ic): 500mA
特征频率(fT): 100MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 700mV@500mA,50mA
晶体管类型: PNP
工作温度: +150℃@(Tj)
1640
最小包:3000
起订量:20
增量:20
20+: ¥ 0.022
200+: ¥ 0.0177
600+: ¥ 0.0154
3000+: ¥ 0.0119
9000+: ¥ 0.0107
21000+: ¥ 0.01
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 50V
功率(Pd): 350mW
集电极电流(Ic): 150mA
特征频率(fT): 80MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@100mA,10mA
晶体管类型: PNP
工作温度: +150℃@(Tj)
550
最小包:3000
起订量:50
增量:50
50+: ¥ 0.0149
500+: ¥ 0.012
3000+: ¥ 0.009
6000+: ¥ 0.0081
24000+: ¥ 0.0072
51000+: ¥ 0.0068
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 45V
功率(Pd): 200mW
集电极电流(Ic): 500mA
特征频率(fT): 100MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 700mV@500mA,50mA
晶体管类型: NPN
工作温度: +150℃@(Tj)
2820
最小包:3000
起订量:20
增量:20
20+: ¥ 0.0199
200+: ¥ 0.0158
600+: ¥ 0.0135
3000+: ¥ 0.0117
9000+: ¥ 0.0105
21000+: ¥ 0.0098
集电极截止电流(Icbo): 50nA
集射极击穿电压(Vceo): 160V
功率(Pd): 200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80@10mA,5V
集电极电流(Ic): 600mA
特征频率(fT): 100MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@50mA,5mA
晶体管类型: NPN
工作温度: +150℃@(Tj)
4550
最小包:3000
起订量:50
增量:50
50+: ¥ 0.008
1500+: ¥ 0.0066
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 160V
功率(Pd): 200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 60@10mA,5V
集电极电流(Ic): 600mA
特征频率(fT): 100MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@50mA,5mA
晶体管类型: PNP
工作温度: +150℃@(Tj)
4900
最小包:3000
起订量:20
增量:20
20+: ¥ 0.0252
200+: ¥ 0.0205
600+: ¥ 0.018
3000+: ¥ 0.0129
9000+: ¥ 0.0115
21000+: ¥ 0.0108
集射极击穿电压(Vceo): 40V
功率(Pd): 350mW
集电极电流(Ic): 600mA
晶体管类型: NPN
1950
最小包:3000
起订量:50
增量:50
50+: ¥ 0.0165
500+: ¥ 0.013
3000+: ¥ 0.011
6000+: ¥ 0.0099
24000+: ¥ 0.0089
51000+: ¥ 0.0083
集电极截止电流(Icbo): 20nA
集射极击穿电压(Vceo): 60V
功率(Pd): 350mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@10mA,10V
集电极电流(Ic): 600mA
特征频率(fT): 200MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@150mA,15mA
晶体管类型: PNP
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
2280
最小包:3000
起订量:20
增量:20
20+: ¥ 0.0175
200+: ¥ 0.0139
600+: ¥ 0.0119
3000+: ¥ 0.0103
9000+: ¥ 0.0092
21000+: ¥ 0.0087
输出电压: 2.495V~36V
最小阴极电流调节: 1mA
输出电流: 100mA
输出类型: 可编程
160
最小包:3000
起订量:10
增量:10
10+: ¥ 0.0596
100+: ¥ 0.0481
300+: ¥ 0.0424
3000+: ¥ 0.0356
6000+: ¥ 0.032099
9000+: ¥ 0.0304
直流反向耐压(Vr): 80V
工作温度: +150℃@(Tj)
功率: 150mW
二极管配置: 1对串联式
正向压降(Vf): 900mV@100mA
反向恢复时间(trr): 1.6ns
反向电流(Ir): 500nA@80V
平均整流电流(Io): 100mA
2250
最小包:3000
起订量:50
增量:50
50+: ¥ 0.0151
500+: ¥ 0.012
3000+: ¥ 0.0099
6000+: ¥ 0.0089
24000+: ¥ 0.008
51000+: ¥ 0.0075