IXYS 公司是世界著名的半导体厂家,成立于1983年, 总部设于加利福尼亚州,其产品括MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块,Hybrid和晶体管等.
类目： -
全部
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碳化硅场效应管(MOSFET)
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单片机(MCU/MPU/SOC)
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监控和复位芯片
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浪涌保护器
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专业电源管理(PMIC)
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电流源/恒流源
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三极管(BJT)
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开关二极管
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气体放电管(GDT)
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半导体放电管(TSS)
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模拟开关/多路复用器
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雪崩二极管
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定时器/计时器
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通用二极管
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特殊功能放大器
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整流桥
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晶闸管(可控硅)/模块
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肖特基二极管
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IGBT管/模块
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快恢复/高效率二极管
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LED驱动
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模拟开关-特殊用途
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电信接口IC
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场效应管(MOSFET)
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其他模块
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逻辑输出光耦
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固态继电器
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固态继电器(可控硅输出)
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固态继电器(MOS输出)
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栅极驱动芯片
-
晶体管输出光耦
当前 “Littelfuse/IXYS”
共3,434件相关型号
1+： ¥ 43.36
200+： ¥ 17.3
500+： ¥ 16.719999
1000+： ¥ 16.44
1+： ¥ 16.53
10+： ¥ 16.11
50+： ¥ 15.82
1+： ¥ 123.52
250+： ¥ 49.29
500+： ¥ 47.64
1000+： ¥ 46.83
1+： ¥ 22.25
200+： ¥ 8.88
500+： ¥ 8.58
1000+： ¥ 8.44
保持电流(Ih)： 50mA
门极触发电流(Igt)： 15mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.6V
通态RMS电流(It(rms))： 50A
工作温度： -40℃~+150℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
门极触发电压(Vgt)： 1.3V
1+： ¥ 78.88
200+： ¥ 31.48
500+： ¥ 30.42
1000+： ¥ 29.9
保持电流(Ih)： 50mA
门极触发电流(Igt)： 15mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.6V
通态RMS电流(It(rms))： 50A
工作温度： -40℃~+150℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
门极触发电压(Vgt)： 1.3V
1+： ¥ 69.72
200+： ¥ 27.82
500+： ¥ 26.89
1000+： ¥ 26.43
保持电流(Ih)： 50mA
门极触发电流(Igt)： 15mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.6V
通态RMS电流(It(rms))： 50A
工作温度： -40℃~+150℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
门极触发电压(Vgt)： 1.3V
1+： ¥ 75.95
200+： ¥ 30.31
500+： ¥ 29.29
1000+： ¥ 28.79
保持电流(Ih)： 3mA
门极触发电流(Igt)： 100uA
通态RMS电流(It(rms))： 600mA
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
工作温度： -40℃~+125℃
可控硅类型： 2个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 800mV
1+： ¥ 25.57
200+： ¥ 10.2
500+： ¥ 9.86
1000+： ¥ 9.7
保持电流(Ih)： 5mA
门极触发电流(Igt)： 200uA
通态峰值电压(Vtm)： 1.7V
通态RMS电流(It(rms))： 800mA
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
工作温度： -40℃~+125℃
门极触发电压(Vgt)： 800mV
1+： ¥ 4.07
200+： ¥ 1.63
500+： ¥ 1.57
1000+： ¥ 1.55
保持电流(Ih)： 10mA
门极触发电流(Igt)： 200uA
通态峰值电压(Vtm)： 1.7V
通态RMS电流(It(rms))： 800mA
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
工作温度： -40℃~+125℃
门极触发电压(Vgt)： 800mV
1+： ¥ 3.2
200+： ¥ 1.28
500+： ¥ 1.24
1000+： ¥ 1.22
保持电流(Ih)： 15mA
门极触发电流(Igt)： 6mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.6V
通态RMS电流(It(rms))： 12A
工作温度： -40℃~+150℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
可控硅类型： 1个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.5V
1+： ¥ 15.51
200+： ¥ 6.19
750+： ¥ 5.98
1500+： ¥ 5.88
保持电流(Ih)： 6mA
门极触发电流(Igt)： 200uA
通态峰值电压(Vtm)： 1.6V
通态RMS电流(It(rms))： 8A
断态峰值电压(Vdrm)： 400V
工作温度： -40℃~+150℃
门极触发电压(Vgt)： 800mV
1+： ¥ 13.1
200+： ¥ 5.23
750+： ¥ 5.06
1500+： ¥ 4.97
1+： ¥ 19.1
10+： ¥ 18.62
30+： ¥ 18.3
漏源电压(Vdss)： 150V
连续漏极电流(Id)： 400A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.1mΩ@100A,10V
功率(Pd)： 1.5kW
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@1mA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 14.5nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 430nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
1+： ¥ 579.76
210+： ¥ 231.33
510+： ¥ 223.6
990+： ¥ 219.78
1+： ¥ 369.48
210+： ¥ 147.43
510+： ¥ 142.5
990+： ¥ 140.07
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 45mΩ@30A,10V
功率(Pd)： 540W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 10.5nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 255nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 249.46
210+： ¥ 99.54
510+： ¥ 96.21
990+： ¥ 94.57
1+： ¥ 109.82
10+： ¥ 106.54
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 150V
连续漏极电流(Id)： 120A
功率(Pd)： 600W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 16mΩ@500mA,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 150nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 4.9nF@25V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
1+： ¥ 118.3
210+： ¥ 55.23
510+： ¥ 53.83
990+： ¥ 53.14
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 53A
功率(Pd)： 312W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 48mΩ@45A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@1mA
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 12nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 205nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 324.85
210+： ¥ 129.62
510+： ¥ 125.29
990+： ¥ 123.15
1+： ¥ 130.55
10+： ¥ 125.56
30+： ¥ 116.92
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