NEC Electronics (NEC,日电电子) NEC公司总部位于日本东京，是全球五大电脑制造商之一，也是为数不多的能够在半导体、电子器件、通讯、计算机外设、图像和计算机领域提供全线产品的公司之一。公司在全球共有38个分公司，负责产品的生产和销售。
类目： -
全部
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线性稳压器(LDO)
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音频功率放大器
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USB转换芯片
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通用二极管
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逻辑输出光耦
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固态继电器(MOS输出)
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RF放大器
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达林顿晶体管阵列
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运算放大器
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无线收发芯片
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射频低噪声放大器
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三极管(BJT)
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晶体管输出光耦
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功率继电器
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数字晶体管
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稳压二极管
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场效应管(MOSFET)
封装： -
全部
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LDPAK-3
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MINIMOLD-3
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SOP-5-3.6mm
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TO-251-3
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TO-262
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SIP-8
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TQFP-48(7x7)
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SOP-4-2.54mm
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SC-70-3
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TO-220-3
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SOP-5-175mil
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SOP-6-2.54mm
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SOP-14
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SOT-143-4
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SOIC-16
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SOT-143
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SOP-4
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SOIC-8
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TO-220
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DIP-4
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SMD-8P
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TO-92
-
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1+： ¥ 18.67
200+： ¥ 7.23
500+： ¥ 6.97
1000+： ¥ 6.85
1+： ¥ 1.7124
200+： ¥ 0.6627
500+： ¥ 0.6394
1000+： ¥ 0.6279
1+： ¥ 25.85
200+： ¥ 10.32
500+： ¥ 9.97
1000+： ¥ 9.8
1+： ¥ 36.93
200+： ¥ 14.74
500+： ¥ 14.25
1000+： ¥ 14
1+： ¥ 1.9213
200+： ¥ 0.7666
500+： ¥ 0.741
1000+： ¥ 0.7284
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 80@50mA,5V
晶体管类型： 1个PNP-预偏置
功率(Pd)： 250mW
集电极电流(Ic)： 100mA
集射极击穿电压(Vceo)： 50V
1+： ¥ 4.46
200+： ¥ 1.73
500+： ¥ 1.67
1000+： ¥ 1.64
漏源电压(Vdss)： 55V
连续漏极电流(Id)： 82A
功率(Pd)： 1.8W;143W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6mΩ@41A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 9.6nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 160nC@10V
工作温度： +175℃@(Tj)
1+： ¥ 2.2544
200+： ¥ 0.8735
500+： ¥ 0.8416
1000+： ¥ 0.8273
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.8mΩ@40A,10V
功率(Pd)： 1.8W;115W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 6.9nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 135nC@10V
工作温度： +175℃@(Tj)
1+： ¥ 2.0953
200+： ¥ 0.8114
500+： ¥ 0.7828
1000+： ¥ 0.7685
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 82A
功率(Pd)： 1.8W;143W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.2mΩ@41A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 9pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 150nC@10V
工作温度： +175℃@(Tj)
1+： ¥ 2.4596
200+： ¥ 0.953
500+： ¥ 0.9196
1000+： ¥ 0.9021
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 82A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7.4mΩ@41A,10V
功率(Pd)： 1.8W;143W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 8.55nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 160nC@10V
工作温度： +175℃@(Tj)
1+： ¥ 2.3578
200+： ¥ 0.9132
500+： ¥ 0.8798
1000+： ¥ 0.8655
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 82A
功率(Pd)： 1.8W;143W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.2mΩ@41A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 9pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 150nC@10V
工作温度： +175℃@(Tj)
1+： ¥ 2.4596
200+： ¥ 0.953
500+： ¥ 0.9196
900+： ¥ 0.9021
漏源电压(Vdss)： 55V
连续漏极电流(Id)： 80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.9mΩ@40A,10V
功率(Pd)： 1.8W;115W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 6.9nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 135nC@10V
工作温度： +175℃@(Tj)
1+： ¥ 1.9696
200+： ¥ 0.7621
500+： ¥ 0.7366
1000+： ¥ 0.7223
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 82A
功率(Pd)： 1.8W;143W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.2mΩ@41A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 9nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 150nC@10V
工作温度： +175℃
1+： ¥ 2.4596
200+： ¥ 0.953
500+： ¥ 0.9196
1000+： ¥ 0.9021
漏源电压(Vdss)： 55V
连续漏极电流(Id)： 32A
功率(Pd)： 1.2W;66W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 24mΩ@16A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 41nC@10V
1+： ¥ 0.9339
200+： ¥ 0.3628
500+： ¥ 0.35
1000+： ¥ 0.3437
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 70A
功率(Pd)： 125W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7mΩ@36A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2V@1mA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 8.5nF@10V
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 3.4953
200+： ¥ 1.3539
500+： ¥ 1.3062
1000+： ¥ 1.2823
1+： ¥ 0.2277
200+： ¥ 0.0881
500+： ¥ 0.085
1000+： ¥ 0.0835
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 83A
功率(Pd)： 120W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 15mΩ@42A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@1mA
类型： P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.8nF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 120nC@10V
1+： ¥ 3.2216
200+： ¥ 1.2473
500+： ¥ 1.2044
800+： ¥ 1.1821
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7mΩ@40A,10V
功率(Pd)： 1.8W;120W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.9nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 72nC@10V
1+： ¥ 2.0953
200+： ¥ 0.8114
500+： ¥ 0.7828
1000+： ¥ 0.7685
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.8mΩ@40A,10V
功率(Pd)： 1.8W;115W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 6.9nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 135nC@10V
工作温度： +175℃
1+： ¥ 2.0953
200+： ¥ 0.8114
500+： ¥ 0.7828
1000+： ¥ 0.7685
漏源电压(Vdss)： 55V
连续漏极电流(Id)： 82A
功率(Pd)： 1.8W;143W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6mΩ@41A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 9.6nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 160nC@10V
工作温度： +175℃@(Tj)
1+： ¥ 2.2544
200+： ¥ 0.8735
500+： ¥ 0.8416
1000+： ¥ 0.8273
