您好，

搜索类型

PIP(丽隽)

网址：http://www.pipsemi.com/

PIP-Semi成立于美国科罗拉多州的一家高科技公司。公司研发团队来自仙童、IR、TFSS，自2003年组成后一直专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工和封装测试工艺技术。公司开发和生产VDMOS、SG MOSFET、Coolmos、 IGBT、 Gate Driver IC等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路产品，广泛应用于节能、绿色照明、智能电网、电动汽车、工控设备、消费电子等领域。公司秉承“诚信、相信、信心、信仰"的企业文化，为客户提供完美、创新、专业的产品和全方位的服务。为客户创造价值是我们永远的宗旨。

当前 “PIP(丽隽)” 共58件相关型号

综合
价格
库存
销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度（含税价格）

数量

操作

PTA10N80

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： 800V

连续漏极电流(Id)： 10A

功率(Pd)： 55W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.15Ω@10V,4A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA

类型： 1个N沟道

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 2.86

10+： ¥ 2.8

30+： ¥ 2.75

合计总额： ¥ 2.8600

SPTA65R160

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

360

最小包：1000

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 1.4891

10+： ¥ 1.2791

30+： ¥ 1.163

100+： ¥ 1.0341

500+： ¥ 0.9753

1000+： ¥ 0.9498

合计总额： ¥ 1.4891

SPTA65R350E

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 1.0978

200+： ¥ 0.4264

500+： ¥ 0.4105

1000+： ¥ 0.4025

合计总额： ¥ 1.0978

SPTD65R550E

类目： -

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-252

描述：

无

最小包：2500

起订量：1

增量：1

暂无报价

合计总额： ¥ 0.0000

SPTA60R130E

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 1.5257

10+： ¥ 1.311

30+： ¥ 1.1932

100+： ¥ 1.0596

500+： ¥ 1.0007

1000+： ¥ 0.9737

合计总额： ¥ 1.5257

PTA03N150

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 0.9419

10+： ¥ 0.7987

30+： ¥ 0.7191

100+： ¥ 0.63

500+： ¥ 0.5919

1000+： ¥ 0.5728

合计总额： ¥ 0.9419

PTA26N70

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 1.1312

10+： ¥ 0.9641

30+： ¥ 0.8735

100+： ¥ 0.7685

500+： ¥ 0.7223

1000+： ¥ 0.7016

合计总额： ¥ 1.1312

PTA26N65

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 1.0676

10+： ¥ 0.9101

30+： ¥ 0.8226

100+： ¥ 0.7255

500+： ¥ 0.681

1000+： ¥ 0.6619

合计总额： ¥ 1.0676

PTW36N60

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-3P-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：25

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 2.396

10+： ¥ 2.0969

30+： ¥ 1.9091

100+： ¥ 1.7166

500+： ¥ 1.6307

1000+： ¥ 1.5925

合计总额： ¥ 2.3960

PTA26N60

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 1.0676

10+： ¥ 0.9101

30+： ¥ 0.8226

100+： ¥ 0.7255

500+： ¥ 0.681

1000+： ¥ 0.6619

合计总额： ¥ 1.0676

PTW30N50EL

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-3P-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：25

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 1.5973

10+： ¥ 1.3985

30+： ¥ 1.2728

100+： ¥ 1.1455

500+： ¥ 1.0866

1000+： ¥ 1.0612

合计总额： ¥ 1.5973

PTW28N50

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-3P-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：25

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 1.3444

10+： ¥ 1.1535

30+： ¥ 1.0485

100+： ¥ 0.9291

500+： ¥ 0.8766

1000+： ¥ 0.8528

合计总额： ¥ 1.3444

PTA25N50

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 0.9307

10+： ¥ 0.7812

30+： ¥ 0.708

100+： ¥ 0.6332

500+： ¥ 0.5887

1000+： ¥ 0.5664

合计总额： ¥ 0.9307

PTA20N50A

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 0.8512

10+： ¥ 0.7128

30+： ¥ 0.6444

100+： ¥ 0.576

500+： ¥ 0.5362

1000+： ¥ 0.5139

合计总额： ¥ 0.8512

PSP13N50

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 0.5314

10+： ¥ 0.4455

30+： ¥ 0.4025

100+： ¥ 0.3612

500+： ¥ 0.3357

1000+： ¥ 0.3214

合计总额： ¥ 0.5314

PTP13N50B

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 0.4678

10+： ¥ 0.3819

30+： ¥ 0.3437

100+： ¥ 0.2976

500+： ¥ 0.2769

1000+： ¥ 0.2641

合计总额： ¥ 0.4678

PTP09N50

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 0.3866

10+： ¥ 0.3119

30+： ¥ 0.2816

100+： ¥ 0.2419

500+： ¥ 0.2244

1000+： ¥ 0.2132

合计总额： ¥ 0.3866

PTA13N45

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 0.4471

10+： ¥ 0.3675

30+： ¥ 0.3325

100+： ¥ 0.2896

500+： ¥ 0.2705

1000+： ¥ 0.2594

合计总额： ¥ 0.4471

PTA09N45

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 0.3417

10+： ¥ 0.2782

30+： ¥ 0.251

100+： ¥ 0.2171

500+： ¥ 0.202

1000+： ¥ 0.1929

合计总额： ¥ 0.3417

PTA20N40B

类目：场效应管(MOSFET)

品牌： PIP(丽隽)

封装： TO-220F-3

描述：

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

功率(Pd)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

类型： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

最小包：50

起订量：1

增量：1

1+： ¥ 0.568

10+： ¥ 0.4757

30+： ¥ 0.4296

100+： ¥ 0.385

500+： ¥ 0.358

1000+： ¥ 0.3437

合计总额： ¥ 0.5680

共 58 条

跳至页

回到顶部

PIP(丽隽)

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度（含税价格）

数量

操作

联系我们

支付方式

商家服务

帮助和支持

业务合作

客服微信