Qorvo 产品主要有外太空 汽车 智能手机 可穿戴设备 医疗电子等领域。我们为移动与基础设施提供核心技术及射频 (RF) 解决方案。我们的产品可以为您增加价值,帮助您连接和保护世界。改变您生活、工作、娱乐和沟通的方式 - 那就是我们的灵感来源。
类目: -
全部
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射频功率放大器
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碳化硅结型场效应管(JFET)
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碳化硅二极管
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双工器
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RF混频器
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RF滤波器
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射频前端芯片
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射频卡芯片
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场效应管(MOSFET)
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碳化硅场效应管(MOSFET)
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无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
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单片机(MCU/MPU/SOC)
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RF衰减器
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射频开关
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运算放大器
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专业电源管理(PMIC)
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电池管理
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DC-DC电源芯片
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电机驱动芯片
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射频低噪声放大器
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RF放大器
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预售新品
封装: -
全部
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QFN-24(5x3)
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QFN-16(2.5x2.5)
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QFN-16(3x3)
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QFN-40-EP(5x5)
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SOT-89-3
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TO-247-2
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TO-220-2
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1008
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QFN-32-EP(5x5)
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0806
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QFN-16-EP(2.5x2.5)
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QFN-24-EP(3x5)
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DFN-16(2.5x2.5)
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CSP-5
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QFN-16-EP(2.3x2.3)
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QFN-14-EP(2x2)
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DFN-6(2x2)
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QFN-16-EP(4x4)
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QFN-10-EP(1.8x1.8)
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D2PAK-7
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TO-220-3
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TO-247-3
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TO-263(D2PAK)
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TQFN1010-52
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TQFN-88-64L
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TQFN-48(6x6)
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TQFN-40(6x6)
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TQFN1010-57
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QFN-51L(8x8)
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TQFN-48-EP(6x6)
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TQFN-88-56
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QFN-12L-EP(1.8x1.8)
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QFN-12-EP(2x2)
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SOT-363-6
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QFN-32-EP(4x4)
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WLCSP-81
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WLCSP-36
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WLCSP-30
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QFN-32(4x4)
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QFN-48(6x6)
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QFN-52L(6x6)
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WLCSP-49
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FCQFN-28(5x5)
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QFN-32(5x5)
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SOP-8
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FCQFN-32(4x4)
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SOT-23-6
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SOIC-8-150mil
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SOP-8-EP
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QFN-48-EP(6x6)
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QFN-9(2x2)
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QFN-20-EP(4x4)
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SOT-343
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SMD-4P
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MPGA-9
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SOIC-8
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QFN-24-EP(4x4)
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QFN-16
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SOT-23-5
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QFN-8-EP(2.2x2.2)
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QFN-16-EP(3x3)
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DFN-14(7x7)
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SOT-89-4
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SOT-323-6
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SOT-89
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DFN-8(2x2)
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SOD-882
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TQFN-66-48
1+: ¥ 14.11
10+: ¥ 13.8
30+: ¥ 13.59
100+: ¥ 13.38
10+: ¥ 11.822
50+: ¥ 11.5136
100+: ¥ 11.1024
500+: ¥ 10.8968
1+: ¥ 20.69
10+: ¥ 20.26
30+: ¥ 19.97
100+: ¥ 19.68
1+: ¥ 29.63
10+: ¥ 25.84
30+: ¥ 23.58
100+: ¥ 21.3
1+: ¥ 29.63
10+: ¥ 25.84
30+: ¥ 23.58
100+: ¥ 21.3
1+: ¥ 13.67
10+: ¥ 13.35
30+: ¥ 13.14
1+: ¥ 17.43
10+: ¥ 15.2
30+: ¥ 13.87
1+: ¥ 31.14
10+: ¥ 27.3
30+: ¥ 25.02
100+: ¥ 22.71
500+: ¥ 21.64
1000+: ¥ 21.16
1+: ¥ 13.68
10+: ¥ 11.83
30+: ¥ 10.68
1+: ¥ 13
10+: ¥ 11.24
30+: ¥ 10.14
1+: ¥ 4.42
10+: ¥ 4.32
30+: ¥ 4.25
100+: ¥ 4.179999
1+: ¥ 10.46
10+: ¥ 9.09
30+: ¥ 8.23
100+: ¥ 7.35
500+: ¥ 6.96
1000+: ¥ 6.78
1+: ¥ 46.85
10+: ¥ 45.75
30+: ¥ 45.01
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 259W
Id-漏极电流(25℃): 72A
Vds-漏源击穿电压: 750V
1+: ¥ 214.87
200+: ¥ 85.74
500+: ¥ 82.87
800+: ¥ 81.46
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 375W
Id-漏极电流(25℃): 106A
Vds-漏源击穿电压: 750V
1+: ¥ 507.03
210+: ¥ 202.31
510+: ¥ 195.55
990+: ¥ 192.21
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 357W
Id-漏极电流(25℃): 104A
Vds-漏源击穿电压: 750V
1+: ¥ 340.51
200+: ¥ 135.87
500+: ¥ 131.33
800+: ¥ 129.08
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 357W
Id-漏极电流(25℃): 104A
Vds-漏源击穿电压: 750V
1+: ¥ 423.64
210+: ¥ 169.04
510+: ¥ 163.39
990+: ¥ 160.6
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 155W
Id-漏极电流(25℃): 28A
Vds-漏源击穿电压: 750V
1+: ¥ 159.56
210+: ¥ 63.67
510+: ¥ 61.54
990+: ¥ 60.49
沟道类型: 1个N沟道
Pd-功耗: 155W
Id-漏极电流(25℃): 28A
Vds-漏源击穿电压: 750V
1+: ¥ 93.6
210+: ¥ 37.35
510+: ¥ 36.1
990+: ¥ 35.48