SemiHow是以在先进半导体技术和中国奠定的高品质生产为基础...以中国企业坚实的 Partnership为武器, 与 Partner一起 用其他企业无法抗衡的竞争力, 扩大中国市场的 Market企业。
封装： -
全部
-
TO-220FS-FM
-
TO-263
-
TO-220
-
TO-252
1+： ¥ 0.8703
10+： ¥ 0.7176
30+： ¥ 0.6412
100+： ¥ 0.5648
500+： ¥ 0.4932
800+： ¥ 0.4694
1+： ¥ 0.7605
10+： ¥ 0.6237
50+： ¥ 0.5553
100+： ¥ 0.4869
500+： ¥ 0.4232
1000+： ¥ 0.401
1+： ¥ 0.8337
10+： ¥ 0.6825
30+： ¥ 0.6062
100+： ¥ 0.5314
500+： ¥ 0.4662
1000+： ¥ 0.4439
1+： ¥ 1.3348
10+： ¥ 1.1296
30+： ¥ 1.0182
100+： ¥ 0.891
500+： ¥ 0.7923
1000+： ¥ 0.7669
1+： ¥ 0.9546
10+： ¥ 0.7875
30+： ¥ 0.7048
100+： ¥ 0.6221
500+： ¥ 0.5457
1000+： ¥ 0.5203
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 9.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 980mΩ@10V,4.75A
功率(Pd)： 50W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： N沟道
1+： ¥ 0.5839
10+： ¥ 0.4773
50+： ¥ 0.4248
100+： ¥ 0.3723
500+： ¥ 0.3405
1000+： ¥ 0.3246
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 4.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.5Ω@10V,2.25A
功率(Pd)： 44W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： N沟道
1+： ¥ 0.3675
10+： ¥ 0.296
50+： ¥ 0.2641
100+： ¥ 0.226
500+： ¥ 0.2005
1000+： ¥ 0.1894
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 12A
功率(Pd)： 51W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 650mΩ@10V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
类型： N沟道
1+： ¥ 0.8241
10+： ¥ 0.6746
50+： ¥ 0.5998
100+： ¥ 0.5266
500+： ¥ 0.4789
1000+： ¥ 0.4551
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 12A
功率(Pd)： 51W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 780mΩ@10V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
类型： N沟道
1+： ¥ 0.7573
10+： ¥ 0.6189
30+： ¥ 0.5505
100+： ¥ 0.4821
500+： ¥ 0.4423
1000+： ¥ 0.4216
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 9.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 800mΩ@10V,4.75A
功率(Pd)： 50W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： N沟道
1+： ¥ 0.5473
10+： ¥ 0.4551
50+： ¥ 0.4089
100+： ¥ 0.3644
500+： ¥ 0.2912
1000+： ¥ 0.2769
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 13A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 480mΩ@10V,6.5A
功率(Pd)： 41W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： N沟道
1+： ¥ 0.5696
10+： ¥ 0.5012
50+： ¥ 0.4662
100+： ¥ 0.4328
500+： ¥ 0.4121
1000+： ¥ 0.401
1+： ¥ 0.8226
10+： ¥ 0.6778
30+： ¥ 0.6046
100+： ¥ 0.533
500+： ¥ 0.4662
1000+： ¥ 0.4439
1+： ¥ 1.1169
10+： ¥ 0.9387
50+： ¥ 0.84
100+： ¥ 0.7287
500+： ¥ 0.6794
1000+： ¥ 0.6571
