源芯半导体2004年成立于美国。本公司拥有IC设计技术与系統设计技术的研发团队，并领先同行，擁有晶圆制程和封装技术的设计能力，能提供客户效能佳、品质好以及高整合的产品。同时源芯半导体还致力于材料电子的开发与生产。目前市场跨越地区有美国、日本、韩国、新加坡、香港、中国台湾、大陆等地区。
类目： -
全部
-
肖特基二极管
-
射频开关
-
DC-DC电源芯片
-
场效应管(MOSFET)
-
达林顿管
-
IGBT管/模块
-
三极管(BJT)
封装： -
全部
-
TO-277B
-
DFN-8(3x3)
-
DFN-6L(1x1)
-
DFN-8L(1.5x1.5)
-
SOT-23-3
-
SOT-23(TO-236)
-
SOIC-8
-
DFN-8-EP(6.1x5.2)
-
SOP-8
-
DFN-8(5x6)
-
DFN-8
-
SOT-23-6
-
TO-252-5
-
TO-247-3L
-
TO-220F-3L
-
TO-220F
-
TO-251
-
TO-263
-
TO-252
-
TO-220
-
TO-220F-3
-
TO-3PF-3
-
TO-247
-
TO-3PN
-
TO-3PL
-
TO-3P
-
TO-3
5+： ¥ 0.7986
50+： ¥ 0.7813
150+： ¥ 0.7698
5+： ¥ 0.8252
50+： ¥ 0.8073
150+： ¥ 0.7954
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 44A
5+： ¥ 1.08072
50+： ¥ 0.9522
150+： ¥ 0.89712
500+： ¥ 0.82836
2500+： ¥ 0.79776
5000+： ¥ 0.7794
1+： ¥ 2.15
10+： ¥ 1.89
30+： ¥ 1.78
100+： ¥ 1.64
500+： ¥ 1.58
1000+： ¥ 1.55
5+： ¥ 1.7207
50+： ¥ 1.5149
150+： ¥ 1.4267
500+： ¥ 1.3167
2500+： ¥ 1.2677
5000+： ¥ 1.2383
1+： ¥ 2.2
10+： ¥ 1.94
30+： ¥ 1.82
100+： ¥ 1.68
500+： ¥ 1.62
1000+： ¥ 1.58
5+： ¥ 1.2642
50+： ¥ 1.113
150+： ¥ 1.0482
500+： ¥ 0.9674
2500+： ¥ 0.9314
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 40A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 13.5mΩ
类型： P沟道
1+： ¥ 0.5362
10+： ¥ 0.4471
30+： ¥ 0.4026
100+： ¥ 0.3596
500+： ¥ 0.3182
1000+： ¥ 0.3039
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 54A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4mΩ
类型： N沟道
5+： ¥ 0.226
50+： ¥ 0.1845
150+： ¥ 0.1668
500+： ¥ 0.1405
2500+： ¥ 0.1306
5000+： ¥ 0.1247
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 26A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 30mΩ
类型： P沟道
1+： ¥ 0.4614
10+： ¥ 0.3739
30+： ¥ 0.3357
100+： ¥ 0.288
500+： ¥ 0.2546
1000+： ¥ 0.2419
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 65A
类型： N沟道
1+： ¥ 0.3787
10+： ¥ 0.3055
30+： ¥ 0.2753
100+： ¥ 0.2355
500+： ¥ 0.2085
1000+： ¥ 0.1989
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 50A
类型： N沟道
1+： ¥ 0.5314
10+： ¥ 0.4439
30+： ¥ 0.3994
100+： ¥ 0.3548
500+： ¥ 0.3182
1000+： ¥ 0.3039
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 6.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 22mΩ@4.5V,6.5A
功率(Pd)： 1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1V@250uA
类型： N沟道
5+： ¥ 0.0807
50+： ¥ 0.064699
150+： ¥ 0.0567
500+： ¥ 0.0507
3000+： ¥ 0.0459
6000+： ¥ 0.0435
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 60mΩ@10V,4.3A
功率(Pd)： 1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
类型： P沟道
910
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.072
100+： ¥ 0.0592
300+： ¥ 0.0529
3000+： ¥ 0.0481
6000+： ¥ 0.0443
9000+： ¥ 0.0424
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 5.4A
功率(Pd)： 1.25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 30mΩ@4V,5.4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.2V@250uA
类型： N沟道
2140
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.0667
100+： ¥ 0.0546
300+： ¥ 0.0485
3000+： ¥ 0.0372
6000+： ¥ 0.0336
9000+： ¥ 0.0318
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 37mΩ@10V,4A
功率(Pd)： 900mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
类型： N沟道
550
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.0609
100+： ¥ 0.0495
300+： ¥ 0.0438
3000+： ¥ 0.0373
6000+： ¥ 0.0338
9000+： ¥ 0.032099
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 4.5A
功率(Pd)： 1.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 53mΩ@10V,4.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.4V@250uA
类型： P沟道
10+： ¥ 0.0576
100+： ¥ 0.0472
300+： ¥ 0.042
3000+： ¥ 0.0322
6000+： ¥ 0.0291
9000+： ¥ 0.0275
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 2.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 60mΩ@4.5V,2.8A
功率(Pd)： 900mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.2V@250uA
类型： N沟道
540
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.0508
100+： ¥ 0.0413
300+： ¥ 0.0366
3000+： ¥ 0.0317
6000+： ¥ 0.0288
9000+： ¥ 0.0274
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 2.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 100mΩ@4.5V,2.8A
功率(Pd)： 900mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 900mV@250uA
类型： P沟道
2700
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.054
100+： ¥ 0.0444
300+： ¥ 0.0397
3000+： ¥ 0.0361
6000+： ¥ 0.0332
9000+： ¥ 0.0318
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 6A
功率(Pd)： 2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 28mΩ@4.5V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.2V@250uA
类型： 2个N沟道
1+： ¥ 0.1517
10+： ¥ 0.1242
30+： ¥ 0.1124
100+： ¥ 0.0977
500+： ¥ 0.0911
1000+： ¥ 0.0872
