东芝集团创立于1875年,致力于为人类和地球的明天而努力奋斗,力争成为能创造丰富的价值并能为全人类的生活、文化作贡献的企业集团,东芝集团业务领域包括东芝电脑、东芝半导体&存储产品、 个人与家庭用产品、服务与支持
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直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 600@2A,2V
集射极击穿电压(Vceo): 400V
类型: NPN
集电极截止电流(Icbo@Vcb): 20uA
集电极电流(Ic): 6A
功率(Pd): 2W
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib): 2V@40mA,4A
1+: ¥ 11.31
200+: ¥ 4.52
500+: ¥ 4.37
1000+: ¥ 4.29
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 50V
功率(Pd): 100mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 120@2mA,6V
集电极电流(Ic): 150mA
特征频率(fT): 80MHz
晶体管类型: NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,100mA
1+: ¥ 0.458652
200+: ¥ 0.183005
500+: ¥ 0.17689
1000+: ¥ 0.173868
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 50V
功率(Pd): 200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 180@100mA,1V
集电极电流(Ic): 500mA
特征频率(fT): 100MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@50mA,500mA
晶体管类型: NPN
1+: ¥ 0.60282
200+: ¥ 0.24053
500+: ¥ 0.232492
1000+: ¥ 0.22852
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 80V
功率(Pd): 1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@500mA,2V
集电极电流(Ic): 2A
特征频率(fT): 150MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@100mA,1A
晶体管类型: NPN
1+: ¥ 3.54
250+: ¥ 1.41
500+: ¥ 1.37
1000+: ¥ 1.34
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 800V
功率(Pd): 1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@100mA,5V
集电极电流(Ic): 1A
晶体管类型: NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@50mA,500mA
1+: ¥ 4.08
10+: ¥ 3.32
30+: ¥ 2.95
100+: ¥ 2.57
500+: ¥ 2.35
1000+: ¥ 2.23
集电极截止电流(Icbo): 200nA
集射极击穿电压(Vceo): 230V
功率(Pd): 1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@100mA,5V
集电极电流(Ic): 1A
特征频率(fT): 100MHz
晶体管类型: NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 1.5V@50mA,500mA
1+: ¥ 3.82
250+: ¥ 1.53
500+: ¥ 1.47
1000+: ¥ 1.45
集电极截止电流(Icbo): 10uA
集射极击穿电压(Vceo): 285V
功率(Pd): 1.1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80@1mA,5V
集电极电流(Ic): 1.5A
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@62.5mA,500mA
晶体管类型: NPN
1+: ¥ 4.81
200+: ¥ 1.92
400+: ¥ 1.86
1000+: ¥ 1.83
集电极截止电流(Icbo): 1uA
集射极击穿电压(Vceo): 160V
功率(Pd): 180W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80@1A,5V
集电极电流(Ic): 18A
特征频率(fT): 30MHz
晶体管类型: NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 2V@900mA,9A
1+: ¥ 26.71
200+: ¥ 10.66
500+: ¥ 10.3
1000+: ¥ 10.13
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 45V
功率(Pd): 200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 120@100mA,1V
集电极电流(Ic): 500mA
特征频率(fT): 80MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@50mA,500mA
晶体管类型: PNP
1+: ¥ 0.527468
200+: ¥ 0.210463
500+: ¥ 0.203431
1000+: ¥ 0.199955
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 45V
功率(Pd): 200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 180@100mA,1V
集电极电流(Ic): 500mA
特征频率(fT): 80MHz
晶体管类型: PNP
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@50mA,500mA
1+: ¥ 0.527468
200+: ¥ 0.210463
500+: ¥ 0.203431
1000+: ¥ 0.199955
集电极截止电流(Icbo): 5uA
集射极击穿电压(Vceo): 80V
功率(Pd): 2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 120@1A,1V
集电极电流(Ic): 12A
特征频率(fT): 50MHz
晶体管类型: PNP
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@300mA,6A
1+: ¥ 13.93
200+: ¥ 5.56
500+: ¥ 5.38
1000+: ¥ 5.29
集电极截止电流(Icbo): 200nA
集射极击穿电压(Vceo): 230V
功率(Pd): 1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@100mA,5V
集电极电流(Ic): 1A
特征频率(fT): 70MHz
晶体管类型: PNP
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 1.5V@50mA,500mA
1+: ¥ 3.77
250+: ¥ 1.51
500+: ¥ 1.46
1000+: ¥ 1.43
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 160V
功率(Pd): 10W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 140@100mA,5V
集电极电流(Ic): 1.5A
特征频率(fT): 100MHz
晶体管类型: PNP
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@50mA,500mA
1+: ¥ 2.1833
250+: ¥ 0.8712
500+: ¥ 0.8421
1000+: ¥ 0.8277
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集射极击穿电压(Vceo): 80V
功率(Pd): 10W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@500mA,2V
集电极电流(Ic): 3A
特征频率(fT): 100MHz
晶体管类型: PNP
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@100mA,1A
1+: ¥ 3.95
200+: ¥ 1.58
500+: ¥ 1.53
1000+: ¥ 1.5
集电极截止电流(Icbo): 1uA
集射极击穿电压(Vceo): 160V
功率(Pd): 180W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80@1A,5V
集电极电流(Ic): 18A
特征频率(fT): 30MHz
晶体管类型: PNP
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 2V@900mA,9A
1+: ¥ 27.25
200+: ¥ 10.88
500+: ¥ 10.51
1000+: ¥ 10.33
3000+: ¥ 0.92
5000+: ¥ 0.88
3000+: ¥ 0.104
5000+: ¥ 0.096
10000+: ¥ 0.0864
3000+: ¥ 0.104
5000+: ¥ 0.096
10000+: ¥ 0.0864
1+: ¥ 81.46
210+: ¥ 32.509999
510+: ¥ 31.42
990+: ¥ 30.88
1+: ¥ 21.06
200+: ¥ 8.41
500+: ¥ 8.13
1000+: ¥ 7.99
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