芯贸网 - 电子元器件现货平台
您好，
会员套餐 广告服务
  • 全部分类
    • 电容/电阻/电感
    • 微控制器/逻辑器件
    • 二极管/晶体管
    • 板级电路保护/电源管理
    • 接口芯片/时钟和计时
    • 连接器/开关
    • 数据转换芯片/射频无线
    • 光电器件/显示模块
    • 滤波器/晶体/振荡器
    • 存储器/传感器/隔离器件
    • 继电器/蜂鸣器/马达
    • 功能模块/通信模块
    • 放大器/开发板
  • 首页
  • 芯片/元器件
  • 品牌专区
首页 品牌列表 Transphorm

Transphorm

网址：暂无网址
暂无介绍
类目：
  • 全部
  • 结型场效应管(JFET)
  • 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
  • 场效应管(MOSFET)
  • 开发板
封装：
  • 全部
  • PQFN-3(5x6)
  • PQFN-3(8x8)
  • TO-263
  • TO-247-3
  • TO-247
  • TO-220AB
  • -
当前 “Transphorm” 共28件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度（含税价格）

数量

操作

TPH3208PS
TPH3208PS
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-220AB
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-220AB 650V 20A 96W 130mΩ@13A,8V 2.6V@300uA 1个N沟道 760pF@400V 14nC@8V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 20A
功率(Pd)： 96W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 130mΩ@13A,8V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.6V@300uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 760pF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 14nC@8V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 182.87
200+： ¥ 72.97
500+： ¥ 70.53
1000+： ¥ 69.33
合计总额： ¥ 182.8700
TPH3208LDG
TPH3208LDG
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： PQFN-3(8x8)
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm PQFN-3(8x8) 650V 20A 96W 130mΩ@13A,8V 2.6V@300uA 1个N沟道 760pF@400V 14nC@8V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 20A
功率(Pd)： 96W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 130mΩ@13A,8V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.6V@300uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 760pF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 14nC@8V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：60
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 136.15
180+： ¥ 54.33
480+： ¥ 52.51
1020+： ¥ 51.62
合计总额： ¥ 136.1500
TPH3206PSB
TPH3206PSB
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-220AB
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-220AB
无
5
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 62.9096
10+： ¥ 60.3876
50+： ¥ 56.004
合计总额： ¥ 62.9096
TPH3206LS
TPH3206LS
类目： 结型场效应管(JFET)
品牌： Transphorm
封装： -
描述：
结型场效应管(JFET) Transphorm
无
0
最小包：60
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 190.04
180+： ¥ 75.83
480+： ¥ 73.3
1020+： ¥ 72.04
合计总额： ¥ 190.0400
TP90H180PS
TP90H180PS
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-220AB
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-220AB 900V 15A 205mΩ@10A,10V 78W 2.6V@500uA 1个N沟道 780pF@600V 10nC@8V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 900V
连续漏极电流(Id)： 15A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 205mΩ@10A,10V
功率(Pd)： 78W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.6V@500uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 780pF@600V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 10nC@8V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 177.21
200+： ¥ 70.71
500+： ¥ 68.35
1000+： ¥ 67.18
合计总额： ¥ 177.2100
TP65H150G4PS
TP65H150G4PS
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-220AB
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-220AB
无
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 61.37
200+： ¥ 24.49
500+： ¥ 23.67
1000+： ¥ 23.27
合计总额： ¥ 61.3700
TP65H150G4LSG-TR
TP65H150G4LSG-TR
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： PQFN-3(8x8)
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm PQFN-3(8x8) 650V 13A 52W 180mΩ@8.5A,10V 4.8V@500uA 1个N沟道 598pF@400V 8nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 13A
功率(Pd)： 52W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 180mΩ@8.5A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.8V@500uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 598pF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 8nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 44.83
200+： ¥ 17.89
500+： ¥ 17.29
1000+： ¥ 17
合计总额： ¥ 44.8300
TP65H070LSG-TR
TP65H070LSG-TR
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Transphorm
封装： PQFN-3(8x8)
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Transphorm PQFN-3(8x8)
无
0
最小包：500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 139.6
200+： ¥ 55.71
500+： ¥ 53.84
1000+： ¥ 52.92
合计总额： ¥ 139.6000
TP65H070LDG-TR
TP65H070LDG-TR
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： PQFN-3(8x8)
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm PQFN-3(8x8) 650V 25A 96W 85mΩ@16A,10V 4.8V@700uA 1个N沟道 600pF@400V 9.3nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 25A
功率(Pd)： 96W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 85mΩ@16A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.8V@700uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 600pF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 9.3nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 138.78
200+： ¥ 55.38
500+： ¥ 53.53
1000+： ¥ 52.61
合计总额： ¥ 138.7800
TP65H050G4WS
TP65H050G4WS
类目： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
品牌： Transphorm
封装： TO-247-3
描述：
氮化镓晶体管(GaN HEMT) Transphorm TO-247-3
无
0
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 158.84
210+： ¥ 63.38
510+： ¥ 61.26
990+： ¥ 60.22
合计总额： ¥ 158.8400
TP65H050G4BS
TP65H050G4BS
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-263 650V 34A 60mΩ@22A,10V 119W 4.8V@700uA 1个N沟道 1nF@400V 24nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 34A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 60mΩ@22A,10V
功率(Pd)： 119W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.8V@700uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 24nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 138.66
200+： ¥ 55.33
500+： ¥ 53.48
1000+： ¥ 52.57
合计总额： ¥ 138.6600
TP65H035WSQA
TP65H035WSQA
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-247-3
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-247-3 650V 47.2A 187W 41mΩ@32A,10V 4.5V@1mA 1个N沟道 1.5nF@400V 24nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 47.2A
功率(Pd)： 187W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 41mΩ@32A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@1mA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.5nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 24nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
0
最小包：60
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 246.8
180+： ¥ 98.48
480+： ¥ 95.19
1020+： ¥ 93.56
合计总额： ¥ 246.8000
TP65H035WS
TP65H035WS
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-247-3
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-247-3 650V 46.5A 41mΩ@30A,10V 156W 4.8V@1mA 1个N沟道 1.5nF@400V 36nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 46.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 41mΩ@30A,10V
功率(Pd)： 156W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.8V@1mA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.5nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 36nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 231.45
210+： ¥ 92.35
510+： ¥ 89.27
990+： ¥ 87.74
合计总额： ¥ 231.4500
TDINV1000P100-KIT
TDINV1000P100-KIT
类目： 开发板
品牌： Transphorm
封装： -
描述：
开发板 Transphorm
无
0
最小包：1
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4250.18
200+： ¥ 3991.77
500+： ¥ 3858.38
1000+： ¥ 3792.47
合计总额： ¥ 4250.1800
TP65H050WSQA
TP65H050WSQA
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-247 650V 36A 60mΩ@25A,10V 150W 4.8V@700uA N沟道 1nF@400V 24nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 36A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 60mΩ@25A,10V
功率(Pd)： 150W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.8V@700uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 24nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
0
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 59.1819
200+： ¥ 22.9028
500+： ¥ 22.0978
1000+： ¥ 21.7001
合计总额： ¥ 59.1819
TP65H015G5WS
TP65H015G5WS
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-247 650V 93A 18mΩ@60A,10V 266W 4.8V@2mA N沟道 5.218nF@400V 100nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 93A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 18mΩ@60A,10V
功率(Pd)： 266W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.8V@2mA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 5.218nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 100nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 25.4514
200+： ¥ 9.8494
500+： ¥ 9.5041
1000+： ¥ 9.3323
合计总额： ¥ 25.4514
TPH3205WSBQA
TPH3205WSBQA
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-247 650V 35A 62mΩ@22A,8V 125W 2.6V@700uA N沟道 2.2nF@400V 42nC@8V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 35A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 62mΩ@22A,8V
功率(Pd)： 125W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.6V@700uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.2nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 42nC@8V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 18.6964
200+： ¥ 7.2355
500+： ¥ 6.981
1000+： ¥ 6.8553
合计总额： ¥ 18.6964
TP90H050WS
TP90H050WS
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-247 900V 34A 119W 63mΩ@22A,10V 4.4V@700uA N沟道 980pF@600V 17.5nC@10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 900V
连续漏极电流(Id)： 34A
功率(Pd)： 119W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 63mΩ@22A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.4V@700uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 980pF@600V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 17.5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
0
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 15.7405
200+： ¥ 6.0916
500+： ¥ 5.8785
1000+： ¥ 5.7719
合计总额： ¥ 15.7405
TP65H480G4JSG-TR
TP65H480G4JSG-TR
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： PQFN-3(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm PQFN-3(5x6) 650V 3.6A 560mΩ@3.4A,8V 13.2W 2.8V@500uA N沟道 760pF@400V 9nC@8V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 560mΩ@3.4A,8V
功率(Pd)： 13.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.8V@500uA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 760pF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 9nC@8V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.2273
200+： ¥ 0.8623
500+： ¥ 0.8321
1000+： ¥ 0.8178
合计总额： ¥ 2.2273
TP65H035G4WS
TP65H035G4WS
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： Transphorm
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) Transphorm TO-247 650V 46.5A 41mΩ@30A,10V 156W 4.8V@1mA N沟道 1.5nF@400V 22nC@0V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 46.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 41mΩ@30A,10V
功率(Pd)： 156W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.8V@1mA
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.5nF@400V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 22nC@0V
工作温度： -55℃~+150℃
0
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 13.8712
200+： ¥ 5.3678
500+： ¥ 5.18
1000+： ¥ 5.0862
合计总额： ¥ 13.8712
回到顶部

联系我们

工作时间：周一至周五（09:00 ~ 18:00）

客服时间：周一至周日（08:00 ~ 22:00）

客服微信

芯贸网客服微信

Copyright © 2024 - 2024 www.xinmaoic.com 版权所有 芯贸网 粤ICP备2022138699号-3