芯贸网 - 电子元器件现货平台
您好，
会员套餐 广告服务
  • 全部分类
    • 电容/电阻/电感
    • 微控制器/逻辑器件
    • 二极管/晶体管
    • 板级电路保护/电源管理
    • 接口芯片/时钟和计时
    • 连接器/开关
    • 数据转换芯片/射频无线
    • 光电器件/显示模块
    • 滤波器/晶体/振荡器
    • 存储器/传感器/隔离器件
    • 继电器/蜂鸣器/马达
    • 功能模块/通信模块
    • 放大器/开发板
  • 首页
  • 芯片/元器件
  • 品牌专区
首页 品牌列表 AGM-Semi(芯控源)

AGM-Semi(芯控源)

网址：http://www.agm-mos.com/
深圳市芯控源电子科技有限公司成立于2015年01月28日，注册地位于深圳市龙岗区坂田街道万科城社区新天下百瑞达大厦A座办公楼15F1501号房，法定代表人为丘展富。经营范围包括一般经营项目是：货物及技术进出口；经营电子商务；国内贸易（不含专营、专卖、专控商品）；经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）；机械设备、五金产品、电子产品批发、销售；首饰、工艺品（象牙及其制品除外）销售；机械设备、五金产品、电子产品类:计算机、软件及辅助设备的销售；机械设备、五金产品、电子产品、通讯设备的销售；无线电及外部设备、网络游戏、多媒体产品的系统集成及无线数据产品（不含限制项目）的销售；无线接入设备、GSM与CDMA无线直放站设备的销售；信息传输、软件和信息技术服务；计算机软件、信息系统软件的开发、销售；信息系统设计、集成、运行维护；信息技术咨询；集成电路设计、研发。
类目：
  • 全部
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • SOT-523
  • SOT23-3
  • WQFN3x3
  • -
  • TOLL-8
  • SOT-23-6
  • WQFN3.3x3.3
  • DFN(3.3x3.3)
  • TO-252-4
  • SOP8
  • PDFN(3x3)
  • WQFN5x6
  • WQFN(3x3)
  • WQFN-8(5x6)
  • WQFN-8-EP(3.3x3.3)
  • QFN(5x6)
  • PDFN-8L(3.3x3.3)
  • DFN(3x3)
  • DFN(5x6)
  • TSSOP-8
  • SOT-23-6L
  • DFN3.3x3.3
  • TO-247
  • DFN(2x2)
  • DFN3x3
  • TO-251
  • T0-247
  • TOLL
  • DFN-6(2x2)
  • DFN-8(2x2)
  • PDFN3x3
  • SOT-223
  • SOT-89
  • SOT-23
  • PDFN(3.3x3.3)
  • SOP-8
  • PDFN-8(3.3x3.3)
  • PDFN-8(5x6)
  • PDFN-8L(5x6)
  • TO-220F
  • DFN5x6
  • TO-220C
  • PDFN(5x6)
  • PDFN5x6
  • TO-220
  • TO-263
  • SOT-23-3
  • TO-252
  • PDFN3.3x3.3
  • TOLL-8L
当前 “AGM-Semi(芯控源)” 共502件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度（含税价格）

数量

操作

AGMS5N50D
AGMS5N50D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-252 500V 5A 1.4Ω@10V,2.5A 24.5W 3.2V@250uA 1个N沟道 13nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.4Ω@10V,2.5A
功率(Pd)： 24.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.2V@250uA
类型： 1个N沟道
栅极电荷(Qg@Vgs)： 13nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
95
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.6161
50+： ¥ 0.6017
150+： ¥ 0.5921
合计总额： ¥ 3.0805
AGMH606H
AGMH606H
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-263
无
100
最小包：800
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.95
10+： ¥ 1.91
30+： ¥ 1.88
100+： ¥ 1.85
合计总额： ¥ 1.9500
AGMH6035D
AGMH6035D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-252 60V 125A 119W 3.6mΩ@10V,20A 2.9V@250uA 1个N沟道 2.862nF@30V 47nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 125A
功率(Pd)： 119W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.6mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.9V@250uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.862nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 47nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
190
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.53
10+： ¥ 2.05
30+： ¥ 1.84
100+： ¥ 1.59
合计总额： ¥ 2.5300
AGMH603H
AGMH603H
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-263 60V 180A 2.5mΩ@10V,20A 222W 2.8V@250uA 1个N沟道 93nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 180A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.5mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 222W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.8V@250uA
类型： 1个N沟道
栅极电荷(Qg@Vgs)： 93nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
8
最小包：800
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.44
10+： ¥ 2.87
30+： ¥ 2.58
合计总额： ¥ 3.4400
AGMH605C
AGMH605C
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-220 68V 105A 114W 4.7mΩ@10V,20A 2.8V@250uA 1个N沟道 1.79nF@30V 26nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 68V
连续漏极电流(Id)： 105A
功率(Pd)： 114W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.7mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.8V@250uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.79nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 26nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.48
10+： ¥ 1.45
50+： ¥ 1.43
100+： ¥ 1.4
合计总额： ¥ 1.4800
AGMH606C
AGMH606C
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-220 68V 80A 6.6mΩ@10V,30A 147W 3V@250uA 1个N沟道 4nF@25V 35nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 68V
连续漏极电流(Id)： 80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.6mΩ@10V,30A
功率(Pd)： 147W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 35nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
85
最小包：50
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.7197
50+： ¥ 1.3837
150+： ¥ 1.2397
合计总额： ¥ 8.5985
AGMH6080H
AGMH6080H
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-263 60V 66A 6.2mΩ@10V,20A 78W 1个N沟道 2.71nF@50V 55.6nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 66A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.2mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 78W
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.71nF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 55.6nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
95
最小包：800
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.4
10+： ¥ 1.37
30+： ¥ 1.35
合计总额： ¥ 1.4000
AGMH612D
AGMH612D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-252 60V 58A 73W 10.5mΩ@10V,20A 2.8V@250uA 1个N沟道 2.97nF@30V 60nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 58A
功率(Pd)： 73W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 10.5mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.8V@250uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.97nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 60nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
430
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.6155
50+： ¥ 0.6017
150+： ¥ 0.5925
合计总额： ¥ 3.0775
AGMH614C
AGMH614C
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-220 60V 50A 11mΩ@10V,20A 66W 2.8V@250uA 1个N沟道 1.72nF@30V 38nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 11mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 66W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.8V@250uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.72nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 38nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
100
最小包：50
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.9777
50+： ¥ 1.5913
150+： ¥ 1.4257
合计总额： ¥ 9.8885
AGMH614H
AGMH614H
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-263 60V 50A 11mΩ@10V,20A 66W 2.8V@250uA 1个N沟道 1.72nF@30V 38nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 11mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 66W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.8V@250uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.72nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 38nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
45
最小包：800
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.1659
50+： ¥ 1.1394
150+： ¥ 1.1217
合计总额： ¥ 5.8295
AGML315ME
AGML315ME
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) SOT-23-6L 30V 5.6A;4.2A 1.28W 25mΩ@10V,4A;43mΩ@-10V,-4A 900mV@250uA 1个N沟道+1个P沟道 630pF@15V;750pF@-15V 17nC@10V;8nC@-10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 5.6A;4.2A
功率(Pd)： 1.28W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 25mΩ@10V,4A;43mΩ@-10V,-4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 900mV@250uA
类型： 1个N沟道+1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 630pF@15V;750pF@-15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 17nC@10V;8nC@-10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
190
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.431
100+： ¥ 0.351
300+： ¥ 0.311
合计总额： ¥ 4.3100
AGMH70N90H
AGMH70N90H
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-263 65V 91A 89W 4.3mΩ@10V,40A 1个N沟道 5.624nF@30V 91nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 65V
连续漏极电流(Id)： 91A
功率(Pd)： 89W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.3mΩ@10V,40A
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 5.624nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 91nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
100
最小包：800
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.97
10+： ¥ 1.92
30+： ¥ 1.89
100+： ¥ 1.86
合计总额： ¥ 1.9700
AGMH70N90C
AGMH70N90C
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-220 65V 91A 89W 4.3mΩ@10V,20A 1个N沟道 5.624nF@30V 91nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 65V
连续漏极电流(Id)： 91A
功率(Pd)： 89W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.3mΩ@10V,20A
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 5.624nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 91nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
100
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.27
10+： ¥ 2.69
50+： ¥ 2.41
100+： ¥ 2.12
合计总额： ¥ 3.2700
AGMH70N70C
AGMH70N70C
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-220 68V 69A 103W 6.9mΩ@10V,40A 1个N沟道 2.71nF@30V 56nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 68V
连续漏极电流(Id)： 69A
功率(Pd)： 103W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.9mΩ@10V,40A
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.71nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 56nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
100
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.26
10+： ¥ 1.82
50+： ¥ 1.63
100+： ¥ 1.4
合计总额： ¥ 2.2600
AGMH614D
AGMH614D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-252 60V 50A 11mΩ@10V,20A 66W 2.8V@250uA 1个N沟道 1.72nF@25V 38nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 11mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 66W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.8V@250uA
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.72nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 38nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
80
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.6901
50+： ¥ 0.674
150+： ¥ 0.6632
合计总额： ¥ 3.4505
AGMH70N70D
AGMH70N70D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-252 68V 80A 103W 6.8mΩ@10V,40A 1个N沟道 2.71nF@30V 56nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 68V
连续漏极电流(Id)： 80A
功率(Pd)： 103W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.8mΩ@10V,40A
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.71nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 56nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
100
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.8521
50+： ¥ 0.8319
150+： ¥ 0.8185
合计总额： ¥ 4.2605
AGMH12H05H
AGMH12H05H
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-263 120V 125A 4.3mΩ@10V,20A 208W 3V@250uA 1个N沟道 61nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 120V
连续漏极电流(Id)： 125A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.3mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 208W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
类型： 1个N沟道
栅极电荷(Qg@Vgs)： 61nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
46
最小包：800
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.19
10+： ¥ 3.12
30+： ¥ 3.07
合计总额： ¥ 3.1900
AGMH065N10A
AGMH065N10A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： PDFN-8(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) PDFN-8(5x6)
无
40
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.77
10+： ¥ 1.73
30+： ¥ 1.71
合计总额： ¥ 1.7700
AGMH12N10C
AGMH12N10C
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-220 100V 55A 96W 9.6mΩ@10V,20A 3V@250uA 1个N沟道 21.8nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 55A
功率(Pd)： 96W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 9.6mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
类型： 1个N沟道
栅极电荷(Qg@Vgs)： 21.8nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
30
最小包：50
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 2.1996
50+： ¥ 1.7796
150+： ¥ 1.5996
合计总额： ¥ 10.9980
AGMH12N10D
AGMH12N10D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： AGM-Semi(芯控源)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) AGM-Semi(芯控源) TO-252 100V 65A 96W 9.6mΩ@10V,20A 3V@250uA 1个N沟道 21.8nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 65A
功率(Pd)： 96W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 9.6mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
类型： 1个N沟道
栅极电荷(Qg@Vgs)： 21.8nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
50
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.0584
50+： ¥ 1.0359
150+： ¥ 1.0209
合计总额： ¥ 5.2920
回到顶部

联系我们

工作时间：周一至周五（09:00 ~ 18:00）

客服时间：周一至周日（08:00 ~ 22:00）

客服微信

芯贸网客服微信

Copyright © 2024 - 2024 www.xinmaoic.com 版权所有 芯贸网 粤ICP备2022138699号-3