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首页 品牌列表 ALLPOWER(铨力)

ALLPOWER(铨力)

网址：http://www.all-power.net
深圳铨力半导体有限公司成立于2016年，是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自中国台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英，公司总部坐落于中国深圳，在韩国和广州设有分公司。 铨力依靠专业的自主研发能力和先进的制造能力，为行业提供了超400KK/年的性能卓越的半导体产品，现有产品包括中低压MOSFET、AC-DC电源管理芯片等，铨力已经成为电脑、网通、消费性产品、手机、电池等行业长期合作伙伴，产品远销国内外。 我们始终坚持主动了解客户需求，通过不断研发创新，竭诚为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品和解决方案，为客户的成功提供强力支撑。
类目：
  • 全部
  • MEMS麦克风
  • 线性稳压器(LDO)
  • 温度传感器
  • 电池管理
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • DFN-6(2x2)
  • DFN-8-EP(3.2x3.1)
  • SO-8
  • SMD-4P,2.2x3.8mm
  • SMD-4P,1.9x2.8mm
  • SMD-3P,1.9x2.8mm
  • TO-252-2
  • TO-46
  • SMD,2.75x1.85x0.9mm
  • TDSON-8(5.2x5.9)
  • PMPAK(3x3)
  • DFN-8(3.3x3.3)
  • SOP-8-EP
  • TSOT-23-6
  • DFN-3L(0.6x1)
  • DFN-8(4.9x5.8)
  • SOT-23-3L
  • SOT-23-8
  • SOT-23-5
  • DFN-4(1x1)
  • DFN-8(3x3)
  • TSSOP-8
  • SOT-23(TO-236)
  • DFN-8(5x6)
  • PDFN5x6
  • SOT-23-6
  • PQFN2x2
  • SOT-89
  • TO-220F
  • PDFN-8(5x6)
  • SOT-23
  • SOT-523
  • SOT23-3
  • SOT-23-3
  • PDFN5x6-8L
  • TO-252-4
  • PDFN3x3
  • PDFN-8L(3.3x3.3)
  • PDFN3x3-8L
  • TO-251
  • PDFN-8L(5x6)
  • TO-263
  • PDFN-8(3x3)
  • PDFN(5x6)
  • DFN-3(1x0.6)
  • PDFN-8L(3x3)
  • TO-220
  • SOP-8
  • TO-252
  • TO-220C
  • PDFN5X6-D
  • PMPAK(5x6)
当前 “ALLPOWER(铨力)” 共240件相关型号
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操作

APP540
APP540
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) TO-220 100V 33A 33mΩ@20V,33A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 33A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 33mΩ@20V,33A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
388
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.52
10+： ¥ 1.86
50+： ¥ 1.58
100+： ¥ 1.422
合计总额： ¥ 2.5200
APP50N06
APP50N06
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) TO-220 60V 50A 18mΩ@20V,50A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 18mΩ@20V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
277
最小包：50
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 2.16
50+： ¥ 1.6
150+： ¥ 1.35
500+： ¥ 1.215
合计总额： ¥ 10.8000
APM9435
APM9435
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) SOP-8 30V 5.3A 50mΩ@20V,5.3A 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 5.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 50mΩ@20V,5.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个P沟道
34
最小包：4000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.4788
100+： ¥ 0.4028
300+： ¥ 0.3648
1000+： ¥ 0.3363
4000+： ¥ 0.2565
8000+： ¥ 0.2451
合计总额： ¥ 4.7880
APG250N01Q
APG250N01Q
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN3x3-8L
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN3x3-8L 100V 25A 20mΩ@20V,25A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 25A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 20mΩ@20V,25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
18500
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.2653
50+： ¥ 1.2146
150+： ¥ 1.1929
500+： ¥ 1.1658
2500+： ¥ 0.7615
5000+： ¥ 0.7543
合计总额： ¥ 6.3265
APG095N01
APG095N01
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： TO-220C
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) TO-220C 100V 65A 8mΩ@20V,65A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 65A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 8mΩ@20V,65A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
289
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.08
10+： ¥ 2.27
50+： ¥ 1.92
合计总额： ¥ 3.0800
APG080N12
APG080N12
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) TO-220 120V 106A 6.5mΩ@20V,106A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 120V
连续漏极电流(Id)： 106A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.5mΩ@20V,106A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
112
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.74
10+： ¥ 3.63
50+： ¥ 3.08
100+： ¥ 2.772
合计总额： ¥ 4.7400
APG070N12G
APG070N12G
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN-8(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN-8(5x6) 120V 90A 6mΩ@20V,90A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 120V
连续漏极电流(Id)： 90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6mΩ@20V,90A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
4786
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.02
10+： ¥ 3.69
合计总额： ¥ 5.0200
APG032N04G
APG032N04G
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN5x6
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN5x6
无
0
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.1583
50+： ¥ 1.1312
150+： ¥ 1.1132
500+： ¥ 1.0951
合计总额： ¥ 5.7915
APG013N04G
APG013N04G
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN-8L(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN-8L(5x6) 40V 160A 1.1mΩ@20V,160A 1.6V@250uA 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 160A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.1mΩ@20V,160A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.6V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
工作温度： -
2154
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.06
10+： ¥ 2.66
30+： ¥ 2.46
100+： ¥ 2.25
合计总额： ¥ 3.0600
APG020N01GD
APG020N01GD
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN5X6-D
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN5X6-D 100V 25A 15mΩ@20V,25A 2个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 25A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 15mΩ@20V,25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 2个N沟道
2128
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.0172
10+： ¥ 1.9024
30+： ¥ 1.8532
100+： ¥ 1.7876
500+： ¥ 1.2054
1000+： ¥ 1.189
合计总额： ¥ 2.0172
APG024N04G
APG024N04G
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN-8L(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN-8L(5x6) 40V 120A 2mΩ@20V,120A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2mΩ@20V,120A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
2513
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.68
10+： ¥ 1.95
30+： ¥ 1.64
100+： ¥ 1.25
合计总额： ¥ 2.6800
APG028N10
APG028N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： TO-220C
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) TO-220C 100V 210A 2.2mΩ@20V,210A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 210A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.2mΩ@20V,210A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
160
最小包：500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 10.6305
10+： ¥ 8.2935
30+： ¥ 7.011
100+： ¥ 5.5575
合计总额： ¥ 10.6305
APG035N04Q
APG035N04Q
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN-8L(3x3)
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN-8L(3x3) 40V 70A 2.8mΩ@20V,70A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 70A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.8mΩ@20V,70A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
2663
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.6319
10+： ¥ 1.4817
30+： ¥ 1.4174
100+： ¥ 1.3371
500+： ¥ 1.3013
1000+： ¥ 0.9295
合计总额： ¥ 1.6319
APG054N10
APG054N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) TO-220 100V 120A 4.5mΩ@20V,120A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.5mΩ@20V,120A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
6
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.1635
10+： ¥ 2.6315
50+： ¥ 2.356
100+： ¥ 2.0995
500+： ¥ 1.862
1000+： ¥ 1.786
合计总额： ¥ 3.1635
APG068N04Q
APG068N04Q
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN3x3-8L
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN3x3-8L 40V 54A 5.7mΩ@20V,54A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 54A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.7mΩ@20V,54A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
0
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.9267
50+： ¥ 0.7794
150+： ¥ 0.7163
500+： ¥ 0.6375
合计总额： ¥ 4.6335
APG068N04G
APG068N04G
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN5x6-8L
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN5x6-8L 40V 50A 5.7mΩ@20V,50A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.7mΩ@20V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
5668
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.5755
10+： ¥ 1.1455
30+： ¥ 0.9612
100+： ¥ 0.7313
合计总额： ¥ 1.5755
APG054N10D
APG054N10D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) TO-263 100V 120A 4.5mΩ@20V,120A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.5mΩ@20V,120A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
533
最小包：800
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.82
10+： ¥ 2.86
30+： ¥ 2.38
100+： ¥ 1.91
合计总额： ¥ 3.8200
APG038N01G
APG038N01G
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN5x6
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN5x6 100V 104A 3.1mΩ@20V,104A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 104A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.1mΩ@20V,104A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
4665
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.11
10+： ¥ 3.91
30+： ¥ 3.32
合计总额： ¥ 5.1100
APG050N85D
APG050N85D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) TO-263 85V 135A 4.5mΩ@20V,135A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 135A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.5mΩ@20V,135A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
294
最小包：800
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.47
10+： ¥ 2.66
30+： ¥ 2.25
合计总额： ¥ 3.4700
APG011N03G
APG011N03G
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ALLPOWER(铨力)
封装： PDFN-8(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) ALLPOWER(铨力) PDFN-8(5x6) 30V 180A 0.9mΩ@20V,180A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 180A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 0.9mΩ@20V,180A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
类型： 1个N沟道
2445
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.02
10+： ¥ 2.56
30+： ¥ 2.33
合计总额： ¥ 3.0200
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