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首页 品牌列表 ANHI(安海)

ANHI(安海)

网址：http://www.anhisemi.com
2019年12月接受济南市政府投资1.8亿元。 海外实验室：美国加州圣何塞 主营业务： 功率器件产品及模块的设计与生产、工艺开发、销售以及技术服务 在山东科达量产国内第一款商业化的IGBT单管产品 功率器件： MOSFET/ 超结 MOSFET/IGBT/SIC MOSFET 持有沟槽 SiC MOSFET 功率芯片关键专利 自主知识产权之工艺器件技术和产品技术 服务国内新能源，动力系统驱动及能源转换行业 提供从分立器件到模组级解决方案 构建国内首个专注于高效能第三代功率半导体公 司，做高压、特高压功率器件全球最先进的公司。
类目：
  • 全部
  • IGBT管/模块
  • 碳化硅场效应管(MOSFET)
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • DFN-8(5x6)
  • DFN(5x6)
  • TOLL
  • TO-247-4L
  • TO-220
  • TO-263-7L
  • TO-247-3L
  • TO-247
  • TO-251
  • TOLL-8L
  • DFN-8(8x8)
  • DFN8x8
  • SOT223-2L
  • TO-252
  • TO-263
  • TO-220F
当前 “ANHI(安海)” 共100件相关型号
  • 综合
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操作

AUW033N08BG
AUW033N08BG
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-247-3L
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-247-3L 85V 160A 340W 3.3mΩ 3V 43.4pF 7.463nF 109nC -55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 160A
功率(Pd)： 340W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.3mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V
反向传输电容(Crss@Vds)： 43.4pF
输入电容(Ciss@Vds)： 7.463nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 109nC
工作温度： -55℃~+175℃
972
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.27
10+： ¥ 5.39
30+： ¥ 4.91
90+： ¥ 4.47
510+： ¥ 4.179999
合计总额： ¥ 6.2700
AUR020N085
AUR020N085
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TOLL
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TOLL 85V 247A 275W 1.8mΩ 3.5V 350pF 1个N沟道 11nF 152nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 247A
功率(Pd)： 275W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.8mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.5V
反向传输电容(Crss@Vds)： 350pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 11nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 152nC
工作温度： -55℃~+150℃
307
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 9.39
10+： ¥ 7.93
30+： ¥ 7.13
100+： ¥ 6.22
合计总额： ¥ 9.3900
AUP065N10
AUP065N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-220 100V 76A 160W 7.9mΩ 2V 64pF 1个N沟道 3.729nF 67nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 76A
功率(Pd)： 160W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7.9mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2V
反向传输电容(Crss@Vds)： 64pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.729nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 67nC
工作温度： -55℃~+150℃
950
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.63
10+： ¥ 2.99
50+： ¥ 2.67
100+： ¥ 2.35
500+： ¥ 2.16
合计总额： ¥ 3.6300
AUR030N10
AUR030N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TOLL
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TOLL 100V 214A 330W 2.8mΩ 3V 280pF 1个N沟道 10nF 138nC -55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 214A
功率(Pd)： 330W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.8mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V
反向传输电容(Crss@Vds)： 280pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 10nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 138nC
工作温度： -55℃~+175℃
491
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.66
10+： ¥ 5.53
30+： ¥ 5.44
100+： ¥ 5.35
合计总额： ¥ 5.6600
AUR020N10
AUR020N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TOLL-8L
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TOLL-8L
无
400
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.06
10+： ¥ 5.92
30+： ¥ 5.83
100+： ¥ 5.74
合计总额： ¥ 6.0600
AUP049N10
AUP049N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-220 100V 136A 161W 4.2mΩ 3.5V 15.3pF 1个N沟道 3.864nF 60.7nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 136A
功率(Pd)： 161W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.2mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.5V
反向传输电容(Crss@Vds)： 15.3pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.864nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 60.7nC
工作温度： -55℃~+150℃
550
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.56
10+： ¥ 3.75
50+： ¥ 3.35
100+： ¥ 2.95
500+： ¥ 2.71
合计总额： ¥ 4.5600
AUR014N10
AUR014N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TOLL
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TOLL 100V 395A 313W 1.2mΩ 3V 389pF 13nF 231nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 395A
功率(Pd)： 313W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.2mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V
反向传输电容(Crss@Vds)： 389pF
输入电容(Ciss@Vds)： 13nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 231nC
工作温度： -55℃~+150℃
1973
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 17.31
10+： ¥ 15.08
30+： ¥ 13.75
100+： ¥ 12.41
500+： ¥ 11.79
1000+： ¥ 11.51
合计总额： ¥ 17.3100
AUP074N10
AUP074N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-220 100V 123A 175W 7.4mΩ 2.9V 14.6pF 3.68nF 60.7nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 123A
功率(Pd)： 175W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7.4mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.9V
反向传输电容(Crss@Vds)： 14.6pF
输入电容(Ciss@Vds)： 3.68nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 60.7nC
工作温度： -55℃~+150℃
921
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.95
10+： ¥ 2.43
50+： ¥ 2.2
100+： ¥ 1.98
500+： ¥ 1.83
合计总额： ¥ 2.9500
AUP062N08BG
AUP062N08BG
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-220 85V 60A 30W 6.2mΩ 3V 24.24pF 3.73nF 55.7nC -55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 60A
功率(Pd)： 30W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.2mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V
反向传输电容(Crss@Vds)： 24.24pF
输入电容(Ciss@Vds)： 3.73nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 55.7nC
工作温度： -55℃~+175℃
990
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.65
10+： ¥ 2.18
50+： ¥ 1.98
100+： ¥ 1.78
500+： ¥ 1.65
合计总额： ¥ 2.6500
AUP060N055
AUP060N055
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-220 55V 125A 120W 4.3mΩ 3.5V 124.3pF 1个N沟道 3.803nF 53.5nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 55V
连续漏极电流(Id)： 125A
功率(Pd)： 120W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.3mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.5V
反向传输电容(Crss@Vds)： 124.3pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.803nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 53.5nC
工作温度： -55℃~+150℃
938
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.58
10+： ¥ 2.95
50+： ¥ 2.63
100+： ¥ 2.32
500+： ¥ 2.13
合计总额： ¥ 3.5800
AUP056N08BGL
AUP056N08BGL
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-220 85V 65A 4.9mΩ 158W 2.1V 107.1pF 1个N沟道 4.553nF 63.7nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 65A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.9mΩ
功率(Pd)： 158W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.1V
反向传输电容(Crss@Vds)： 107.1pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.553nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 63.7nC
工作温度： -55℃~+150℃
1000
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.7
10+： ¥ 3.05
50+： ¥ 2.72
100+： ¥ 2.4
500+： ¥ 2.21
1000+： ¥ 2.11
合计总额： ¥ 3.7000
AUP052N085
AUP052N085
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-220 85V 119A 5.2mΩ 183W 3V 5.5pF 4.587nF 5.2nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 119A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.2mΩ
功率(Pd)： 183W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V
反向传输电容(Crss@Vds)： 5.5pF
输入电容(Ciss@Vds)： 4.587nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 5.2nC
工作温度： -55℃~+150℃
975
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.01
10+： ¥ 2.53
50+： ¥ 2.29
100+： ¥ 2.11
500+： ¥ 1.94
合计总额： ¥ 3.0100
AUP039N10
AUP039N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-220 100V 125A 151W 3.6mΩ 1.8V 83pF 1个N沟道 3.562nF 65nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 125A
功率(Pd)： 151W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.6mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.8V
反向传输电容(Crss@Vds)： 83pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.562nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 65nC
工作温度： -55℃~+150℃
437
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.21
10+： ¥ 3.47
50+： ¥ 3.1
100+： ¥ 2.73
合计总额： ¥ 4.2100
AUP033N08BG
AUP033N08BG
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-220 85V 160A 370W 3.3mΩ 3V 43.4pF 7.463nF 109nC -55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 160A
功率(Pd)： 370W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.3mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V
反向传输电容(Crss@Vds)： 43.4pF
输入电容(Ciss@Vds)： 7.463nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 109nC
工作温度： -55℃~+175℃
177
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.32
10+： ¥ 3.65
50+： ¥ 3.31
100+： ¥ 3.06
合计总额： ¥ 4.3200
AUN050N08BGL
AUN050N08BGL
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： DFN(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) DFN(5x6) 85V 65A 151W 4.3mΩ 2.1V 107.1pF 1个N沟道 4.553nF 63.7nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 65A
功率(Pd)： 151W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.3mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.1V
反向传输电容(Crss@Vds)： 107.1pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.553nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 63.7nC
工作温度： -55℃~+150℃
3021
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.7
10+： ¥ 3.05
30+： ¥ 2.72
100+： ¥ 2.4
500+： ¥ 2.21
1000+： ¥ 2.11
合计总额： ¥ 3.7000
AUN060N08AG
AUN060N08AG
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： DFN-8(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) DFN-8(5x6) 80V 60A 74W 6mΩ 2.95V 24.24pF 3.73nF 55.7nC -55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)： 80V
连续漏极电流(Id)： 60A
功率(Pd)： 74W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.95V
反向传输电容(Crss@Vds)： 24.24pF
输入电容(Ciss@Vds)： 3.73nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 55.7nC
工作温度： -55℃~+175℃
4123
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.32
10+： ¥ 1.91
30+： ¥ 1.73
100+： ¥ 1.56
500+： ¥ 1.44
1000+： ¥ 1.37
合计总额： ¥ 2.3200
AUN063N10
AUN063N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： DFN-8(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) DFN-8(5x6) 100V 123A 151W 6.3mΩ 2.9V 14.6pF 3.68nF 60.7nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 123A
功率(Pd)： 151W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.3mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.9V
反向传输电容(Crss@Vds)： 14.6pF
输入电容(Ciss@Vds)： 3.68nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 60.7nC
工作温度： -55℃~+150℃
2527
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.74
10+： ¥ 2.28
30+： ¥ 2.05
100+： ¥ 1.87
500+： ¥ 1.71
1000+： ¥ 1.63
合计总额： ¥ 2.7400
AUN065N10
AUN065N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： DFN-8(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) DFN-8(5x6) 100V 76A 91W 6.5mΩ 2V 64pF 3.729nF 67nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 76A
功率(Pd)： 91W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.5mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2V
反向传输电容(Crss@Vds)： 64pF
输入电容(Ciss@Vds)： 3.729nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 67nC
工作温度： -55℃~+150℃
4752
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.25
10+： ¥ 2.73
30+： ¥ 2.47
100+： ¥ 2.28
500+： ¥ 2.09
1000+： ¥ 2
合计总额： ¥ 3.2500
AUN084N10
AUN084N10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： DFN-8(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) DFN-8(5x6) 100V 68A 66W 8.4mΩ 2V 30pF 1.93nF 41.7nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 68A
功率(Pd)： 66W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 8.4mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2V
反向传输电容(Crss@Vds)： 30pF
输入电容(Ciss@Vds)： 1.93nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 41.7nC
工作温度： -55℃~+150℃
4952
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.04
10+： ¥ 2.56
30+： ¥ 2.32
100+： ¥ 2.13
500+： ¥ 1.96
1000+： ¥ 1.87
合计总额： ¥ 3.0400
AUP026N085
AUP026N085
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： ANHI(安海)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) ANHI(安海) TO-220 85V 247A 2.1mΩ 275W 3V 350pF 1个N沟道 11nF 152nC -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 247A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.1mΩ
功率(Pd)： 275W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V
反向传输电容(Crss@Vds)： 350pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 11nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 152nC
工作温度： -55℃~+150℃
280
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 7.47
10+： ¥ 6.3
50+： ¥ 5.66
100+： ¥ 4.94
合计总额： ¥ 7.4700
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