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首页 品牌列表 APM(永源微电子)

APM(永源微电子)

网址：http://www.apm-mos.com
深圳市永源微电子科技有限公司，前身为中国台湾汉磊科技有限公司全资子公司，于2017年独立。目前在深圳，分别设立了研发机构，是一家集研发、生产、销售为一体的半导体研发设计公司。公司从2017年开始就致力于集成电路和功率器件的研发与生产，目前在中山拥有自主可控的4条封装线，和多大1700款产品在销售。目前工厂满足16949和ISO9001等质量认证体系，APM自主品牌产品，满足Rosh Reach 卤素和高可靠性AECQ101认证。永源微电子是一家致力于提供最具备性价比的半导体集成电路设计公司。
类目：
  • 全部
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • TO-220F-3
  • TDSON-8-EP(6x5)
  • DFN-8L(5x6)
  • SOT-89-3
  • DFN-5(5.1x6.1)
  • TO-220F-3L
  • PDFN-8L(5x6)
  • SOT-23-6L
  • PDFN-8(3.3x3.3)
  • TO-251-3
  • TO-251
  • TO-252
  • PDFN-8L(3x3)
  • DFN-8(5x6)
  • PDFN-8(3x3.1)
  • PDFN3333-8
  • SOT-23L
  • SOT-23-3L
  • TO-247-3
  • SOT-89-3L
  • DFN-6L(2x2)
  • PQFN-6-EP(2x2)
  • PDFN-8(5x6)
  • DFN-8-EP(5x5.8)
  • TO-252-3L
  • DFN-8(4.9x5.8)
  • TO-263
  • TO-220
  • TO-220-3L
  • PDFN-8(5x5.8)
  • TO-252-3
  • SOT-223-3
  • SOP-8
  • TO-252-2
  • SOT-23
当前 “APM(永源微电子)” 共142件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度（含税价格）

数量

操作

APJ14N65F
APJ14N65F
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) TO-220F-3
无
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.85
10+： ¥ 3.23
50+： ¥ 2.14
100+： ¥ 1.81
500+： ¥ 1.67
1000+： ¥ 1.58
合计总额： ¥ 3.8500
APJ14N65D
APJ14N65D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： TO-252-3
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) TO-252-3 650V 8A 25.5W 560mΩ@10V,3.2A 3.3V@250uA 1.32pF@100V 1个N沟道 438pF@100V 11nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 8A
功率(Pd)： 25.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 560mΩ@10V,3.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 1.32pF@100V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 438pF@100V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 11nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.95
10+： ¥ 1.9
30+： ¥ 1.87
合计总额： ¥ 1.9500
APG60N10NF
APG60N10NF
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： TDSON-8-EP(6x5)
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) TDSON-8-EP(6x5)
无
5
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.76
10+： ¥ 1.72
30+： ¥ 1.69
100+： ¥ 1.67
合计总额： ¥ 1.7600
APG60N10D
APG60N10D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： TO-252-3
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) TO-252-3 100V 60A 8mΩ@10V,10A 125W 2.5V@250uA 6.5pF@50V 1个N沟道 2.604nF@50V 49.9nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 8mΩ@10V,10A
功率(Pd)： 125W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 6.5pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.604nF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 49.9nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.14
10+： ¥ 2.1
30+： ¥ 2.08
100+： ¥ 2.06
合计总额： ¥ 2.1400
APG40N10NF
APG40N10NF
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： DFN-8L(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) DFN-8L(5x6)
无
1
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.1986
10+： ¥ 1.1709
30+： ¥ 1.1525
100+： ¥ 1.134
合计总额： ¥ 1.1986
APG40N10D
APG40N10D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： TO-252-3
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) TO-252-3
无
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.4142
10+： ¥ 1.3889
30+： ¥ 1.3721
100+： ¥ 1.3552
合计总额： ¥ 1.4142
APG130N06NF
APG130N06NF
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： PDFN-8(5x5.8)
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) PDFN-8(5x5.8) 60V 130A 2.5mΩ@10V,20A 140W 2.5V@250uA 77.7pF@25V 1个N沟道 5.377nF@25V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 130A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.5mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 140W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 77.7pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 5.377nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.31
10+： ¥ 4.3
30+： ¥ 3.79
100+： ¥ 3.28
500+： ¥ 2.98
1000+： ¥ 2.83
合计总额： ¥ 5.3100
APG130N06D
APG130N06D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： TO-252-3L
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) TO-252-3L 60V 130A 140W 3mΩ@10V,20A 2.5V@250uA 77.7pF@25V 1个N沟道 5.377nF@25V 66.1nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 130A
功率(Pd)： 140W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 77.7pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 5.377nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 66.1nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.27
10+： ¥ 4.26
30+： ¥ 3.76
100+： ¥ 3.26
500+： ¥ 2.96
1000+： ¥ 2.8
合计总额： ¥ 5.2700
APG110N10NF
APG110N10NF
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： DFN-8(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) DFN-8(5x6) 100V 110A 113.6W 4.2mΩ@10V,20A 1.8V@250uA 20pF@50V 1个N沟道 4.4nF@50V 75nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 110A
功率(Pd)： 113.6W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.2mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.8V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 20pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.4nF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 75nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.61
10+： ¥ 3.89
30+： ¥ 3.53
100+： ¥ 3.18
500+： ¥ 2.22
1000+： ¥ 2.11
合计总额： ¥ 4.6100
AP9N20D
AP9N20D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： TO-252-3L
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) TO-252-3L 200V 9A 230mΩ@10V,4.5A 74W 1.6V@250uA 37pF@25V 1个N沟道 684pF@25V 23nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 230mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)： 74W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.6V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 37pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 684pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 23nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.7669
50+： ¥ 0.7494
150+： ¥ 0.7377
500+： ¥ 0.7259
合计总额： ¥ 3.8345
AP9926A
AP9926A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) SOP-8
无
0
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.270528
50+： ¥ 0.263616
150+： ¥ 0.259008
500+： ¥ 0.2544
合计总额： ¥ 1.3526
AP9435A
AP9435A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) SOP-8 30V 6A 2.15W 43mΩ@10V,5A 1.6V@250uA 68pF@15V 1个P沟道 596pF@15V 6.8nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 6A
功率(Pd)： 2.15W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 43mΩ@10V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.6V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 68pF@15V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 596pF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 6.8nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.239463
100+： ¥ 0.233933
300+： ¥ 0.230247
1000+： ¥ 0.22656
合计总额： ¥ 2.3946
AP90P01D
AP90P01D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： TO-252-2
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) TO-252-2
无
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.367
10+： ¥ 1.3411
30+： ¥ 1.3239
100+： ¥ 1.3067
合计总额： ¥ 1.3670
AP90N06P
AP90N06P
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： TO-220-3L
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) TO-220-3L 60V 90A 5.8mΩ@10V,30A 108W 3V@250uA 257pF@30V 1个N沟道 4.136nF@30V 90nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.8mΩ@10V,30A
功率(Pd)： 108W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 257pF@30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.136nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 90nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.05
10+： ¥ 2.4
50+： ¥ 2.13
100+： ¥ 1.78
500+： ¥ 1.63
1000+： ¥ 1.54
合计总额： ¥ 3.0500
AP90N02NF
AP90N02NF
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： PDFN-8(5x5.8)
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) PDFN-8(5x5.8) 20V 90A 1.6mΩ@10V,20A 83W 680mV@250uA 321pF@10V 1个N沟道 4.307nF@10V 77nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.6mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 83W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 680mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 321pF@10V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.307nF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 77nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.1632
10+： ¥ 1.1361
30+： ¥ 1.1179
100+： ¥ 1.0998
合计总额： ¥ 1.1632
AP8N06SI
AP8N06SI
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： SOT-89-3
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) SOT-89-3 60V 8.5A 1.2W 28mΩ@10V,10A 1.6V@250uA 49.4pF@25V 1个N沟道 1.148nF@25V 20.3nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 8.5A
功率(Pd)： 1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 28mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.6V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 49.4pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.148nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 20.3nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.66199
50+： ¥ 0.52479
150+： ¥ 0.45619
500+： ¥ 0.40474
3000+： ¥ 0.36358
6000+： ¥ 0.343
合计总额： ¥ 3.3099
AP85N03NF
AP85N03NF
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： PDFN-8(5x5.8)
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) PDFN-8(5x5.8) 30V 85A 45W 2.3mΩ@10V,30A 1.6V@250uA 358pF@15V 1个N沟道 3.5nF@15V 70nC@4.5V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 85A
功率(Pd)： 45W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.3mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.6V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 358pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.5nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 70nC@4.5V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
3
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.0415
10+： ¥ 1.0174
30+： ¥ 1.0014
100+： ¥ 0.9853
合计总额： ¥ 1.0415
AP85N04NF
AP85N04NF
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： PDFN-8(5x5.8)
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) PDFN-8(5x5.8) 40V 85A 4.5mΩ@10V,10A 52.1W 2.5V@250uA 175pF@15V 1个N沟道 2.354nF@15V 20nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 85A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.5mΩ@10V,10A
功率(Pd)： 52.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 175pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.354nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 20nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
6
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.8
50+： ¥ 1.33
150+： ¥ 1.12
合计总额： ¥ 9.0000
AP8814A
AP8814A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) SOT-23-6L 20V 共漏 8A 14mΩ@4.5V,4A 1.25W 800mV@250uA 125pF@8V 2个N沟道 800pF@8V 11nC@4V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 20V
配置： 共漏
连续漏极电流(Id)： 8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 14mΩ@4.5V,4A
功率(Pd)： 1.25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 800mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 125pF@8V
类型： 2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 800pF@8V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 11nC@4V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.203294
100+： ¥ 0.1986
300+： ¥ 0.19547
1000+： ¥ 0.19234
合计总额： ¥ 2.0329
AP8P10S
AP8P10S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： APM(永源微电子)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) APM(永源微电子) SOP-8 100V 8A 3.1W 83mΩ@10V,6A 1.8V@250uA 25pF@20V 1个P沟道 1.051nF@20V 20.1nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 8A
功率(Pd)： 3.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 83mΩ@10V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.8V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 25pF@20V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.051nF@20V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 20.1nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.9485
50+： ¥ 0.9269
150+： ¥ 0.9125
500+： ¥ 0.8981
合计总额： ¥ 4.7425
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