(ARK) 成都方舟微电子有限公司成立13年来，专业从事功率半导体器件的研发、设计、生产与销售，并提供电源管理、电路保护解决方案，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。ARK可根据客户需求，提供高端定制开发。开发从电路保护方案、产品定义、产品设计和测试分析，直到产品最终的合格使用，并不断优化更新，能够提供产品全生命周期服务。以市场需求带动创新研发，以技术发展引导应用升级，是ARK一贯宗旨。产品大量用于充电器、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网等领域。
公司创始人具有三十多年半导体行业研发与管理经验，团队包括：海归博士、国内顶尖大学硕士，及海外研发合作团队。所有产品均自主研发，相关技术已获发明专利，目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项，是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。
ARK产品包括消费类和工业类两条产品线，用于充电器、LED等消费电子产品的DMZ6005E、 DMZ1015E、DMZ1521E等系列产品，仅DMZ6005E一颗产品目前已出货5亿只，专为PD3.1快充定制开发，为大功率、宽电压输出的PD提供PWM IC 、同步整流IC供电并具有电路启动功能；30V~350V全系列增强型MOSFET对标AOS同类产品，海外生产，品质更高、价格更优、供货更有保证。ARK目前已与PI、ON、IWATT、立锜、昂宝、康源、华源智信、硅动力等设计公司有深入合作，是华为、荣耀、三星、小米、Google、VIVO、MEIZU、ANKER、RAVPOWER、SONY、LG、TP-LINK等客户的长期供应商。
ARK用于工控、汽车电子、物联网等领域的DMX1072/DMS1072、DMX4022E/DMS4022E、DMZ1511E、DMD4523E等系列产品，一颗器件即能实现安全的瞬态浪涌抑制、过压过流保护应用，器件性能完全达到甚至超过国外同类产品。目前与TE、上汽、一汽、南京科远、正崴精密、中电集团等有广泛合作。
ARK产品以高品质、高性能、低成本对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户的认可并广泛采用。
封装： -
全部
-
SOT-89
-
SOT-223-4
-
TO-252
-
TO-263
-
TO-220
-
PDFN3333
-
PDFN(3.3x3.3)
-
DFN(2x2)
-
SOT-23
-
SOT-89-3
-
SOT-223-3
-
SOT-223
-
TO-220AB
-
PDFN(3x3)
-
SOP-8
1+： ¥ 9.12
10+： ¥ 7.87
30+： ¥ 7.08
100+： ¥ 6.28
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 40mA
功率(Pd)： 500mW
5+： ¥ 0.588786
50+： ¥ 0.484786
150+： ¥ 0.432786
500+： ¥ 0.393786
3000+： ¥ 0.329553
6000+： ¥ 0.313953
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 150V
连续漏极电流(Id)： 100mA
功率(Pd)： 500mW
1+： ¥ 2.84
10+： ¥ 2.3
30+： ¥ 2.06
100+： ¥ 1.77
500+： ¥ 1.61
1000+： ¥ 1.53
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 130V
连续漏极电流(Id)： 100mA
功率(Pd)： 500mW
5+： ¥ 0.643882
50+： ¥ 0.523881
150+： ¥ 0.463882
500+： ¥ 0.418882
3000+： ¥ 0.3705
6000+： ¥ 0.3525
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 150V
连续漏极电流(Id)： 200mA
功率(Pd)： 500mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 10Ω@0V,100mA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 3nC@-10V~0V
输入电容(Ciss@Vds)： 12.8pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 3.3pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 1.3811
50+： ¥ 1.1291
150+： ¥ 1.0211
500+： ¥ 0.8863
3000+： ¥ 0.7592
6000+： ¥ 0.7232
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 150V
连续漏极电流(Id)： 200mA
功率(Pd)： 500mW
5+： ¥ 1.0523
50+： ¥ 0.8423
150+： ¥ 0.7523
500+： ¥ 0.64
3000+： ¥ 0.56
6000+： ¥ 0.53
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 20mA
功率(Pd)： 500mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 50Ω@0V,3mA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 1.55nC@±5V
输入电容(Ciss@Vds)： 12.3pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 1.8pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 0.551996
50+： ¥ 0.451996
150+： ¥ 0.401996
500+： ¥ 0.364496
3000+： ¥ 0.29875
6000+： ¥ 0.28375
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 20mA
功率(Pd)： 500mW
5+： ¥ 0.663075
50+： ¥ 0.537075
150+： ¥ 0.474075
500+： ¥ 0.426825
3000+： ¥ 0.389025
6000+： ¥ 0.370125
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 70V
连续漏极电流(Id)： 100mA
功率(Pd)： 500mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 10Ω@0V,100mA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 9nC@-30V~0V
输入电容(Ciss@Vds)： 1.5pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 0.74pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 0.536515
50+： ¥ 0.436515
150+： ¥ 0.386515
500+： ¥ 0.349015
3000+： ¥ 0.30875
6000+： ¥ 0.29375
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 130V
连续漏极电流(Id)： 100mA
功率(Pd)： 500mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 15Ω@0V,50mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 0.6495
50+： ¥ 0.5295
150+： ¥ 0.4695
500+： ¥ 0.4245
3000+： ¥ 0.3705
6000+： ¥ 0.3525
5+： ¥ 1.0748
50+： ¥ 0.8648
150+： ¥ 0.7748
500+： ¥ 0.6625
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 100mA
功率(Pd)： 500mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 30Ω@0V,100mA
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 0.625771
50+： ¥ 0.507691
150+： ¥ 0.448651
500+： ¥ 0.404371
3000+： ¥ 0.357192
6000+： ¥ 0.33948
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 400V
连续漏极电流(Id)： 90mA
功率(Pd)： 1W
1+： ¥ 6.74
10+： ¥ 5.69
30+： ¥ 5.12
100+： ¥ 4.47
500+： ¥ 4.179999
1000+： ¥ 4.05
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 400V
连续漏极电流(Id)： 200mA
功率(Pd)： 1W
1+： ¥ 13.43
10+： ¥ 10.86
30+： ¥ 9.58
100+： ¥ 8.3
500+： ¥ 7.54
1000+： ¥ 7.14
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 130V
连续漏极电流(Id)： 100mA
功率(Pd)： 1W
5+： ¥ 0.36216
50+： ¥ 0.35352
150+： ¥ 0.34776
500+： ¥ 0.342
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 400mA
功率(Pd)： 1W
1+： ¥ 4.96
10+： ¥ 4.13
30+： ¥ 3.71
100+： ¥ 3.29
500+： ¥ 2.59
1000+： ¥ 2.47
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 200mA
功率(Pd)： 1W
5+： ¥ 0.665219
50+： ¥ 0.541059
150+： ¥ 0.478979
1000+： ¥ 0.420592
2000+： ¥ 0.383344
5000+： ¥ 0.36472
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 70V
连续漏极电流(Id)： 100mA
功率(Pd)： 1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 10Ω@0V,100mA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 9nC@-30V~0V
输入电容(Ciss@Vds)： 1.5pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)： 0.74pF@25V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 0.583684
50+： ¥ 0.475844
150+： ¥ 0.421924
1000+： ¥ 0.365308
2000+： ¥ 0.332956
5000+： ¥ 0.31678
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 70V
连续漏极电流(Id)： 100mA
功率(Pd)： 1W
5+： ¥ 0.338016
50+： ¥ 0.329952
150+： ¥ 0.324576
500+： ¥ 0.3192
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 100mA
功率(Pd)： 2W
1+： ¥ 3.74
10+： ¥ 3.65
30+： ¥ 3.59
