西安安森德半导体有限公司(以下简称“安森德")是一家专注于高性能、高品质模拟集成电路研发和销售的半导体公司。
安森德的技术团队由在欧美顶尖半导体公司工作过的资深专家组成,拥有先进的模拟集成电路设计、工艺、生产、测试及可靠性技术和丰富的质量管理经验。
安森德的通用模拟IC产品性能优良、品质卓越,可广泛应用于智能手机、PAD、数字电视、DVD、数码相机、笔记本电脑、可穿戴式设备、舞台音响、调音台设备、各种消费类电子产品以及车载电子、工业控制、医疗设备、测试仪表等众多领域。
展望未来,安森德将以市场为导向、以创新为驱动、以服务客户为目标，坚持自主创新，不断开发更高性能的模拟集成电路技术,推出在性能、功耗、可靠性等方面具有国际领先水平，在品质、性价比、技术支持等方面具备较强国际竞争力及良好产业化前景的新一代模拟IC产品，努力成为世界模拟芯片行业的翘楚。
类目： -
全部
-
有源晶振
-
功率电子开关
-
模拟开关/多路复用器
-
RS-485/RS-422芯片
-
运算放大器
-
DC-DC电源芯片
-
场效应管(MOSFET)
-
电压基准芯片
-
线性稳压器(LDO)
-
音频功率放大器
-
无源晶振
封装： -
全部
-
TO-220F-3
-
DFN-5(5x6)
-
TO-252-3
-
TO-263
-
TO-220
-
PowerTDFN-8(3.1x3.1)
-
SOT-23-3
-
SMD
-
SOT-363-6
-
DFN1x1-6
-
ESOP-8
-
PDFN-8(3.3x3.3)
-
SOT-23-3L
-
TO-252
-
DFN-8-EP(3x3)
-
DFN-8(3x3)
-
SOT-23-6
-
SOT-89
-
DFN-8(5x6)
-
SOP-8
-
SOT-23(TO-236)
-
SOT-223
-
DIP-8L
-
HC-49US
当前 “ASDsemi(安森德)”
共104件相关型号
1+： ¥ 10.83
200+： ¥ 4.33
500+： ¥ 4.179999
1000+： ¥ 4.11
1+： ¥ 14.38
200+： ¥ 5.74
500+： ¥ 5.55
1000+： ¥ 5.45
1+： ¥ 10.83
200+： ¥ 4.33
500+： ¥ 4.179999
1000+： ¥ 4.11
1+： ¥ 10.83
200+： ¥ 4.33
500+： ¥ 4.179999
1000+： ¥ 4.11
1+： ¥ 79.82
200+： ¥ 31.85
500+： ¥ 30.79
1000+： ¥ 30.26
频率： 25MHz
外接负载电容： 18pF
等效串联电阻(ESR)： 40Ω
常温频差： ±30ppm
频率稳定度(全温)： ±30ppm
工作温度： -20℃~+70℃
1+： ¥ 3.32
200+： ¥ 1.33
500+： ¥ 1.28
1000+： ¥ 1.26
5+： ¥ 0.663
50+： ¥ 0.579
150+： ¥ 0.543
500+： ¥ 0.498
3000+： ¥ 0.478
6000+： ¥ 0.466
5+： ¥ 1.0939
50+： ¥ 0.9553
150+： ¥ 0.8959
500+： ¥ 0.8217
3000+： ¥ 0.7887
6000+： ¥ 0.7689
输出电流： 250mA
电源纹波抑制比(PSRR)： 70dB@(100Hz)
输出类型： 可调
工作温度： -40℃~+150℃@(Tj)
输出电压： 600mV~24V
最大输入电压： 42V
特性： 低ESR;过流保护(OCP);热保护(TSD);防静电保护;带使能
1+： ¥ 3.17
10+： ¥ 2.6
30+： ¥ 2.31
100+： ¥ 2.02
500+： ¥ 1.85
1000+： ¥ 1.76
5+： ¥ 0.6315
50+： ¥ 0.511499
150+： ¥ 0.4515
500+： ¥ 0.4065
2000+： ¥ 0.3705
5000+： ¥ 0.3525
类型： 收发器
工作温度： -
静电保护： -
电源电压： -
数据速率： -
驱动器/接收器： -
是否隔离： -
节点数： -
5+： ¥ 1.0573
50+： ¥ 0.8473
150+： ¥ 0.7573
500+： ¥ 0.645
2500+： ¥ 0.595
5+： ¥ 0.9245
50+： ¥ 0.7355
150+： ¥ 0.6545
500+： ¥ 0.5535
2500+： ¥ 0.508499
5000+： ¥ 0.4815
1+： ¥ 0.0645
200+： ¥ 0.025
500+： ¥ 0.0241
1000+： ¥ 0.0237
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 4.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 32mΩ@4.5V,4.1A
功率(Pd)： 1.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 700mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 190pF@4V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 740pF@4V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 7.8nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
2110
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.0517
100+： ¥ 0.0422
300+： ¥ 0.0374
3000+： ¥ 0.0293
6000+： ¥ 0.0265
9000+： ¥ 0.0251
2800
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.0345
200+： ¥ 0.0281
600+： ¥ 0.0249
3000+： ¥ 0.0216
9000+： ¥ 0.0197
21000+： ¥ 0.0187
1+： ¥ 0.1775
10+： ¥ 0.1566
30+： ¥ 0.1533
100+： ¥ 0.142
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 15mΩ@10V,9A
功率(Pd)： 17W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： 15nC@10V
工作温度： +150℃@(Tj)
1+： ¥ 0.1879
10+： ¥ 0.1512
30+： ¥ 0.1355
100+： ¥ 0.1158
500+： ¥ 0.1071
1000+： ¥ 0.1019
1+： ¥ 0.1671
200+： ¥ 0.064699
500+： ¥ 0.0624
1000+： ¥ 0.0613
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 20mΩ@4.5V,8A
功率(Pd)： 32W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 80pF@15V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 515pF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 10nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 0.1066
50+： ¥ 0.0875
150+： ¥ 0.078
500+： ¥ 0.0708
2500+： ¥ 0.059
5000+： ¥ 0.0561
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.5mΩ@10V,30A
功率(Pd)： 40W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 750mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 365pF@10V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.605nF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 36.6nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 0.1736
50+： ¥ 0.1551
150+： ¥ 0.1522
500+： ¥ 0.1327
