深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳南山、深圳坪山、南京浦口、瑞典斯德哥尔摩、日本名古屋设有研发中心。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员由剑桥大学、瑞典皇家理工学院、清华大学等知名高校博士组成。
封装： -
全部
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DFN(8x8)
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TO-247-3L
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TO-247-3
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TO-247-2
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TO-252
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TO-263-2
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TO-220-2
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TO-252-2
1+： ¥ 72.8
10+： ¥ 64.15
30+： ¥ 58.87
1+： ¥ 37.6116
10+： ¥ 33.1188
30+： ¥ 30.3732
1+： ¥ 25.2408
10+： ¥ 22.2378
30+： ¥ 20.4126
1+： ¥ 32.33
10+： ¥ 28.49
30+： ¥ 24.94
1+： ¥ 25.95
10+： ¥ 22.6
30+： ¥ 20.61
1+： ¥ 31.51
10+： ¥ 27.58
50+： ¥ 25.24
1+： ¥ 5.05
10+： ¥ 4.94
50+： ¥ 4.62
1+： ¥ 7.61
10+： ¥ 7.44
30+： ¥ 7.33
1+： ¥ 30.69
10+： ¥ 26.9
30+： ¥ 24.64
1+： ¥ 10.08
10+： ¥ 9.85
50+： ¥ 9.22
1+： ¥ 12.59
10+： ¥ 12.3
50+： ¥ 11.51
1+： ¥ 26.38
10+： ¥ 23.03
30+： ¥ 21.04
1+： ¥ 30.3498
10+： ¥ 26.6058
30+： ¥ 24.3204
1+： ¥ 87.03
10+： ¥ 83.63
30+： ¥ 77.74
二极管配置： 1对共阴极
整流电流(Io)： 62A
正向压降(Vf)： 1.48V@20A
直流反向耐压(Vr)： 650V
反向电流(Ir)： 700uA@650V
1+： ¥ 51.96
10+： ¥ 50.81
30+： ¥ 46.04
1+： ¥ 32.459699
10+： ¥ 31.0503
30+： ¥ 28.7361
整流电流(Io)： 35A
正向压降(Vf)： 1.46V@10A
直流反向耐压(Vr)： 1.2kV
1+： ¥ 47.5002
10+： ¥ 37.5669
30+： ¥ 30.573
1+： ¥ 37.83
10+： ¥ 33.3294
30+： ¥ 29.1798
整流电流(Io)： 62A
正向压降(Vf)： 1.48V@20A
直流反向耐压(Vr)： 650V
1+： ¥ 25.38
10+： ¥ 24.8
30+： ¥ 24.42
1+： ¥ 23.7354
10+： ¥ 20.7714
30+： ¥ 18.213
