中国，成为引领世界经济增长的国家之一，中国半导体产业的蓬勃发展也拥有着世界瞩目的焦点。置身中国和世界巨大的发展潮流之中，广东场效应半导体有限公司汇集了一支拥有近20年经验的团队，倾力打造独具匠心的Cmos品牌，将响应全球电子信息产业高速发展的需求，致力为中囯和世界的安全、智能提供可靠的半导体集成电路。
广东场效应半导体有限公司凭借长期积累的技术经验，具备自主独立创新的芯片设计能力和掩膜版专利技术，每年投入大量资金用于产品研发，不断顺应客户与市场需求。目前，产品已经覆盖汽车电子、消费电子、工业控制、通讯设备、医疗器械等诸多领域，部分产品在终端客户端与国际品牌同等使用时，表现出超越的性能，获得了客户的认证，在行业取得了60%以上的市场份额。企业规模的不断扩大和研发资金的高额投入，来源于公司同仁和股东的鼎力支持，我们竭力为不同电子应用领域的客户提供创新产品和高效的解决方案。
未来，公司将继续坚守初心，以“高端定制，匠心制造”的产品理念打造代表中国的领导品牌，与快速成长的国家集成电路产业共同发展，将更加努力践行企业使命和承担更多社会责任。
类目： -
全部
-
晶闸管(可控硅)/模块
-
肖特基二极管
-
快恢复/高效率二极管
-
三极管(BJT)
-
场效应管(MOSFET)
封装： -
全部
-
TO-251A
-
DFN-8(8x8)
-
TOLL-8L
-
TOLL-8
-
DFN-8(3.3x3.3)
-
DFN-8(3x3)
-
DFN-8(3x2)
-
-
PDFN-8(5x6)
-
SOT-23-3
-
SOT-23
-
SOT-23-3L
-
SOT-223
-
TO-262
-
TO-247A-LL
-
TO-247
-
TO-220FY
-
TO-3P
-
TO-220F
-
TO-220F-2
-
TO-252-4L
-
DFN-8(5x6)
-
SOP-8
-
TSOP-6
-
TO-263
-
TO-220
-
SOT-89
-
TO-251
-
TO-252
当前 “Cmos(广东场效应半导体)”
共755件相关型号
晶体管类型： PNP
集电极电流(Ic)： 6A
集射极击穿电压(Vceo)： 50V
功率(Pd)： 20W
5+： ¥ 0.9459
50+： ¥ 0.7611
160+： ¥ 0.6819
480+： ¥ 0.583
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 85A
功率(Pd)： 50W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4mΩ
5+： ¥ 1.4731
50+： ¥ 1.303
150+： ¥ 1.2301
500+： ¥ 1.1392
2500+： ¥ 0.968
5000+： ¥ 0.9437
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 16A
功率(Pd)： 2.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.5mΩ
5+： ¥ 1.10928
50+： ¥ 0.90768
150+： ¥ 0.82128
500+： ¥ 0.71344
3000+： ¥ 0.588
6000+： ¥ 0.5592
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 400V
连续漏极电流(Id)： 10A
功率(Pd)： 125W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 450mΩ
1+： ¥ 2.648
10+： ¥ 2.184
30+： ¥ 1.952
100+： ¥ 1.72
500+： ¥ 1.576
800+： ¥ 1.504
类型： 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 4A
功率(Pd)： 2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 98mΩ
1+： ¥ 2.04
10+： ¥ 1.648
30+： ¥ 1.488
100+： ¥ 1.28
500+： ¥ 1.128
1000+： ¥ 1.072
类型： 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 55V
连续漏极电流(Id)： 90A
功率(Pd)： 170W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7mΩ
1+： ¥ 7.96
10+： ¥ 6.76
30+： ¥ 6.1
100+： ¥ 5.36
500+： ¥ 4.91
800+： ¥ 4.76
类型： 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 75A
功率(Pd)： 200W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 9mΩ
1+： ¥ 8.3
10+： ¥ 7.25
50+： ¥ 6.02
100+： ¥ 5.37
500+： ¥ 5.08
1000+： ¥ 4.95
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 160A
功率(Pd)： 210W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.8mΩ@10V
反向传输电容(Crss@Vds)： 5.5nF
1+： ¥ 2.39
10+： ¥ 2.34
30+： ¥ 2.31
100+： ¥ 2.28
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 150A
功率(Pd)： 230W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.5mΩ
输入电容(Ciss@Vds)： 4.7nF
1+： ¥ 3.2
10+： ¥ 3.13
30+： ¥ 3.09
100+： ¥ 3.04
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 150A
功率(Pd)： 230W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.2mΩ
输入电容(Ciss@Vds)： 4.7nF
1+： ¥ 5.14
10+： ¥ 4.29
50+： ¥ 3.53
100+： ¥ 3.11
500+： ¥ 2.86
1000+： ¥ 2.73
5+： ¥ 0.28824
50+： ¥ 0.281904
150+： ¥ 0.27768
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 6A
功率(Pd)： 500mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 50mΩ
5+： ¥ 0.9071
50+： ¥ 0.7307
150+： ¥ 0.6551
1000+： ¥ 0.5565
2000+： ¥ 0.514499
5000+： ¥ 0.4893
类型： 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 3.5A
功率(Pd)： 1.3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 110mΩ
5+： ¥ 0.88488
50+： ¥ 0.7068
150+： ¥ 0.63048
1000+： ¥ 0.53528
2000+： ¥ 0.49288
5000+： ¥ 0.46744
晶体管类型： NPN
集电极电流(Ic)： 8A
集射极击穿电压(Vceo)： 50V
5+： ¥ 1.0517
50+： ¥ 0.8585
160+： ¥ 0.7527
480+： ¥ 0.6494
2480+： ¥ 0.6034
6400+： ¥ 0.5758
类型： 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 16A
功率(Pd)： 25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 20mΩ；20mΩ
1+： ¥ 0.9981
10+： ¥ 0.9748
30+： ¥ 0.9593
100+： ¥ 0.9437
类型： 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 52A
功率(Pd)： 62.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 10mΩ
5+： ¥ 1.3123
50+： ¥ 1.1485
150+： ¥ 1.0783
500+： ¥ 0.8892
2500+： ¥ 0.8502
5000+： ¥ 0.8268
5+： ¥ 1.13504
50+： ¥ 0.91328
150+： ¥ 0.81824
500+： ¥ 0.6996
2500+： ¥ 0.6468
5000+： ¥ 0.61512
直流反向耐压(Vr)： 100V
整流电流： 20A
1+： ¥ 1.824
10+： ¥ 1.488
50+： ¥ 1.272
100+： ¥ 1.088
500+： ¥ 1
1000+： ¥ 0.952
5+： ¥ 1.7958
50+： ¥ 1.4682
150+： ¥ 1.3278
500+： ¥ 1.1527
2500+： ¥ 0.8797
5000+： ¥ 0.8329
5+： ¥ 2.0421
50+： ¥ 1.6431
150+： ¥ 1.4721
500+： ¥ 1.2588
2500+： ¥ 1.1638
5000+： ¥ 1.1068
