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苏州锴威特半导体股份有限公司坐落于张家港市高新技术开发区，国家高新技术企业、江苏省科技小巨人、苏州瞪羚专精特新培育企业、张家港领军人才示范企业。
锴威特专注于智能功率器件与功率集成芯片的研发、生产和销售，同西安电子科技大学微电子学院合作建有功率器件研究生联合实训研发中心，围绕第三代功率半导体展开合作研究。公司拥有70多项专利，产品广泛应用于智能家电、工业控制、智能电网和新能源汽车等领域。
锴威特目前已形成高压、高可靠性功率 MOSFET、集成FRD的高压 MOSFET、SiC SBD、 SiC MOSFET、 Photo Mos、 Photo Triac、IGBT、IPM功率模组等八大产品系列。产品已取得国内100多家客户的使用和认可。
封装： -
全部
-
TO-251D-3
-
PDFN(5x6)
-
TO-251-L
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TO-220F
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TO-263-2
-
TO-263
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SOT-223
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DFN(5x6)
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DFN-8(5x6)
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PDFN(3x3)
-
TO-251
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SOP-8
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DFN(2x3)
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TO-220
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TO-252
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SOT-23(TO-236)
当前 “Convert Semiconductor(锴威特半导体)”
共138件相关型号
1+： ¥ 0.3198
200+： ¥ 0.1238
500+： ¥ 0.1195
800+： ¥ 0.1173
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
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功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
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100+： ¥ 0.172
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漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
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功率(Pd)： -
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5000+： ¥ 0.0482
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
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功率(Pd)： -
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连续漏极电流(Id)： -
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功率(Pd)： -
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反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
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