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CS(创世)

CS创世半导体成立于2016年,在香港,韩国,中国设有办公室。创世成立是预见到5G,人工智能,物联网等行业的崛起。用户对芯片的需求会有新一个世代的要求。 用户会有更多个性化的需求希望快速得到满足。如何做到低功耗,尺寸小,性能稳定,容量适宜,成本更优,如何能大幅度缩短开发时间,加快项目的研发速度?等等 因此在全球协作的今天,创世半导体利用韩国,中国台湾地区的芯片设计能力和供应资源,在中国实现封装和测试,并提供本地化的服务与支持。目前专注于SD NAND存储产品的研发和生产。 2016年,我们推出了第一代SD NAND,给客户提供兼容性强,一致性高,焊接稳定可靠的产品。大大降低了客户使用其他存储产品带来的不良率,也帮助客户缩短了调试小容量存储芯片驱动的研发时间,加快客户项目的迭代速度。 2018年,为满足更轨道交通,工业控制,仪器仪表等行业类客户需求,创世半导体首家推出了第二代SD NAND产品。能够实现更快的读写速度,更宽泛的使用环境。能够承受高低温冷热冲击,随机掉电等苛刻的操作环境。同时能给客户提供个性化的固件定制服务。 2020年,随着智能穿戴设备的兴起和物联网的不断发展,用户对存储容量的需求也不断增长。创世半导体推出了4GB SD NAND产品,能够实现同等容量下,最小的尺寸封装和最少的pin脚。帮助用户推出更小巧,稳定的产品。 创世的产品已经广泛应用于医疗设备,工业控制,轨道交通,安防,网络设备,IPC,执法记录仪,可视对讲,门禁考勤,平板电脑,汽车电子,电力设备,工业仪器设备,POS机,教育电子等行业。成功合作客户包括中国中车,中国船舶集团,清华大学,糖猫,360等企业。合作CPU平台包括:ST, NXP,TI, Microchip, Nordic, ESPRESSIF, MTK,Qualcomm等。 未来创世半导体将继续定位于物联网,人工智能等新兴市场,秉承少而精的理念,专注推出有核心竞争力的产品。和我们的合作伙伴一起,给客户提供快速,有价值的服务。
类目:
  • 全部
  • NAND FLASH
  • 开发板
  • 仿真器/烧录器
封装:
  • 全部
  • LGA-8(6x8)
  • LGA-8(7x8.5)
  • LGA-8
  • -
当前 “CS(创世)” 共11件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

CSNP16GCR01-AOW
类目: NAND FLASH
品牌: CS(创世)
封装: LGA-8
描述:
NAND FLASH CS(创世) LGA-8 -25℃~+85℃ 2.7V~3.6V 50MHz 16Gbit
工作温度: -25℃~+85℃
工作电压: 2.7V~3.6V
时钟频率(fc): 50MHz
存储容量: 16Gbit
0
最小包:480
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 46.73
10+: ¥ 40.97
30+: ¥ 37.45
100+: ¥ 34.5
合计总额: ¥ 46.7300
CSNP32GCR01-BOW
类目: NAND FLASH
品牌: CS(创世)
封装: LGA-8
描述:
NAND FLASH CS(创世) LGA-8 0℃~+70℃ 2.7V~3.6V 50MHz 32Gbit
工作温度: 0℃~+70℃
工作电压: 2.7V~3.6V
时钟频率(fc): 50MHz
存储容量: 32Gbit
1057
最小包:480
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 31.16
10+: ¥ 27.31
30+: ¥ 24.97
100+: ¥ 23
合计总额: ¥ 31.1600
CSNP64GCR01-AOW
类目: NAND FLASH
品牌: CS(创世)
封装: LGA-8(7x8.5)
描述:
NAND FLASH CS(创世) LGA-8(7x8.5) -25℃~+85℃ 2.7V~3.6V 50MHz 64Gbit
工作温度: -25℃~+85℃
工作电压: 2.7V~3.6V
时钟频率(fc): 50MHz
存储容量: 64Gbit
371
最小包:260
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 62.08
10+: ¥ 54.39
30+: ¥ 49.7
100+: ¥ 45.77
合计总额: ¥ 62.0800
CSNP4GCR01-AMW
类目: NAND FLASH
品牌: CS(创世)
封装: LGA-8(6x8)
描述:
NAND FLASH CS(创世) LGA-8(6x8) -40℃~85℃ 200uA 60mA 60mA 2.7V~3.6V 50MHz 4Gbit
工作温度: -40℃~85℃
待机电流: 200uA
写-工作电流: 60mA
读-工作电流: 60mA
工作电压: 2.7V~3.6V
时钟频率(fc): 50MHz
存储容量: 4Gbit
1340
最小包:480
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.418
10+: ¥ 3.8485
30+: ¥ 3.5112
100+: ¥ 3.0164
480+: ¥ 2.8589
960+: ¥ 2.7873
合计总额: ¥ 4.4180
CSNP4GCR01-BOW
类目: NAND FLASH
品牌: CS(创世)
封装: LGA-8(6x8)
描述:
NAND FLASH CS(创世) LGA-8(6x8) -30℃~85℃ 200uA 25mA 25mA 2.7V~3.6V 50MHz 4Gbit
工作温度: -30℃~85℃
待机电流: 200uA
写-工作电流: 25mA
读-工作电流: 25mA
工作电压: 2.7V~3.6V
时钟频率(fc): 50MHz
存储容量: 4Gbit
678
最小包:480
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.8701
10+: ¥ 2.4978
30+: ¥ 2.2766
100+: ¥ 1.906
480+: ¥ 1.8026
960+: ¥ 1.7564
合计总额: ¥ 2.8701
CSNP1GCR01-BOW
类目: NAND FLASH
品牌: CS(创世)
封装: LGA-8(6x8)
描述:
NAND FLASH CS(创世) LGA-8(6x8) -30℃~85℃ 200uA 25mA 25mA 2.7V~3.6V 50MHz 1Gbit
工作温度: -30℃~85℃
待机电流: 200uA
写-工作电流: 25mA
读-工作电流: 25mA
工作电压: 2.7V~3.6V
时钟频率(fc): 50MHz
存储容量: 1Gbit
9122
最小包:480
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.6626
10+: ¥ 1.4653
30+: ¥ 1.3253
100+: ¥ 1.1964
480+: ¥ 1.1376
960+: ¥ 1.1137
合计总额: ¥ 1.6626
CSNP1GCR01-AMW
类目: NAND FLASH
品牌: CS(创世)
封装: LGA-8(6x8)
描述:
NAND FLASH CS(创世) LGA-8(6x8)
0
最小包:480
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.1064
10+: ¥ 1.8137
30+: ¥ 1.6291
100+: ¥ 1.4414
480+: ¥ 1.3571
960+: ¥ 1.3205
合计总额: ¥ 2.1064
CSNP32GCR01-AOW
类目: NAND FLASH
品牌: CS(创世)
封装: LGA-8
描述:
NAND FLASH CS(创世) LGA-8 -25℃~85℃ 250uA 75mA 65mA 2.7V~3.6V 50MHz 32Gbit
工作温度: -25℃~85℃
待机电流: 250uA
写-工作电流: 75mA
读-工作电流: 65mA
工作电压: 2.7V~3.6V
时钟频率(fc): 50MHz
存储容量: 32Gbit
1247
最小包:480
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 9.1207
10+: ¥ 8.0501
30+: ¥ 7.3962
100+: ¥ 6.0137
合计总额: ¥ 9.1207
CSNP1GCR01-AOW
类目: NAND FLASH
品牌: CS(创世)
封装: LGA-8
描述:
NAND FLASH CS(创世) LGA-8 -40℃~85℃ 250uA 60mA 50mA 2.7V~3.6V 50MHz 1Gbit
工作温度: -40℃~85℃
待机电流: 250uA
写-工作电流: 60mA
读-工作电流: 50mA
工作电压: 2.7V~3.6V
时钟频率(fc): 50MHz
存储容量: 1Gbit
1105
最小包:480
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.8064
10+: ¥ 2.4326
30+: ¥ 2.2114
100+: ¥ 1.9871
480+: ¥ 1.8837
960+: ¥ 1.836
合计总额: ¥ 2.8064
CSSDBRD010
类目: 开发板
品牌: CS(创世)
封装: -
描述:
开发板 CS(创世)
135
最小包:50
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.1333
50+: ¥ 0.1066
150+: ¥ 0.0926
500+: ¥ 0.0783
2500+: ¥ 0.072
5000+: ¥ 0.0681
合计总额: ¥ 0.6665
CSSDSKT011
品牌: CS(创世)
封装: -
描述:
仿真器/烧录器 CS(创世)
4
最小包:100
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 49.6332
10+: ¥ 44.8796
合计总额: ¥ 49.6332
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