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首页 品牌列表 DELTAMOS(敦为)

DELTAMOS(敦为)

网址：http://www.dowellsemi.com/
深圳市敦为技术有限公司2015年12月16日注册成立。自成立以来，该公司一直致力于信息传输、软件和信息技术服务的研究，不断进步并完善内部系统。 通过不断的努力。它有一个和谐的工作环境和积极进取的学习氛围。公司向所有充满热情和梦想的人敞开大门，并为个人提供充足的成长阶段和发展空间。作为一家有限责任公司，坚持以创新为核心，以技术为研发基础的理念，朝着中国顶尖技术的目标迈进。
类目：
  • 全部
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • SOT-563
  • SOT-523
  • SOT-323
  • SOT-363
  • SOP-8
  • SOT-23-3L
  • SOT-23-6L
  • TO-252
  • DFN-3L(1x0.6)
  • SOT-23
当前 “DELTAMOS(敦为)” 共41件相关型号
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DWZ5802A
DWZ5802A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-563
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-563 20V 1A 20V 6.8pF 2个N沟道 36pF 800pC
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 1A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 6.8pF
类型： 2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 36pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 800pC
3000
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.363113
100+： ¥ 0.294113
300+： ¥ 0.259612
3000+： ¥ 0.233738
合计总额： ¥ 3.6311
DWZ2622
DWZ2622
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-523
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-523 20V 2A 20V 28.4pF 1个N沟道 142pF 3.05nC
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 2A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 28.4pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 142pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 3.05nC
2940
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.218276
200+： ¥ 0.174289
600+： ¥ 0.149851
合计总额： ¥ 4.3655
DWV231A
DWV231A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-323
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-323 20V 3A 20V 45pF 1个P沟道 330pF 6.6nC
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 3A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 45pF
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 330pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 6.6nC
2940
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.205436
200+： ¥ 0.164036
600+： ¥ 0.141036
合计总额： ¥ 4.1087
DWU368D
DWU368D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-363
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-363 30V 3.6A 75mΩ 20V 10pF 2个N沟道 66pF 2.7nC
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 75mΩ
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 10pF
类型： 2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 66pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 2.7nC
2760
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.29049
100+： ¥ 0.23529
300+： ¥ 0.20769
合计总额： ¥ 2.9049
DWU3002
DWU3002
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-363
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-363 30V 500mA 650mΩ 20V 0.8pF 2个N沟道 12pF 650pC
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 500mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 650mΩ
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 0.8pF
类型： 2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 12pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 650pC
2950
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.242075
100+： ¥ 0.196075
300+： ¥ 0.173075
合计总额： ¥ 2.4207
DWU221A
DWU221A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-363
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-363 20V 1.2A 20V 25pF 2个P沟道 177pF 5.3nC
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 1.2A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 25pF
类型： 2个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 177pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 5.3nC
2510
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.253896
100+： ¥ 0.203296
300+： ¥ 0.177996
合计总额： ¥ 2.5390
DWU201A
DWU201A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-363
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-363 20V 600mA 20V 4.2pF 2个P沟道 39pF 1.1nC
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 600mA
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 4.2pF
类型： 2个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 39pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 1.1nC
2970
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.29049
100+： ¥ 0.23529
300+： ¥ 0.20769
合计总额： ¥ 2.9049
DWS090M06
DWS090M06
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOP-8 60V 5.8A 65mΩ 20V 19pF 2个N沟道 413pF 10.5nC
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 5.8A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 65mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 19pF
类型： 2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 413pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 10.5nC
2905
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.60352
50+： ¥ 0.52992
150+： ¥ 0.49312
500+： ¥ 0.46552
合计总额： ¥ 3.0176
DWS4614A
DWS4614A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOP-8 40V 8A 41mΩ 20V 75pF 1个N沟道+1个P沟道 1.02nF 8nC
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 8A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 41mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 75pF
类型： 1个N沟道+1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.02nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 8nC
1085
最小包：4000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.749926
50+： ¥ 0.607422
150+： ¥ 0.53617
500+： ¥ 0.482731
合计总额： ¥ 3.7496
DWS4688
DWS4688
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOP-8 40V 6.2A 58mΩ 20V 22pF 1个N沟道+1个P沟道 350pF 7.4nC
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 6.2A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 58mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 22pF
类型： 1个N沟道+1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 350pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 7.4nC
3685
最小包：4000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.54694
50+： ¥ 0.48024
150+： ¥ 0.44689
500+： ¥ 0.421878
2500+： ¥ 0.401868
合计总额： ¥ 2.7347
DWL6602
DWL6602
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-23-6L 30V 2.8A 108mΩ 20V 30pF 1个N沟道+1个P沟道 215pF 3.3nC
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 2.8A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 108mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 30pF
类型： 1个N沟道+1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 215pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 3.3nC
2770
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.314698
100+： ¥ 0.254898
300+： ¥ 0.224998
合计总额： ¥ 3.1470
DWL368D
DWL368D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-23-6L 30V 3A 68mΩ 12V 10.3pF 2个N沟道 59.4pF 2.4nC
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 3A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 68mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 12V
反向传输电容(Crss@Vds)： 10.3pF
类型： 2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 59.4pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 2.4nC
2970
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.29049
100+： ¥ 0.23529
300+： ¥ 0.20769
合计总额： ¥ 2.9049
DWL3401A
DWL3401A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-23-3L
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-23-3L 30V 4.2A 44mΩ 20V 53pF 1个P沟道 655pF 7.2nC
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 4.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 44mΩ
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 53pF
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 655pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 7.2nC
2670
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.266283
100+： ¥ 0.215683
300+： ¥ 0.190383
合计总额： ¥ 2.6628
DWL336C
DWL336C
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-23-6L 30V 5A 45mΩ 20V 30pF 1个N沟道+1个P沟道 240pF 3.1nC
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 5A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 45mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 30pF
类型： 1个N沟道+1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 240pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 3.1nC
415
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.435735
50+： ¥ 0.352935
150+： ¥ 0.311535
合计总额： ¥ 2.1787
DWL333C
DWL333C
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-23-6L 30V 5A 32mΩ 16V 30pF 1个N沟道+1个P沟道 240pF 3.1nC
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 5A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 32mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 16V
反向传输电容(Crss@Vds)： 30pF
类型： 1个N沟道+1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 240pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 3.1nC
2715
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.435735
50+： ¥ 0.352935
150+： ¥ 0.311535
500+： ¥ 0.280485
合计总额： ¥ 2.1787
DWL20P7C
DWL20P7C
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-23-3L
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-23-3L 20V 7A 20V 187pF 1个P沟道 1.685nF 15.4nC
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 7A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 187pF
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.685nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 15.4nC
3000
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.48415
50+： ¥ 0.39215
150+： ¥ 0.34615
500+： ¥ 0.31165
3000+： ¥ 0.28405
合计总额： ¥ 2.4207
DWL2010
DWL2010
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-23-3L
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-23-3L 20V 8A 20V 121pF 1个N沟道 864pF 11nC
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 8A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 121pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 864pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 11nC
1000
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.171424
100+： ¥ 0.16745
300+： ¥ 0.1648
1000+： ¥ 0.16215
合计总额： ¥ 1.7142
DWL190P06
DWL190P06
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-23-6L 60V 3A 150mΩ 20V 15pF 1个P沟道 310pF 5.4nC
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 150mΩ
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 15pF
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 310pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 5.4nC
3000
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.435735
50+： ¥ 0.352935
150+： ¥ 0.311535
500+： ¥ 0.280485
3000+： ¥ 0.255645
合计总额： ¥ 2.1787
DWL105P06
DWL105P06
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) SOT-23-6L 60V 3.5A 82mΩ 20V 31pF 1个P沟道 675pF 12nC
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 3.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 82mΩ
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 31pF
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 675pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 12nC
2995
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.605188
50+： ¥ 0.490188
150+： ¥ 0.432688
500+： ¥ 0.389563
合计总额： ¥ 3.0259
DWA7002K
DWA7002K
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： DELTAMOS(敦为)
封装： DFN-3L(1x0.6)
描述：
场效应管(MOSFET) DELTAMOS(敦为) DFN-3L(1x0.6) 60V 300mA 1.9Ω 20V 0.4pF 1个N沟道 15.8pF 700pC
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.9Ω
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 20V
反向传输电容(Crss@Vds)： 0.4pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 15.8pF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 700pC
10000
最小包：10000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.166917
200+： ¥ 0.13328
600+： ¥ 0.114592
2000+： ¥ 0.10338
10000+： ¥ 0.093662
合计总额： ¥ 3.3383
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