东芯半导体股份有限公司成立于2014年11月，是我国领先的中小容量存储芯片研发设计公司。 东芯半导体总部位于上海，在深圳，香港，韩国均设有子公司或办事处。
东芯半导体作为Fabless芯片企业，聚焦中小容量NAND、NOR内存芯片的设计、生产和销售， 是目前国内可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。 东芯半导体通过技术引进及改良，目前与国际大厂的同类存储产品相比较，可以实现在相同 制程工艺条件下，相关技术指标进一步优化。
封装： -
全部
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BGA-63
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TSOP-48
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WSON-8-EP(5x6)
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WSON-8-EP(6x8)
当前 “Dosilicon(东芯)”
共8件相关型号
1+： ¥ 2.1685
30+： ¥ 1.9966
1+： ¥ 7.1798
10+： ¥ 6.2651
30+： ¥ 5.7066
100+： ¥ 5.2389
1+： ¥ 0.5839
10+： ¥ 0.4773
30+： ¥ 0.4248
100+： ¥ 0.3723
500+： ¥ 0.3405
1000+： ¥ 0.3246
1+： ¥ 1.1885
10+： ¥ 0.9975
30+： ¥ 0.8925
100+： ¥ 0.7748
500+： ¥ 0.7207
1000+： ¥ 0.6969
工作电压： 1.65V~1.9V
工作温度： -40℃~+85℃
待机电流： 2uA
擦除-工作电流： 15mA
写-工作电流： 15mA
读-工作电流： 27mA
存储容量： 128Mbit
接口类型： SPI
时钟频率(fc)： 133MHz
页写入时间(Tpp)： 600us
块擦除时间(tBE)： 350ms@(64KB)
1+： ¥ 1.3873
10+： ¥ 1.1646
30+： ¥ 1.0437
100+： ¥ 0.9053
500+： ¥ 0.8432
1000+： ¥ 0.8162
1+： ¥ 3.9757
10+： ¥ 3.4603
30+： ¥ 3.1532
100+： ¥ 2.6298
500+： ¥ 2.4866
1000+： ¥ 2.423
工作温度： -40℃~+85℃
待机电流： 10uA
擦除-工作电流： 15mA
写-工作电流： 15mA
读-工作电流： 15mA
块擦除时间(tBE)： 10ms
页写入时间(Tprog)： 700us
写周期时间(tWC)： -
工作电压： 3.3V
时钟频率(fc)： 104MHz
存储容量： 1Gbit
1+： ¥ 3.7085
10+： ¥ 3.2821
30+： ¥ 3.0291
100+： ¥ 2.6791
500+： ¥ 2.5598
1000+： ¥ 2.5073
