广州飞虹半导体有限公司成立于广州越秀区，诚信经营20多年。主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，目前广泛应用于音响、家用电器、LED照明、电脑电源、充电器、逆变器、电瓶车、汽车电子等行业领域，为国内的电器厂家提供了优质的配套服务。为了实现公司销售、生产、研发的战略目标，飞虹于2002年1月创办了半导体封装工厂——广州飞虹友益电子科技有限公司，注册资本3600万元人民币，专业生产半导体分立器件。公司位于广州保税区，占地面积20亩，厂房3层共13000平方米，企业员工300多人，是中国大功率MOS管重点封装基地之一。
类目： -
全部
-
场效应管(MOSFET)
-
肖特基二极管
-
线性稳压器(LDO)
-
三极管(BJT)
封装： -
全部
-
TO-92LS
-
TO-251
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TO-263
-
TO-220
-
TO-220F-3
-
TO-92-3
当前 “FeiHong(飞虹)”
共30件相关型号
输出类型： 固定
最大输入电压： 20V
输出电压： 5V
输出电流： 100mA
电源纹波抑制比(PSRR)： 49dB@(120Hz)
压差： 1.7V@(1A)
特性： 浪涌保护；短路保护；热保护(TSD)；过流保护(OCP)
输出极性： 正极
输出通道数： 1
10+： ¥ 0.237993
100+： ¥ 0.233097
300+： ¥ 0.229833
1000+： ¥ 0.226569
晶体管类型： -
集电极电流(Ic)： 500mA
集射极击穿电压(Vceo)： 300V
功率(Pd)： 625mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 100@10mA,10V
特征频率(fT)： -
集电极截止电流(Icbo)： 100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 500mV@20mA,2mA
工作温度： -
20+： ¥ 0.132996
200+： ¥ 0.13026
1000+： ¥ 0.128436
2000+： ¥ 0.126612
晶体管类型： -
集电极电流(Ic)： 500mA
集射极击穿电压(Vceo)： 27V
功率(Pd)： 625mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 120@50mA,1V
特征频率(fT)： 100MHz
集电极截止电流(Icbo)： 100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 600mV@500mA,50mA
工作温度： -
20+： ¥ 0.108997
200+： ¥ 0.106754
1000+： ¥ 0.10526
2000+： ¥ 0.103765
晶体管类型： PNP
集电极电流(Ic)： 600mA
集射极击穿电压(Vceo)： 160V
功率(Pd)： 625mW
特征频率(fT)： 80MHz
集电极截止电流(Icbo)： 100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 500mV@50mA,5mA
工作温度： -
50+： ¥ 0.066498
500+： ¥ 0.065129
2000+： ¥ 0.064218
5000+： ¥ 0.063306
晶体管类型： -
集电极电流(Ic)： 500mA
集射极击穿电压(Vceo)： 27V
功率(Pd)： 625mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 120@50mA,1V
特征频率(fT)： 100MHz
集电极截止电流(Icbo)： 100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 600mV@500mA,50mA
工作温度： -
20+： ¥ 0.171709
200+： ¥ 0.140209
1000+： ¥ 0.122709
2000+： ¥ 0.112209
10000+： ¥ 0.103109
20000+： ¥ 0.098209
晶体管类型： -
集电极电流(Ic)： 1.5A
集射极击穿电压(Vceo)： 45V
功率(Pd)： 1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 200@100mA,1V
特征频率(fT)： 100MHz
集电极截止电流(Icbo)： 100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 280mV@800mA,80mA
工作温度： -
20+： ¥ 0.117331
200+： ¥ 0.114917
1000+： ¥ 0.113308
2000+： ¥ 0.111699
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 4A
功率(Pd)： 75W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.1Ω@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 0.875
10+： ¥ 0.857
30+： ¥ 0.845
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 2A
功率(Pd)： 35W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.5Ω@10V,1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
5+： ¥ 0.5972
50+： ¥ 0.5835
150+： ¥ 0.5744
500+： ¥ 0.5653
类型： -
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
1+： ¥ 4.32
10+： ¥ 4.23
30+： ¥ 4.17
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 120A
功率(Pd)： 157W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 3.34
10+： ¥ 2.78
30+： ¥ 2.5
输出类型： 固定
最大输入电压： 35V
输出电压： 12V
输出电流： 1.5A
特性： 浪涌保护；短路保护；热保护(TSD)；过流保护(OCP)
工作温度： 0℃~+125℃@(Tj)
1+： ¥ 2.1
10+： ¥ 1.82
50+： ¥ 1.7
100+： ¥ 1.54
500+： ¥ 1.48
二极管配置： 1对共阴极
正向压降(Vf)： 880mV@10A
直流反向耐压(Vr)： 200V
整流电流： 10A
反向电流(Ir)： 1uA@200V
1+： ¥ 1.8249
10+： ¥ 1.4942
30+： ¥ 1.3524
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 12A
功率(Pd)： 231W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 750mΩ@10V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 2.61
10+： ¥ 2.56
50+： ¥ 2.52
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 7A
功率(Pd)： 35W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.3Ω@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 1.59
10+： ¥ 1.56
50+： ¥ 1.54
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 5A
功率(Pd)： 30W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.8Ω@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 1.1375
10+： ¥ 1.1141
50+： ¥ 1.0985
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 2A
功率(Pd)： 27W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.5Ω@10V,1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 0.8925
10+： ¥ 0.8742
50+： ¥ 0.8619
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 2A
功率(Pd)： 27W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5Ω@10V,1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 0.8925
10+： ¥ 0.8742
50+： ¥ 0.8619
二极管配置： 1对共阴极
正向压降(Vf)： 830mV@10A
直流反向耐压(Vr)： 150V
整流电流： 10A
反向电流(Ir)： 1.1uA@150V
1+： ¥ 1.12
10+： ¥ 1.097
50+： ¥ 1.0816
二极管配置： 1对共阴极
正向压降(Vf)： 800mV@10A
直流反向耐压(Vr)： 100V
整流电流： 10A
反向电流(Ir)： 1.2uA@100V
1+： ¥ 1.407
10+： ¥ 1.152
50+： ¥ 1.0427
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 12A
功率(Pd)： 54W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 750mΩ@10V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 5V@250uA
1+： ¥ 2.61
10+： ¥ 2.56
50+： ¥ 2.52
