作为国际知名的半导体产品与方案供应商，多年以来，美国FIRST SEM I一直专注于半导体产品及其系列解决方案的研发与制造， 以集成电路及电子分立器件为主业，从芯片研发到产品封装、测试，美国FIRST SEMI以其强大的研发投入与科研实力，迅速成长为业界优秀的半导体企业，被公认为半导体工业最具创新力的公司之一。
封装： -
全部
-
TO-252-2(DPAK)
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TO-251(IPAK)
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TO-220F
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TO-220F-3
-
TO-220IS
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 10A
功率(Pd)： 125W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 750mΩ@10V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 2.94
10+： ¥ 2.37
30+： ¥ 2.13
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 13A
功率(Pd)： 45W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 650mΩ@10V,6.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 2.98
10+： ¥ 2.41
30+： ¥ 2.16
100+： ¥ 1.85
500+： ¥ 1.72
1000+： ¥ 1.64
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 12A
功率(Pd)： 51W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 800mΩ@10V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 2.682
10+： ¥ 2.169
30+： ¥ 1.944
100+： ¥ 1.665
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 4A
功率(Pd)： 77W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.7Ω@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
5+： ¥ 1.0656
50+： ¥ 0.8598
150+： ¥ 0.7716
500+： ¥ 0.6615
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 4A
功率(Pd)： 30W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.8Ω@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
5+： ¥ 1.2831
50+： ¥ 1.0353
150+： ¥ 0.9291
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 4A
功率(Pd)： 75W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.8Ω@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
5+： ¥ 1.0873
50+： ¥ 0.8773
150+： ¥ 0.7873
500+： ¥ 0.675
2500+： ¥ 0.625
5000+： ¥ 0.595
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 7A
功率(Pd)： 45W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.4Ω@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.8V@250uA
1+： ¥ 2.3476
10+： ¥ 1.9276
50+： ¥ 1.7476
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 7A
功率(Pd)： 145W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.4Ω@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 2.2095
10+： ¥ 1.8315
50+： ¥ 1.5238
100+： ¥ 1.3217
500+： ¥ 1.2317
1000+： ¥ 1.1777
