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首页 品牌列表 GL(光磊)

GL(光磊)

网址：http://gl-design.com.cn/col.jsp?id=103
无锡光磊电子科技是一家专业功率半导体产品及方案设计公司，其产品主要应用于功率管理领域。当前光磊的目标市场为消费电子、家用电器、信息技术和大功率能源电子。 公司团队的核心竞争力为功率管理产品的设计、开发和营销，如功率MOSFET, IGBT,肖特基二极管，快恢复整流二极管和集成电路,从事功率半导体研发、运营、销售都有17年以上的经验。 光磊拥有的功率半导体技术能提供整体的系统解决方案，有效地降低功率损耗，提高电路效率和节约电能。在功率半导体开发中，光磊已经拥有的几个关键的技术：包括Bipolar，高压大功率VDMOS（增强型和耗尽型 MOSFET）和 大功率IGB。
类目：
  • 全部
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • QFN(5x6)
  • QFN(3.3x3.3)
  • TO-220F-3
  • TO-252-2
  • TO-220F
  • QFN(3x3)
  • SOT-23-3L
  • SOT-23
  • TO-220AB-3
  • SOP-8
  • SOIC-8
  • TO-252
  • TO-220
当前 “GL(光磊)” 共49件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

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参数

库存

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数量

操作

GL4N60A4R
GL4N60A4R
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-252
无
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.6218
200+： ¥ 0.6472
500+： ¥ 0.6255
1000+： ¥ 0.6148
合计总额： ¥ 1.6218
GL50N06AD3
GL50N06AD3
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： QFN(3x3)
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) QFN(3x3)
无
5000
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.1308
10+： ¥ 0.1158
30+： ¥ 0.1134
100+： ¥ 0.104
合计总额： ¥ 0.1308
GL12P40A4
GL12P40A4
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-252
无
0
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.168
50+： ¥ 0.1341
150+： ¥ 0.1196
500+： ¥ 0.1016
2500+： ¥ 0.0935
5000+： ¥ 0.0887
合计总额： ¥ 0.8400
GL40P04A4
GL40P04A4
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-252
无
4945
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.3164
10+： ¥ 0.2596
30+： ¥ 0.2353
100+： ¥ 0.2049
500+： ¥ 0.1914
1000+： ¥ 0.1833
合计总额： ¥ 0.3164
GL50N06A8P
GL50N06A8P
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-220
无
3953
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.4232
10+： ¥ 0.3405
50+： ¥ 0.3055
100+： ¥ 0.261
500+： ¥ 0.2419
1000+： ¥ 0.2291
合计总额： ¥ 0.4232
GL1S12N06L-D8
GL1S12N06L-D8
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： SOIC-8
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) SOIC-8 60V 12A 58mΩ@10V,6A 2W 1.4V@250uA 20pF@30V 2个N沟道 250pF@30V 6.6nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 58mΩ@10V,6A
功率(Pd)： 2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 20pF@30V
类型： 2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 250pF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 6.6nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
1329
最小包：4000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.1895
10+： ¥ 0.1561
30+： ¥ 0.1417
100+： ¥ 0.1238
500+： ¥ 0.1158
1000+： ¥ 0.1111
合计总额： ¥ 0.1895
GL5N04
GL5N04
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： SOT-23-3L
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) SOT-23-3L 40V 5A 30mΩ@10V,2.5A 1.4W 1.6V@250uA 50pF@10V N沟道 620pF@10V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 30mΩ@10V,2.5A
功率(Pd)： 1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.6V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 50pF@10V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 620pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 10nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
340
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.0503
100+： ¥ 0.0407
300+： ¥ 0.036
3000+： ¥ 0.0324
6000+： ¥ 0.0295
9000+： ¥ 0.0281
合计总额： ¥ 0.5030
GL60N02B4
GL60N02B4
类目： -
品牌： GL(光磊)
封装： TO-252
描述：
GL(光磊) TO-252
无
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
暂无报价
合计总额： ¥ 0.0000
GL150N03AD
GL150N03AD
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： QFN(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) QFN(5x6) 30V 150A 1.9mΩ@10V,15A 78W 3V@250uA 420pF@10V N沟道 4nF@10V 28nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 150A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.9mΩ@10V,15A
功率(Pd)： 78W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 420pF@10V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4nF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 28nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
9039
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.4041
10+： ¥ 0.3262
30+： ¥ 0.2912
100+： ¥ 0.2498
500+： ¥ 0.2307
1000+： ¥ 0.2196
合计总额： ¥ 0.4041
GL35N03AD3
GL35N03AD3
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： QFN(3.3x3.3)
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) QFN(3.3x3.3) 30V 35A 35W 4.7mΩ@10V,12A 3V@250uA 230pF@15V N沟道 2.33nF@15V 45nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 35A
功率(Pd)： 35W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.7mΩ@10V,12A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 230pF@15V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.33nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 45nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
0
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.195
10+： ¥ 0.1582
30+： ¥ 0.1425
100+： ¥ 0.1228
500+： ¥ 0.1141
1000+： ¥ 0.0931
合计总额： ¥ 0.1950
GL80N06FA9
GL80N06FA9
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-220F-3
无
900
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.4169
10+： ¥ 0.3373
50+： ¥ 0.3023
100+： ¥ 0.2594
500+： ¥ 0.2339
1000+： ¥ 0.2228
合计总额： ¥ 0.4169
GL200N06A8
GL200N06A8
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-220AB-3
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-220AB-3 60V 208A 2.4mΩ@10V,80A 333W 3V@250uA 330pF@30V N沟道 9.1nF@30V 120nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 208A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.4mΩ@10V,80A
功率(Pd)： 333W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 330pF@30V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 9.1nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 120nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
417
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.8719
10+： ¥ 0.7239
50+： ¥ 0.6507
100+： ¥ 0.5775
500+： ¥ 0.4996
1000+： ¥ 0.4757
合计总额： ¥ 0.8719
CS540FA9
CS540FA9
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-220F-3
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-220F-3 100V 30A 26mΩ@10V,10A 41W 2.5V@250uA 250pF@25V N沟道 2nF@25V 39nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 26mΩ@10V,10A
功率(Pd)： 41W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 250pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 39nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
0
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.4264
10+： ¥ 0.3453
50+： ¥ 0.3119
100+： ¥ 0.2689
500+： ¥ 0.218
1000+： ¥ 0.2053
合计总额： ¥ 0.4264
GL9Z24A8
GL9Z24A8
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-220AB-3
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-220AB-3
无
1980
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.3013
10+： ¥ 0.2445
50+： ¥ 0.2202
100+： ¥ 0.1898
500+： ¥ 0.1549
1000+： ¥ 0.1468
合计总额： ¥ 0.3013
GLZ24A8
GLZ24A8
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-220AB-3
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-220AB-3
无
169
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.3013
10+： ¥ 0.2445
50+： ¥ 0.2202
100+： ¥ 0.1898
500+： ¥ 0.1519
1000+： ¥ 0.1438
合计总额： ¥ 0.3013
GL540A8P
GL540A8P
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-220AB-3
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-220AB-3 100V 33A 150W 30mΩ@10V,17A 4V@250uA 10pF@25V N沟道 2.7nF@25V 37nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 33A
功率(Pd)： 150W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 30mΩ@10V,17A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 10pF@25V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.7nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 37nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
165
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.5219
10+： ¥ 0.4328
50+： ¥ 0.3882
100+： ¥ 0.3453
500+： ¥ 0.2832
1000+： ¥ 0.2705
合计总额： ¥ 0.5219
GL80N06A4
GL80N06A4
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-252 60V 80A 6mΩ@10V,40A 110W 2.5V@250uA 210pF@30V N沟道 4nF@30V 90nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6mΩ@10V,40A
功率(Pd)： 110W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 210pF@30V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 90nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
75
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.3217
50+： ¥ 0.2624
150+： ¥ 0.237
500+： ¥ 0.1869
2500+： ¥ 0.1728
5000+： ¥ 0.1644
合计总额： ¥ 1.6085
GL100N03A4
GL100N03A4
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-252 30V 100A 105W 4.1mΩ@10V,50A 1.7V@250uA 540pF@15V N沟道 4.5nF@15V 38nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 100A
功率(Pd)： 105W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.1mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.7V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 540pF@15V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.5nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 38nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
0
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.2233
10+： ¥ 0.1812
30+： ¥ 0.1632
100+： ¥ 0.1407
500+： ¥ 0.1306
1000+： ¥ 0.1096
合计总额： ¥ 0.2233
GL50N03A4
GL50N03A4
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-252 30V 50A 60W 8mΩ@10V,25A 1.6V@250uA 180pF@15V N沟道 1.8nF@15V 23nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 50A
功率(Pd)： 60W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 8mΩ@10V,25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.6V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 180pF@15V
类型： N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.8nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 23nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
2301
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 0.1427
10+： ¥ 0.1139
30+： ¥ 0.1016
100+： ¥ 0.0862
500+： ¥ 0.0794
1000+： ¥ 0.0753
合计总额： ¥ 0.1427
GL30N03A4
GL30N03A4
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： GL(光磊)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) GL(光磊) TO-252
无
675
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.1285
50+： ¥ 0.1036
150+： ¥ 0.0912
500+： ¥ 0.0795
2500+： ¥ 0.072
5000+： ¥ 0.0683
合计总额： ¥ 0.6425
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