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GOFORD(谷峰)

深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR,于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应管的研发、生产和销售。公司通过严格的品质管理体系和考核,提供高可靠性的产品;不断的技术研发创新,满足细分市场的需求和产品的性价比;全球布局的视野,不断推广GOFORD品牌在功率器件领域的知名度。GOFORD致力于打造全球知名的功率器件品牌!
类目:
  • 全部
  • 电压基准芯片
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • DFN(3x3)
  • TO-263-6L
  • TO-251(IPAK)
  • TO-252-2(DPAK)
  • DFN-8
  • DFN-8(4.9x5.75)
  • DFN-8(3.15x3.05)
  • DFN8x8-4L
  • DFN2020-6(2x2)
  • SOT-523
  • SOT-223
  • TO-252-4
  • DFN2x2-6L
  • SOP-8DUAL
  • SOT-23-6L
  • DFN(2x2)
  • DFN(5x6)
  • TO-92
  • SOT-89
  • TO-220F-3
  • DFN-6(2x2)
  • DFN-8(3.3x3.3)
  • PDFNWB-8(3x3)
  • PDFN-8(3x3.1)
  • DFN-8(3x3)
  • DFN-8(5.8x4.9)
  • SOT-23
  • PDFN-8(3.1x3.2)
  • TO-251
  • DFN-8L(3x3)
  • DFN3x3-8L
  • DFN-8L(5x6)
  • TO-247
  • TOLL-8L
  • TO-263
  • TOLL
  • DFN5x6-8L
  • TO-3P
  • TO-92-3
  • SOT-23-6
  • SOT-23(TO-236)
  • SOP-8
  • DFN-6L(2x2)
  • TO-220F
  • TO-263-3
  • TO-263-2
  • DFN-8(5x6)
  • DFN-8(5.7x5.1)
  • TO-252
  • DFN-8(5.1x5.8)
  • SOT-23-3L
  • SOT-23-3
  • TO-220
当前 “GOFORD(谷峰)” 共448件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

18N20F
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-220 200V 18A 130mΩ 110W 1.5V 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 200V
连续漏极电流(Id): 18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 130mΩ
功率(Pd): 110W
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5V
类型: 1个N沟道
78
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.4
10+: ¥ 2.8
50+: ¥ 2.5
100+: ¥ 2.2
500+: ¥ 2.03
1000+: ¥ 1.94
合计总额: ¥ 3.4000
66N03
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-252
2595
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.271623
50+: ¥ 0.221623
150+: ¥ 0.196623
500+: ¥ 0.177873
2500+: ¥ 0.162873
合计总额: ¥ 1.3581
5N60
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-220 600V 4.5A 2Ω 120W 4V 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id): 4.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):
功率(Pd): 120W
阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V
类型: 1个N沟道
485
最小包:50
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.92125
50+: ¥ 0.74275
150+: ¥ 0.66625
合计总额: ¥ 4.6063
1216D2
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: DFN-6L(2x2)
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) DFN-6L(2x2) 12V 16A 18W 1V 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 12V
连续漏极电流(Id): 16A
功率(Pd): 18W
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V
类型: 1个P沟道
1830
最小包:3000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.316948
50+: ¥ 0.256948
150+: ¥ 0.226948
500+: ¥ 0.204448
合计总额: ¥ 1.5847
11N10
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-220
50
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.115
10+: ¥ 1.755
50+: ¥ 1.575
合计总额: ¥ 2.1150
03N06L-B
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23-3L
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) SOT-23-3L
3131
最小包:3000
起订量:10
增量:10
10+: ¥ 0.162974
100+: ¥ 0.132974
300+: ¥ 0.117974
3000+: ¥ 0.106724
合计总额: ¥ 1.6297
03N06L
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23-3L
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) SOT-23-3L 60V 3A 72mΩ 1.7W 1.2V@250uA 1个N沟道 510pF@30V 14.6nC@30V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 72mΩ
功率(Pd): 1.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.2V@250uA
类型: 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds): 510pF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs): 14.6nC@30V
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
34
最小包:3000
起订量:10
增量:10
10+: ¥ 0.207082
100+: ¥ 0.202186
300+: ¥ 0.198922
1000+: ¥ 0.195658
合计总额: ¥ 2.0708
830F
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-220F
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-220F
100
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.34
10+: ¥ 1.085
50+: ¥ 0.98
100+: ¥ 0.845
合计总额: ¥ 1.3400
9N90
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-3P
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-3P
60
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.995
10+: ¥ 3.395
30+: ¥ 3.07
合计总额: ¥ 3.9950
2305-B
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) SOT-23
3100
最小包:3000
起订量:20
增量:20
20+: ¥ 0.039306
200+: ¥ 0.038442
600+: ¥ 0.037866
3000+: ¥ 0.03729
合计总额: ¥ 0.7861
2301-B
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) SOT-23
180
最小包:3000
起订量:20
增量:20
20+: ¥ 0.039306
200+: ¥ 0.038442
600+: ¥ 0.037866
合计总额: ¥ 0.7861
3N25
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-251
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-251
150
最小包:75
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.49135
50+: ¥ 0.48055
150+: ¥ 0.47335
合计总额: ¥ 2.4567
3401H-B
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) SOT-23
290
最小包:3000
起订量:20
增量:20
20+: ¥ 0.06551
200+: ¥ 0.06407
600+: ¥ 0.06311
合计总额: ¥ 1.3102
3400L-B
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23-3L
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) SOT-23-3L
940
最小包:3000
起订量:20
增量:20
20+: ¥ 0.058959
200+: ¥ 0.057663
600+: ¥ 0.056799
合计总额: ¥ 1.1792
8N50F
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-220F
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-220F
100
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.585
10+: ¥ 1.315
50+: ¥ 1.18
100+: ¥ 1.05
合计总额: ¥ 1.5850
8850
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-220
100
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.115
10+: ¥ 1.755
50+: ¥ 1.575
100+: ¥ 1.395
合计总额: ¥ 2.1150
GT88N06T
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-220
150
最小包:50
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 1.06925
50+: ¥ 0.86765
150+: ¥ 0.78125
合计总额: ¥ 5.3463
GT750P10D5
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: DFN-8L(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) DFN-8L(5x6) 100V 24A 50mΩ@10V 2.5V 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 24A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V
类型: 1个P沟道
100
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.05
10+: ¥ 2.01
30+: ¥ 1.97
100+: ¥ 1.94
合计总额: ¥ 2.0500
GT750P10K
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-252 100V 24A 65mΩ@10V 3V 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 24A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V
类型: 1个P沟道
100
最小包:2500
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.45
10+: ¥ 1.41
30+: ¥ 1.39
100+: ¥ 1.37
合计总额: ¥ 1.4500
GT750P10M
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-263
描述:
场效应管(MOSFET) GOFORD(谷峰) TO-263 100V 24A 53mΩ@10V 3V 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 24A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 53mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V
类型: 1个P沟道
40
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.06
10+: ¥ 2.01
30+: ¥ 1.98
100+: ¥ 1.95
合计总额: ¥ 2.0600
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