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GONGMOSEMI(共模半导体)

共模半导体是一家致力于高性能模拟电路的研发及销售的中国企业,产品涉及模拟数字转换器、模拟电源、基准源、放大器、保护器件、及高性能混合信号SoC等,在低功耗、低噪声等高性能电源技术和精密模拟技术领域处于国际领先水平。 公司立足于中国本土供应链,研发多款方便替换国外进口芯片的产品,产品性能及稳定性达到世界一流芯片大厂水准,部分核心指标与参数还能有所超越,广泛应用于工业,电力,通信,汽车,医疗等多个领域,产品形态包括芯片和应用方案。
类目:
  • 全部
  • 电压基准芯片
  • 精密运放
  • DC-DC电源芯片
  • 线性稳压器(LDO)
封装:
  • 全部
  • SO-8
  • SOP-8
  • SOIC-8-EP
  • WLCSP-6(1.2x0.9)
  • MSOP-8-EP
  • SOT-23
  • DFN-6(2x2)
  • DFN-10-EP(3x3)
  • TSSOP-16-EP
  • DFN-8(3x3)
  • SOT-223-6
  • TO-263-3L
  • SOIC-8
  • TO-263
  • QFN-20(5x5)
  • QFN-20(3.5x3.5)
  • QFN-20-EP(5x5)
  • QFN-20-EP(3.5x3.5)
  • TO-263-5
  • PSOP-8
  • MSOP-10-EP
  • DFN-10(3x3)
当前 “GONGMOSEMI(共模半导体)” 共47件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

GM7400BRZ-2.5-R7
封装: SO-8
描述:
电压基准芯片 GONGMOSEMI(共模半导体) SO-8 1.2mA 2.5V -40℃~+125℃ ±0.04% 45V 串联 10mA 10ppm/℃ 固定
静态电流: 1.2mA
输出电压: 2.5V
工作温度: -40℃~+125℃
精度: ±0.04%
输入电压: 45V
电压基准类型: 串联
输出电流: 10mA
温度系数: 10ppm/℃
输出类型: 固定
127
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 16.1
10+: ¥ 13.97
30+: ¥ 12.64
100+: ¥ 11.27
合计总额: ¥ 16.1000
GM7400ARZ-5-R7
封装: SOP-8
描述:
电压基准芯片 GONGMOSEMI(共模半导体) SOP-8 5V 1.2mA -40℃~+125℃ ±0.04% 45V 串联 3ppm/℃
输出电压: 5V
静态电流: 1.2mA
工作温度: -40℃~+125℃
精度: ±0.04%
输入电压: 45V
最小阴极电流调节: -
电压基准类型: 串联
噪声(10Hz-10kHz): -
噪声(0.1Hz-10Hz): -
动态阻抗: -
输出电流: -
温度系数: 3ppm/℃
输出类型: -
188
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 18.54
10+: ¥ 18.11
30+: ¥ 17.83
100+: ¥ 17.55
合计总额: ¥ 18.5400
GM7400ARZ-3-R7
封装: SO-8
描述:
电压基准芯片 GONGMOSEMI(共模半导体) SO-8 3V 1.2mA -40℃~+125℃ ±0.04% 45V 串联 10mA 10ppm/℃ 固定
输出电压: 3V
静态电流: 1.2mA
工作温度: -40℃~+125℃
精度: ±0.04%
输入电压: 45V
电压基准类型: 串联
输出电流: 10mA
温度系数: 10ppm/℃
输出类型: 固定
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 18.91
10+: ¥ 18.48
30+: ¥ 18.2
100+: ¥ 17.91
合计总额: ¥ 18.9100
GM7400ARZ-2.5-R7
封装: SOP-8
描述:
电压基准芯片 GONGMOSEMI(共模半导体) SOP-8 1.2mA 2.5V -40℃~+125℃ ±0.04% 45V 串联 3ppm/℃
静态电流: 1.2mA
输出电压: 2.5V
工作温度: -40℃~+125℃
精度: ±0.04%
输入电压: 45V
最小阴极电流调节: -
电压基准类型: 串联
噪声(10Hz-10kHz): -
噪声(0.1Hz-10Hz): -
动态阻抗: -
输出电流: -
温度系数: 3ppm/℃
输出类型: -
163
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 18.54
10+: ¥ 18.11
30+: ¥ 17.83
100+: ¥ 17.55
合计总额: ¥ 18.5400
GM7400ARZ-10-R7
封装: SOP-8
描述:
电压基准芯片 GONGMOSEMI(共模半导体) SOP-8 10V 1.2mA -40℃~+125℃ ±0.04% 45V 串联 3ppm/℃
输出电压: 10V
静态电流: 1.2mA
工作温度: -40℃~+125℃
精度: ±0.04%
输入电压: 45V
最小阴极电流调节: -
电压基准类型: 串联
噪声(10Hz-10kHz): -
噪声(0.1Hz-10Hz): -
动态阻抗: -
输出电流: -
温度系数: 3ppm/℃
输出类型: -
88
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 18.54
10+: ¥ 18.11
30+: ¥ 17.83
合计总额: ¥ 18.5400
GM45002ARZ-R7
类目: 精密运放
封装: SOIC-8-EP
描述:
精密运放 GONGMOSEMI(共模半导体) SOIC-8-EP 28MHz 6uV 2.7V~5.5V 0.5pA 28MHz 双路 6mA -40℃~+125℃ 220mA 107dB 0.4uV/°C
增益带宽积(GBP): 28MHz
输入失调电压(Vos): 6uV
输出类型: -
工作电压: 2.7V~5.5V
输入偏置电流(Ib): 0.5pA
带宽(-3db): 28MHz
放大器数: 双路
每个通道供电电流: 6mA
工作温度: -40℃~+125℃
输出电流: 220mA
共模抑制比(CMRR): 107dB
轨到轨: -
输入失调电压温漂(Vos TC): 0.4uV/°C
1020
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 10.95
10+: ¥ 9.44
30+: ¥ 8.5
100+: ¥ 7.53
500+: ¥ 7.1
合计总额: ¥ 10.9500
GM45002ARMZ-R7
类目: 精密运放
封装: MSOP-8-EP
描述:
精密运放 GONGMOSEMI(共模半导体) MSOP-8-EP 28MHz 6uV 2.7V~5.5V 0.5pA 28MHz 双路 6mA -40℃~+125℃ 220mA 107dB 0.4uV/°C
增益带宽积(GBP): 28MHz
输入失调电压(Vos): 6uV
输出类型: -
工作电压: 2.7V~5.5V
输入偏置电流(Ib): 0.5pA
带宽(-3db): 28MHz
放大器数: 双路
每个通道供电电流: 6mA
工作温度: -40℃~+125℃
输出电流: 220mA
共模抑制比(CMRR): 107dB
轨到轨: -
输入失调电压温漂(Vos TC): 0.4uV/°C
1094
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 10.34
10+: ¥ 8.84
30+: ¥ 7.9
100+: ¥ 6.93
500+: ¥ 6.49
合计总额: ¥ 10.3400
GM2501KCBZ
封装: WLCSP-6(1.2x0.9)
描述:
DC-DC电源芯片 GONGMOSEMI(共模半导体) WLCSP-6(1.2x0.9) 降压型 -40℃~+125℃ 1 降压式 内置 固定 1A 3.3V 2.3V~5.5V 18uA 8MHz
同步整流:
功能类型: 降压型
工作温度: -40℃~+125℃
输出通道数: 1
拓扑结构: 降压式
开关管(内置/外置): 内置
输出类型: 固定
输出电流: 1A
输出电压: 3.3V
输入电压: 2.3V~5.5V
静态电流(Iq): 18uA
开关频率: 8MHz
2317
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.45
10+: ¥ 3.97
30+: ¥ 3.73
100+: ¥ 3.48
500+: ¥ 3.18
合计总额: ¥ 4.4500
GM2501ECBZ
封装: WLCSP-6(1.2x0.9)
描述:
DC-DC电源芯片 GONGMOSEMI(共模半导体) WLCSP-6(1.2x0.9) 降压型 -40℃~+125℃ 1 降压式 内置 固定 1A 2.3V~5.5V 1.8V 18uA 8MHz
同步整流:
功能类型: 降压型
工作温度: -40℃~+125℃
输出通道数: 1
拓扑结构: 降压式
开关管(内置/外置): 内置
输出类型: 固定
输出电流: 1A
输入电压: 2.3V~5.5V
输出电压: 1.8V
静态电流(Iq): 18uA
开关频率: 8MHz
1753
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.49
10+: ¥ 4
30+: ¥ 3.76
100+: ¥ 3.52
500+: ¥ 3.21
合计总额: ¥ 4.4900
GM1400AUJZ-R7
封装: SOT-23
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) SOT-23 300mA 92dB@10kHz 22uA 266mV@(300mA) 可调 -40℃~+125℃ 8.5uVRMS 40V
输出电流: 300mA
电源纹波抑制比(PSRR): 92dB@10kHz
待机电流: 22uA
压差: 266mV@(300mA)
输出类型: 可调
工作温度: -40℃~+125℃
输出电压: -
噪声: 8.5uVRMS
最大输入电压: 40V
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 8.43
10+: ¥ 8.23
30+: ¥ 8.09
100+: ¥ 7.96
合计总额: ¥ 8.4300
GM1205ACPZ-R7
封装: DFN-10-EP(3x3)
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) DFN-10-EP(3x3) 500mA 98dB@(10kHz);62dB@(2MHz) 3.1mA 可调 1V~15V 1.8uVrms 20V 低ESR;过流保护(OCP);热保护(TSD);带使能;短路保护;自动放电功能;欠压闭锁;浪涌保护;软启动;开漏电源正常 (PG) 输出
输出电流: 500mA
电源纹波抑制比(PSRR): 98dB@(10kHz);62dB@(2MHz)
待机电流: 3.1mA
压差: -
工作温度: -
输出类型: 可调
输出电压: 1V~15V
输出极性: -
噪声: 1.8uVrms
输出通道数: -
最大输入电压: 20V
特性: 低ESR;过流保护(OCP);热保护(TSD);带使能;短路保护;自动放电功能;欠压闭锁;浪涌保护;软启动;开漏电源正常 (PG) 输出
1543
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 27.6
10+: ¥ 24.03
30+: ¥ 19.69
100+: ¥ 17.55
500+: ¥ 16.559999
合计总额: ¥ 27.6000
GM14001ARHZ-R7
封装: MSOP-8-EP
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) MSOP-8-EP 150mA 75dB@(10kHz) 7.5uA 127mV 可调 -40℃~+150℃ 15uVRMS 40V
输出电流: 150mA
电源纹波抑制比(PSRR): 75dB@(10kHz)
待机电流: 7.5uA
压差: 127mV
输出类型: 可调
工作温度: -40℃~+150℃
噪声: 15uVRMS
最大输入电压: 40V
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 6.1
10+: ¥ 5.96
30+: ¥ 5.87
100+: ¥ 5.77
合计总额: ¥ 6.1000
GM1400AUJZ-3.3-R7
封装: SOT-23
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) SOT-23 300mA 92dB@10kHz 22uA 266mV@(300mA) -40℃~+125℃ 固定 3.3V 8.5uVRMS 40V
输出电流: 300mA
电源纹波抑制比(PSRR): 92dB@10kHz
待机电流: 22uA
压差: 266mV@(300mA)
工作温度: -40℃~+125℃
输出类型: 固定
输出电压: 3.3V
噪声: 8.5uVRMS
最大输入电压: 40V
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 12.74
10+: ¥ 10.95
30+: ¥ 9.84
100+: ¥ 8.7
500+: ¥ 8.18
合计总额: ¥ 12.7400
GM1400AUJZ-5-R7
封装: SOT-23
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) SOT-23 300mA 92dB@10kHz 22uA 266mV@(300mA) -40℃~+125℃ 固定 5V 8.5uVRMS 40V
输出电流: 300mA
电源纹波抑制比(PSRR): 92dB@10kHz
待机电流: 22uA
压差: 266mV@(300mA)
工作温度: -40℃~+125℃
输出类型: 固定
输出电压: 5V
噪声: 8.5uVRMS
最大输入电压: 40V
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 12.74
10+: ¥ 10.95
30+: ¥ 9.84
100+: ¥ 8.7
500+: ¥ 8.18
合计总额: ¥ 12.7400
GM1207AUJZ-5.0-R7
封装: SOT-23
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) SOT-23 300mA 92dB@(10kHz) 22uA 300mV 固定 -55℃~+125℃ 5V 8.5uVRMS 20V
输出电流: 300mA
电源纹波抑制比(PSRR): 92dB@(10kHz)
待机电流: 22uA
压差: 300mV
输出类型: 固定
工作温度: -55℃~+125℃
输出电压: 5V
噪声: 8.5uVRMS
最大输入电压: 20V
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 6.32
10+: ¥ 6.18
30+: ¥ 6.08
100+: ¥ 5.99
合计总额: ¥ 6.3200
GM1207AUJZ-3.3-R7
封装: SOT-23
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) SOT-23 300mA 92dB@(10kHz) 22uA 300mV 固定 -55℃~+125℃ 3.3V 8.5uVRMS 20V
输出电流: 300mA
电源纹波抑制比(PSRR): 92dB@(10kHz)
待机电流: 22uA
压差: 300mV
输出类型: 固定
工作温度: -55℃~+125℃
输出电压: 3.3V
噪声: 8.5uVRMS
最大输入电压: 20V
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 9.35
10+: ¥ 8.1
30+: ¥ 7.31
100+: ¥ 6.51
500+: ¥ 6.14
1000+: ¥ 5.99
合计总额: ¥ 9.3500
GM1207AUJZ-1-R7
封装: SOT-23
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) SOT-23 300mA 92dB@(10kHz) 22uA 300mV 可调 -55℃~+150℃ 1.22V~20V 8.5uVRMS 20V
输出电流: 300mA
电源纹波抑制比(PSRR): 92dB@(10kHz)
待机电流: 22uA
压差: 300mV
输出类型: 可调
工作温度: -55℃~+150℃
输出电压: 1.22V~20V
输出极性: -
噪声: 8.5uVRMS
输出通道数: -
最大输入电压: 20V
特性: -
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 6.32
10+: ¥ 6.18
30+: ¥ 6.08
100+: ¥ 5.99
合计总额: ¥ 6.3200
GM1207ACPZ-R7
封装: DFN-6(2x2)
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) DFN-6(2x2) 300mA 92dB@10kHz 22uA 300mV@(300mA) 可调 -55℃~+125℃ 1.2V~5V 8.5uVRMS 20V
输出电流: 300mA
电源纹波抑制比(PSRR): 92dB@10kHz
待机电流: 22uA
压差: 300mV@(300mA)
输出类型: 可调
工作温度: -55℃~+125℃
输出电压: 1.2V~5V
噪声: 8.5uVRMS
最大输入电压: 20V
482
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 9.66
10+: ¥ 8.4
30+: ¥ 7.62
100+: ¥ 6.81
合计总额: ¥ 9.6600
GM1207ACPZ-5.0-R7
封装: DFN-6(2x2)
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) DFN-6(2x2) 300mA 92dB@(10kHz) 22uA 240mV 固定 -40℃~+150℃ 5V 8.5uVRMS 20V
输出电流: 300mA
电源纹波抑制比(PSRR): 92dB@(10kHz)
待机电流: 22uA
压差: 240mV
输出类型: 固定
工作温度: -40℃~+150℃
输出电压: 5V
噪声: 8.5uVRMS
最大输入电压: 20V
300
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 9.35
10+: ¥ 8.1
30+: ¥ 7.31
100+: ¥ 6.51
合计总额: ¥ 9.3500
GM1207ACPZ-3.3-R7
封装: DFN-6(2x2)
描述:
线性稳压器(LDO) GONGMOSEMI(共模半导体) DFN-6(2x2) 300mA 92dB@10kHz 22uA 300mV@(300mA) 固定 -55℃~+125℃ 3.3V 8.5uVRMS 20V 低ESR;过流保护(OCP);热保护(TSD);带使能;短路保护;欠压闭锁;浪涌保护;软启动
输出电流: 300mA
电源纹波抑制比(PSRR): 92dB@10kHz
待机电流: 22uA
压差: 300mV@(300mA)
输出类型: 固定
工作温度: -55℃~+125℃
输出电压: 3.3V
噪声: 8.5uVRMS
最大输入电压: 20V
特性: 低ESR;过流保护(OCP);热保护(TSD);带使能;短路保护;欠压闭锁;浪涌保护;软启动
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 6.29
10+: ¥ 6.15
30+: ¥ 6.05
100+: ¥ 5.95
合计总额: ¥ 6.2900
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