江苏固得沃克微电子科技有限公司,于2019年成立。厂房面积2万平米,位于江苏盐城。总部位于深圳，于2004年成立。公司拥有经验丰富的资深工程技术人员以及专业的管理团队，全面自主研发生产。是一家专业研发生产二三极管，桥式整流器，MOS管的半导体制造商、服务商拥有自主品牌“GK，GW”。
公司产品包括：普通整流二极管、快速恢复二极管、高效二极管、超快速恢复二极管、肖特基二极管、瞬态电压抑制TVS二极管、稳压二极管、小信号二极管、整流桥堆、快速桥堆及肖特基桥堆，MOS管与三极管系列产品。
本公司致力于打造成为具有国际影响力的半导体品牌，顺应时代需求，不断创新，秉承“追求卓越品质，坚持服务至上，缔造一流品牌”的经营理念，坚持奉行“客户至上、品质第一、精益求精、追求卓越”的质量方针，使产品质量不断提高，竭诚为新老客户提供最优品质和最具成本竞争优势的产品，积极合作，共谋发展。
类目： -
全部
-
晶闸管(可控硅)/模块
-
电压基准芯片
-
晶体管输出光耦
-
电池管理
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整流桥
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稳压二极管
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快恢复/高效率二极管
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通用二极管
-
三极管(BJT)
-
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
-
开关二极管
-
肖特基二极管
-
场效应管(MOSFET)
-
线性稳压器(LDO)
封装： -
全部
-
PDFN-8(3x3)
-
TO-220AB-3
-
SMAS
-
KBPC-10
-
IBS
-
TO-126
-
SOD-523
-
DFN1006-2(SOD-882)
-
DFN0603
-
TO-247S
-
TO-247
-
TO-220AB
-
SMD-4P
-
SOT-89
-
D3K
-
DIP-4
-
ITO-220AC
-
TO-247AD
-
TO-247AC
-
SOT-23-3
-
TO-220F
-
SMA
-
SMC
-
SMA-F
-
SMBF
-
R-6
-
ITO-220AB-3
-
TO-220AC
-
TO-263
-
WOL
-
SKBPC
-
S25VB
-
-
-
KBPC-W
-
KBPC
-
GBPC-W
-
GBPC
-
KBPC-6
-
GBJ
-
KBJ
-
KBU
-
KBP
-
GBP
-
MB-1
-
DB-1S
-
DBS
-
DB-1
-
MBS
-
UMB
-
SOD-323
-
ABS
-
DO-15
-
GBL
-
KBL
-
SMB
-
SOP-4
-
A-405
-
GBU
-
SOT-23-6
-
DO-41
-
UMSB
-
SOT-23-3L
-
ITO-220AB
-
SOD-123
-
MBF
-
ITO-220F
-
DO-27
-
SOT-23(TO-236)
-
SMC(DO-214AB)
-
SMB(DO-214AA)
-
SMAF
-
SMA(DO-214AC)
-
TO-220
-
PDFN-8(5x6)
-
TO-252
-
TO-277
-
SOD-123FL
-
SOT-23
-
TO-252-2(DPAK)
当前 “GOODWORK(固得沃克)”
共1,008件相关型号
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 16A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 580mΩ
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 5.02
10+： ¥ 4.16
50+： ¥ 3.53
100+： ¥ 3.1
500+： ¥ 2.84
1000+： ¥ 2.71
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 150A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.5mΩ@10V,30A
功率(Pd)： 87W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 718pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 6.272nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 143nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 2.83
10+： ¥ 2.26
30+： ¥ 2.02
100+： ¥ 1.72
500+： ¥ 1.59
1000+： ¥ 1.51
1+： ¥ 1.656
10+： ¥ 1.62
30+： ¥ 1.593
5+： ¥ 0.50659
50+： ¥ 0.49413
150+： ¥ 0.4858
500+： ¥ 0.4774
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 5A
功率(Pd)： 1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 110mΩ@10V,3.0A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.8V@250uA
类型： 1个N沟道
31813
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.239554
100+： ¥ 0.197554
300+： ¥ 0.176554
3000+： ¥ 0.13734
6000+： ¥ 0.12474
9000+： ¥ 0.11844
1+： ¥ 5.985
10+： ¥ 5.04
50+： ¥ 4.518
1+： ¥ 0.505325
10+： ¥ 0.406725
30+： ¥ 0.357425
100+： ¥ 0.32045
500+： ¥ 0.29087
1000+： ¥ 0.27608
1+： ¥ 3.91
10+： ¥ 3.2
50+： ¥ 2.85
100+： ¥ 2.5
500+： ¥ 2.3
1000+： ¥ 2.19
1+： ¥ 2.853
10+： ¥ 2.367
30+： ¥ 2.124
100+： ¥ 1.89
500+： ¥ 1.746
1000+： ¥ 1.665
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 100A
功率(Pd)： 62.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.5mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 282pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.1nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 45nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
5+： ¥ 1.1408
50+： ¥ 0.914
150+： ¥ 0.8168
500+： ¥ 0.6956
2500+： ¥ 0.6416
5+： ¥ 1.073762
50+： ¥ 0.88924
150+： ¥ 0.810092
500+： ¥ 0.711392
2500+： ¥ 0.605454
5000+： ¥ 0.57904
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 82A
功率(Pd)： 37W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.3mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 41pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 814pF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 8nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃
5+： ¥ 1.0453
50+： ¥ 0.8437
150+： ¥ 0.7573
500+： ¥ 0.6495
2500+： ¥ 0.6015
5+： ¥ 0.8977
50+： ¥ 0.7293
150+： ¥ 0.6572
500+： ¥ 0.5672
2500+： ¥ 0.491
5000+： ¥ 0.467
5+： ¥ 2.00484
50+： ¥ 1.62684
200+： ¥ 1.46484
反向电流(Ir)： 1uA@12.2V
阻抗(Zzt)： 10Ω
二极管配置： 独立式
功率(Pd)： 2W
稳压值(范围)： 15.2V~16.8V
稳压值(标称值)： 16V
10+： ¥ 0.18633
100+： ¥ 0.18201
300+： ¥ 0.17913
1000+： ¥ 0.17625
5+： ¥ 1.2986
50+： ¥ 1.0455
150+： ¥ 0.937
500+： ¥ 0.8016
2500+： ¥ 0.7233
5000+： ¥ 0.6871
电源纹波抑制比(PSRR)： 60dB@(120Hz)
输出电流： 1A
工作温度： 0℃~+125℃
输出类型： 固定
输出电压： 5V
输出通道数： 1
最大输入电压： 35V
特性： 热保护(TSD);短路保护
5+： ¥ 0.62094
50+： ¥ 0.50094
150+： ¥ 0.44094
500+： ¥ 0.39594
2500+： ¥ 0.34194
5000+： ¥ 0.32394
反向电流(Ir)： 1uA@69V
阻抗(Zzt)： 250Ω
二极管配置： 独立式
稳压值(范围)： 86V~96V
功率(Pd)： 1W
稳压值(标称值)： 91V
1990
最小包：2000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.151938
100+： ¥ 0.123338
300+： ¥ 0.109038
2000+： ¥ 0.09295
4000+： ¥ 0.08437
8000+： ¥ 0.08008
45500
最小包：3000
起订量：50
增量：50
50+： ¥ 0.06594
500+： ¥ 0.05334
3000+： ¥ 0.042924
6000+： ¥ 0.038724
30000+： ¥ 0.035084
45000+： ¥ 0.033124
集电极截止电流(Icbo)： 100nA
集射极击穿电压(Vceo)： 45V
功率(Pd)： 300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 630@100mA,1V
集电极电流(Ic)： 500mA
特征频率(fT)： 100MHz
晶体管类型： NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 700mV@500mA,50mA
工作温度： -55℃~+150℃
4400
最小包：3000
起订量：50
增量：50
50+： ¥ 0.08932
500+： ¥ 0.07132
3000+： ¥ 0.05912
6000+： ¥ 0.05312
30000+： ¥ 0.04792
45000+： ¥ 0.04512
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