深圳市顾邦半导体科技有限公司，原深圳市顾邦科技有限公司，成立2015年，是一家技术驱动型的半导体和可穿戴智能设备公司。起步于可穿戴智能设备和智能数据管理平台，依据终端设备和信息平台融合，助力智慧城市管理。为响应国产化需求、打通上下游供应链，开拓功率半导体市场，专注高性能产品开发、核心技术创新与高端人才培养。技术积累深厚，拥有多项核心专利，产品广泛应用于通信和数据中心、传统工业和高端消费市场。核心团队来自行业一流半导体公司，行业平均经验超过15年。
持续性聚焦功率半导体市场，为业界提供高效、可靠、完备的功率半导体解决方案。
类目： -
全部
-
场效应管(MOSFET)
-
AC-DC控制器和稳压器
-
栅极驱动芯片
-
线性稳压器(LDO)
-
DC-DC电源芯片
-
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
封装： -
全部
-
TO-220
-
TO-247
-
PDFN-8L(3.3x3.3)
-
PDFN-8L(5x6)
-
PDFN-8-EP(5x6)
-
ESOP-8L
-
DFN-8L-EP(4x4)
-
WSON-8-EP(3x3)
-
SOIC-8L
-
DFN-8
-
EMSOP-8
-
TSOT23-5
-
QFN-20-EP(3.5x3.5)
-
DFN-8L(3x3)
-
SOP-10
-
TSOT-6L
-
SOP-8
-
SOT23-6
-
PDFN-9L(8x8)
当前 “GOSEMICON(顾邦半导体)”
共27件相关型号
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 23A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 50mΩ@10V,16.4A
功率(Pd)： 192W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V
反向传输电容(Crss@Vds)： 4pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.3nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 95nC
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 18.11
10+： ¥ 16.17
30+： ¥ 14.7
100+： ¥ 14
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 23A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 50mΩ@10V,16.4A
功率(Pd)： 192W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.1V
反向传输电容(Crss@Vds)： 4pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.3nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 95nC
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 18.11
10+： ¥ 16.17
30+： ¥ 14.7
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 34A
功率(Pd)： 450W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 34mΩ@10V,25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V
反向传输电容(Crss@Vds)： 4pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 6.3nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 130nC
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 21.55
10+： ¥ 19.24
30+： ¥ 17.49
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 58A
功率(Pd)： 227W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 29mΩ@10V,25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V
反向传输电容(Crss@Vds)： 9pF
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 6.3nF
栅极电荷(Qg@Vgs)： 136nC
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 23.2
10+： ¥ 20.71
30+： ¥ 18.83
1+： ¥ 3.44
10+： ¥ 2.86
30+： ¥ 2.56
100+： ¥ 2.27
500+： ¥ 2.1
1+： ¥ 3.44
10+： ¥ 2.86
30+： ¥ 2.56
100+： ¥ 2.27
500+： ¥ 2.1
1000+： ¥ 2.01
1+： ¥ 2.12
10+： ¥ 2.07
30+： ¥ 2.04
100+： ¥ 2.01
1+： ¥ 12.93
10+： ¥ 11.2
30+： ¥ 10.11
100+： ¥ 9
500+： ¥ 8.49
1000+： ¥ 8.279999
1+： ¥ 6.45
10+： ¥ 5.47
30+： ¥ 4.93
100+： ¥ 4.33
500+： ¥ 4.059999
1000+： ¥ 3.94
1+： ¥ 6.45
10+： ¥ 5.47
30+： ¥ 4.93
100+： ¥ 4.33
500+： ¥ 4.059999
1000+： ¥ 3.94
工作温度： -40℃~+125℃
传播延迟 tpHL： 15ns
驱动通道数： 2
是否隔离： 非隔离
负载类型： MOSFET;IGBT
峰值拉电流： 5A
上升时间： 8ns
下降时间： 6ns
电源电压： 4.5V~24V
传播延迟 tpLH： 14ns
峰值灌电流： 5A
5+： ¥ 1.71
50+： ¥ 1.53
150+： ¥ 1.39
500+： ¥ 1.32
工作温度： -40℃~+125℃
传播延迟 tpHL： 13ns
驱动通道数： 2
是否隔离： 非隔离
负载类型： MOSFET;IGBT
峰值拉电流： 5A
上升时间： 8.5ns
下降时间： 6.5ns
电源电压： 4.5V~20V
传播延迟 tpLH： 13ns
峰值灌电流： 5A
5+： ¥ 1.72
50+： ¥ 1.56
150+： ¥ 1.44
500+： ¥ 1.32
2500+： ¥ 1.29
工作温度： -40℃~+125℃
传播延迟 tpHL： 15ns
驱动通道数： 2
是否隔离： 非隔离
负载类型： MOSFET;IGBT
峰值拉电流： 5A
上升时间： 8ns
下降时间： 6ns
电源电压： 4.5V~24V
传播延迟 tpLH： 14ns
峰值灌电流： 5A
5+： ¥ 1.7
50+： ¥ 1.52
150+： ¥ 1.38
500+： ¥ 1.32
2500+： ¥ 1.29
1+： ¥ 1.5782
10+： ¥ 1.2708
30+： ¥ 1.139
100+： ¥ 0.9747
600+： ¥ 0.9015
1200+： ¥ 0.8575
工作温度： -40℃~+125℃
传播延迟 tpHL： 13ns
驱动通道数： 1
是否隔离： 非隔离
负载类型： MOSFET;IGBT
峰值拉电流： 5A
上升时间： 9ns
下降时间： 6ns
电源电压： 4.5V~20V
传播延迟 tpLH： 13ns
峰值灌电流： 5A
5+： ¥ 1.49
50+： ¥ 1.33
150+： ¥ 1.21
500+： ¥ 1.15
2500+： ¥ 1.12
5000+： ¥ 1.09
1+： ¥ 6.42
10+： ¥ 5.45
30+： ¥ 4.91
100+： ¥ 4.31
500+： ¥ 4.04
1000+： ¥ 3.92
1+： ¥ 7.63
10+： ¥ 6.47
30+： ¥ 5.83
100+： ¥ 5.11
500+： ¥ 4.79
1000+： ¥ 4.65
1+： ¥ 17.34
10+： ¥ 15.01
30+： ¥ 13.56
100+： ¥ 12.06
500+： ¥ 11.39
1000+： ¥ 11.1
同步整流： 否
功能类型： 降压型
工作温度： -40℃~+125℃
输出通道数： 1
拓扑结构： 降压式
开关管(内置/外置)： 内置
输入电压： 4.5V~60V
输出电流： 3A
静态电流(Iq)： 100uA
开关频率： 2.5MHz
1+： ¥ 3.29
10+： ¥ 2.94
30+： ¥ 2.67
100+： ¥ 2.55
500+： ¥ 2.48
1000+： ¥ 2.41
同步整流： 否
功能类型： 降压型
工作温度： -40℃~+125℃
输出通道数： 1
拓扑结构： 降压式
开关管(内置/外置)： 内置
输入电压： 4.5V~60V
输出电流(最大值)： 3A
静态电流(Iq)： 100uA
开关频率： 2.5MHz
1+： ¥ 3.79
10+： ¥ 3.38
30+： ¥ 3.07
100+： ¥ 2.93
500+： ¥ 2.85
1000+： ¥ 2.77
