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首页 品牌列表 HL(富海微)

HL(富海微)

网址：https://www.iseachip.cn/
深圳市富海微电子股份有限公司位于中国深圳，是一家以MCU、马达驱动及系统控制为主的"国家高新技术企业"芯片设计公司。公司技术人员在集成电路设计行业有多年的行业经验，熟悉芯片设计、验证、布局、测试、封装和销售各环节，为行业客户提供完整的芯片解决方案和ASIC定制服务。我们正在进一步发挥在研发、生产、渠道等综合优势，向产业链上下游延伸发展，努力实现跨越式发展，为客户提供最快、最优的支持和专业技术服务。
类目：
  • 全部
  • 电池管理
  • 线性稳压器(LDO)
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • DFN5x6
  • SOT-89-3
  • SOT23-6
  • SOT23-5
  • ESOP-8
  • PDFN-8L(5x6)
  • PDFN-8L(3x3)
  • TO-220
  • PDFN5X6-8
  • SOT-23-6L
  • SOT23
  • SOT-23
  • DFN2x2
  • PDFN-8-EP(5x6)
  • PDFN-8(5x6)
  • SOT-23-6
  • SOT-89-3L
  • PDFN-8-EP(3x3)
  • DFN3x3
  • TO252
  • SOT-23-3L
  • SOT23-3L
  • SOP-8
  • PDFN-8(3x3)
  • TO-252
  • PDFN(5x6)
  • PDFN(3x3)
  • TOLL
  • TOLL-8L
当前 “HL(富海微)” 共142件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度（含税价格）

数量

操作

6800B
6800B
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： SOT-23-6
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) SOT-23-6 30V 4.5A 29mΩ 2.5V 2个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 4.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 29mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 2个N沟道
5028
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.2288
100+： ¥ 0.1848
300+： ¥ 0.1628
3000+： ¥ 0.1463
6000+： ¥ 0.1331
9000+： ¥ 0.1265
合计总额： ¥ 2.2880
15P06
15P06
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) TO-252 60V 15A 70mΩ 2.5V 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 15A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 70mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个P沟道
9830
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.6864
50+： ¥ 0.5544
150+： ¥ 0.4884
500+： ¥ 0.4389
2500+： ¥ 0.3993
5000+： ¥ 0.3795
合计总额： ¥ 3.4320
6206A33
6206A33
类目： 线性稳压器(LDO)
品牌： HL(富海微)
封装： SOT-23-3L
描述：
线性稳压器(LDO) HL(富海微) SOT-23-3L
无
60005
最小包：3000
起订量：50
增量：50
50+： ¥ 0.088
500+： ¥ 0.07
3000+： ¥ 0.06
6000+： ¥ 0.054
24000+： ¥ 0.0488
51000+： ¥ 0.046
合计总额： ¥ 4.4000
120P03
120P03
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) TO-252 30V 120A 2.5mΩ 2.5V 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.5mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个P沟道
2415
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 2.0314
50+： ¥ 1.6345
150+： ¥ 1.4644
500+： ¥ 1.2522
2500+： ¥ 1.1577
5000+： ¥ 1.101
合计总额： ¥ 10.1570
120N03F
120N03F
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： PDFN(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) PDFN(5x6) 30V 120A 3mΩ 2.5V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个N沟道
7330
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.821
50+： ¥ 0.653
150+： ¥ 0.581
500+： ¥ 0.4911
2500+： ¥ 0.4511
5000+： ¥ 0.4271
合计总额： ¥ 4.1050
120N03
120N03
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) TO-252 30V 120A 4.4mΩ 2.5V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.4mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个N沟道
3500
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.77885
50+： ¥ 0.63085
150+： ¥ 0.55685
500+： ¥ 0.501349
2500+： ¥ 0.45695
5000+： ¥ 0.43475
合计总额： ¥ 3.8943
10P10
10P10
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) TO-252 100V 10A 180mΩ 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 180mΩ
类型： 1个P沟道
4960
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.185
50+： ¥ 0.9535
150+： ¥ 0.8543
500+： ¥ 0.7305
2500+： ¥ 0.6753
合计总额： ¥ 5.9250
10P06
10P06
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) TO-252 60V 10A 100mΩ 2.5V 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 100mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个P沟道
1765
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.658564
50+： ¥ 0.524644
150+： ¥ 0.457684
500+： ¥ 0.407464
2500+： ¥ 0.367288
5000+： ¥ 0.3472
合计总额： ¥ 3.2928
10N06Q
10N06Q
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： SOT-89-3L
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) SOT-89-3L
无
1000
最小包：1000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.260758
100+： ¥ 0.212758
300+： ¥ 0.188758
1000+： ¥ 0.170758
合计总额： ¥ 2.6076
10N06
10N06
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) SOP-8 60V 10A 40mΩ 2.5V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 40mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个N沟道
4030
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.3857
100+： ¥ 0.3097
300+： ¥ 0.2717
3000+： ¥ 0.2432
6000+： ¥ 0.2204
9000+： ¥ 0.209
合计总额： ¥ 3.8570
10G04S
10G04S
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) SOP-8 40V 10A 17mΩ;34mΩ 2.5V 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 17mΩ;34mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个N沟道+1个P沟道
2730
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.5894
50+： ¥ 0.4774
150+： ¥ 0.4214
500+： ¥ 0.3794
3000+： ¥ 0.3458
6000+： ¥ 0.329
合计总额： ¥ 2.9470
60P03D
60P03D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： DFN3x3
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) DFN3x3 30V 55A 7.5mΩ 2.5V 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 55A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7.5mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个P沟道
4280
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.6795
50+： ¥ 0.5934
150+： ¥ 0.5565
500+： ¥ 0.510499
2500+： ¥ 0.49
5000+： ¥ 0.4777
合计总额： ¥ 3.3975
60N04D
60N04D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： PDFN-8-EP(3x3)
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) PDFN-8-EP(3x3) 40V 60A 6.9mΩ 3V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.9mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V
类型： 1个N沟道
12894
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.6169
50+： ¥ 0.4929
150+： ¥ 0.4309
500+： ¥ 0.3844
2500+： ¥ 0.3472
5000+： ¥ 0.3286
合计总额： ¥ 3.0845
60N04B
60N04B
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) TO-252 40V 60A 7.7mΩ 2.5V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7.7mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个N沟道
4890
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.597
50+： ¥ 0.477
150+： ¥ 0.417
500+： ¥ 0.372
2500+： ¥ 0.336
5000+： ¥ 0.318
合计总额： ¥ 2.9850
60N03D
60N03D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： DFN3x3
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) DFN3x3 30V 60A 4.7mΩ 2.5V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.7mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个N沟道
14405
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.5286
50+： ¥ 0.4206
150+： ¥ 0.3666
500+： ¥ 0.3261
2500+： ¥ 0.2937
5000+： ¥ 0.2775
合计总额： ¥ 2.6430
60N03
60N03
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) TO-252 30V 60A 6.5mΩ 2.5V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.5mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个N沟道
28325
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.486312
50+： ¥ 0.386952
150+： ¥ 0.337272
500+： ¥ 0.300012
2500+： ¥ 0.270204
5000+： ¥ 0.2553
合计总额： ¥ 2.4316
60N02D
60N02D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： DFN3x3
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) DFN3x3 20V 60A 4mΩ 1.1V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.1V
类型： 1个N沟道
4460
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.4557
50+： ¥ 0.3997
150+： ¥ 0.3717
500+： ¥ 0.3507
2500+： ¥ 0.3339
5000+： ¥ 0.3255
合计总额： ¥ 2.2785
60N02
60N02
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) TO-252 20V 60A 6mΩ 1.1V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.1V
类型： 1个N沟道
8225
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.4305
50+： ¥ 0.3465
150+： ¥ 0.3045
500+： ¥ 0.273
2500+： ¥ 0.2478
5000+： ¥ 0.2352
合计总额： ¥ 2.1525
65N06
65N06
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： TO252
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) TO252 60V 65A 6.8mΩ 4V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 65A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6.8mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V
类型： 1个N沟道
4885
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.1466
50+： ¥ 0.9156
150+： ¥ 0.8166
500+： ¥ 0.693
2500+： ¥ 0.638
5000+： ¥ 0.605
合计总额： ¥ 5.7330
100N02
100N02
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HL(富海微)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HL(富海微) TO-252 20V 100A 2.7mΩ 1V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.7mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1V
类型： 1个N沟道
1455
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.609
50+： ¥ 0.489
150+： ¥ 0.429
500+： ¥ 0.384
2500+： ¥ 0.348
5000+： ¥ 0.33
合计总额： ¥ 3.0450
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