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Hottech(合科泰)

合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
类目:
  • 全部
  • 电压基准芯片
  • 电池管理
  • 稳压二极管
  • 三极管(BJT)
  • 线性稳压器(LDO)
  • 开关二极管
  • 快恢复/高效率二极管
  • 整流桥
  • 通用二极管
  • 场效应管(MOSFET)
  • 肖特基二极管
封装:
  • 全部
  • TO-252-2(DPAK)
  • SOD-523
  • TO-223
  • SOT-223
  • TO-220
  • MBS
  • SMC(DO-214AB)
  • SOP-8-150mil
  • SOP-8
  • SOT-23-6
  • LL-34
  • SOT-323-6
  • PDFN(5x6)
  • SMB(DO-214AA)
  • SMA
  • TSSOP-8
  • SOT-23
  • SO-8
  • MBF
  • SOT-89
  • SOD-323
  • SMBF
  • ABS
  • DBS
  • SOD-123
  • SMAF
  • SMA(DO-214AC)
  • SOT-23(TO-236)
  • PDFN3333
  • PDFN-8L(3x3)
  • PDFN-8(5x6)
  • PDFN5x6
  • TO-252
  • SOD-123FL
当前 “Hottech(合科泰)” 共349件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

SS320L
封装: SOD-123FL
描述:
肖特基二极管 Hottech(合科泰) SOD-123FL
2940
最小包:3000
起订量:10
增量:10
10+: ¥ 0.269966
100+: ¥ 0.218666
300+: ¥ 0.193016
合计总额: ¥ 2.6997
SI2303
封装: SOT-23
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) SOT-23 30V 1.9A 190mΩ@10V,1.9A 350mW 3V@250uA 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 1.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ@10V,1.9A
功率(Pd): 350mW
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA
类型: 1个P沟道
7
最小包:3000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.247138
50+: ¥ 0.199638
150+: ¥ 0.175888
合计总额: ¥ 1.2357
HKTQ80N03
封装: PDFN3333
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) PDFN3333 30V 30A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 30A
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
类型: 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
工作温度: -
3380
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.583996
50+: ¥ 0.512746
150+: ¥ 0.477121
500+: ¥ 0.450403
2500+: ¥ 0.429028
合计总额: ¥ 2.9200
HKTQ65N03
封装: PDFN3333
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) PDFN3333 30V 65A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 65A
类型: 1个N沟道
4820
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.66918
50+: ¥ 0.584345
150+: ¥ 0.548055
500+: ¥ 0.502739
2500+: ¥ 0.482505
合计总额: ¥ 3.3459
HKTQ60N02
封装: PDFN3333
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) PDFN3333 20V 50A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id): 50A
类型: 1个N沟道
4980
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.42845
50+: ¥ 0.3762
150+: ¥ 0.350075
500+: ¥ 0.330481
2500+: ¥ 0.314806
合计总额: ¥ 2.1422
HKTQ50N03
封装: PDFN3333
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) PDFN3333 30V 50A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 50A
类型: 1个N沟道
4315
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.45961
50+: ¥ 0.40356
150+: ¥ 0.375535
500+: ¥ 0.354516
2500+: ¥ 0.337701
合计总额: ¥ 2.2980
HKTQ30N03
封装: PDFN-8L(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) PDFN-8L(3x3) 30V 30A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 30A
类型: 1个N沟道
3915
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.415075
50+: ¥ 0.360925
150+: ¥ 0.33385
500+: ¥ 0.313544
2500+: ¥ 0.297299
合计总额: ¥ 2.0754
HKTG50N03
封装: PDFN5x6
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) PDFN5x6 30V 50A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 50A
类型: 1个N沟道
5000
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.49077
50+: ¥ 0.43092
150+: ¥ 0.400995
500+: ¥ 0.378551
2500+: ¥ 0.360596
5000+: ¥ 0.351619
合计总额: ¥ 2.4539
HKTG48N10
封装: PDFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) PDFN-8(5x6) 100V 79A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 79A
类型: 1个N沟道
3443
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.9855
10+: ¥ 1.7385
30+: ¥ 1.634
100+: ¥ 1.501
500+: ¥ 1.444
1000+: ¥ 1.406
合计总额: ¥ 1.9855
HKTG150N03
封装: PDFN5x6
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) PDFN5x6 30V 150A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 150A
类型: 1个N沟道
0
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.907
200+: ¥ 1.16
500+: ¥ 1.1212
1000+: ¥ 1.102
合计总额: ¥ 2.9070
HKTD80N03
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) TO-252 30V 80A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 80A
类型: 1个N沟道
2500
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.604295
50+: ¥ 0.52288
150+: ¥ 0.488015
500+: ¥ 0.444505
2500+: ¥ 0.425125
合计总额: ¥ 3.0215
HKTD7N65
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) TO-252 650V 7A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 650V
连续漏极电流(Id): 7A
类型: 1个N沟道
1340
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 1.415595
50+: ¥ 1.14627
150+: ¥ 1.030845
500+: ¥ 0.886825
合计总额: ¥ 7.0780
HKTD70N04
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) TO-252 40V 70A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id): 70A
类型: 1个N沟道
2495
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.747935
50+: ¥ 0.653125
150+: ¥ 0.61256
500+: ¥ 0.56183
合计总额: ¥ 3.7397
HKTD5N50
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) TO-252 500V 5A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 500V
连续漏极电流(Id): 5A
类型: 1个N沟道
2235
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.837425
50+: ¥ 0.72865
150+: ¥ 0.6821
500+: ¥ 0.62396
合计总额: ¥ 4.1871
HKTD5N20
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) TO-252 200V 5A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 200V
连续漏极电流(Id): 5A
类型: 1个N沟道
1405
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.785337
50+: ¥ 0.639037
150+: ¥ 0.565887
500+: ¥ 0.511024
合计总额: ¥ 3.9267
HKTD50N06
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) TO-252 60V 50A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 50A
类型: 1个N沟道
600
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.714281
50+: ¥ 0.571781
150+: ¥ 0.50053
500+: ¥ 0.447094
合计总额: ¥ 3.5714
HKTD50N03
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) TO-252 30V 50A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 50A
类型: 1个N沟道
2500
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.569929
50+: ¥ 0.461629
150+: ¥ 0.407479
500+: ¥ 0.366866
2500+: ¥ 0.334376
合计总额: ¥ 2.8496
HKTD20N06
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) TO-252 60V 20A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 20A
类型: 1个N沟道
2255
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.615923
50+: ¥ 0.498883
150+: ¥ 0.440363
500+: ¥ 0.396473
合计总额: ¥ 3.0796
HKTD4N50
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) TO-252 500V 5A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 500V
连续漏极电流(Id): 5A
类型: 1个N沟道
2500
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.77938
50+: ¥ 0.680675
150+: ¥ 0.638305
500+: ¥ 0.585485
2500+: ¥ 0.56202
合计总额: ¥ 3.8969
HKTD4N65
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) Hottech(合科泰) TO-252 650V 4A 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 650V
连续漏极电流(Id): 4A
类型: 1个N沟道
2500
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.826595
50+: ¥ 0.721905
150+: ¥ 0.67697
500+: ¥ 0.621015
2500+: ¥ 0.59603
合计总额: ¥ 4.1330
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