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HRmicro(华瑞微)

南京华瑞微集成电路有限公司(以下简称华瑞微)成立于2018年5月,公司地址位于南京市浦口高新区科创广场,是一家集功率器件产品研发、生产、销售和服务于一体的高新技术企业。华瑞微已经研发成功且量产的产品包括高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS,同时正在开展第三代半导体(SiC、GaN)功率器件的研发工作。2019年2月,公司与全国重点大学——西安交通大学通力合作,建立研究生校企合作培训基地,为在校硕士生提供良好的实践平台,切实承担企业社会责任。2019年12月,华瑞微就成功荣获国家级高新技术企业称号(证书编号:GR201932005836)。同年还获得“2019年度省级专精特新小巨人企业”、“江苏省民营科技企业”和“江苏省科技型中小企业”等荣誉称号。2021年6月被认定为“南京市工程技术研究中心”,同年7月获批“国家专精特新小巨人企业”。
类目:
  • 全部
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • TO-252-2
  • TO-220F-3
当前 “HRmicro(华瑞微)” 共2件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

HRT60N10D
封装: TO-252-2
描述:
场效应管(MOSFET) HRmicro(华瑞微) TO-252-2 1个N沟道 60V 75A 105W 7.5mΩ@10V,20A 3V@250uA 76nC@10V 4.938nF@30V 167pF@30V -55℃~+150℃@(Tj)
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 75A
功率(Pd): 105W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 76nC@10V
输入电容(Ciss@Vds): 4.938nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds): 167pF@30V
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
56
最小包:2500
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.6707
10+: ¥ 1.3557
30+: ¥ 1.2207
合计总额: ¥ 1.6707
HRM65R400FF
封装: TO-220F-3
描述:
场效应管(MOSFET) HRmicro(华瑞微) TO-220F-3
948
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.93
10+: ¥ 3.5
50+: ¥ 3.28
100+: ¥ 3.07
500+: ¥ 2.54
1000+: ¥ 2.48
合计总额: ¥ 3.9300
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