深圳市华科半导体有限公司坐落于深圳市宝安区福永镇凤塘大道50号鑫龙科技园。公司主要从事功率MOS管、肖特基二极管、快恢复二极管、功率三极管、可控硅等系列产品的研发与生产，产品广泛应用于适配器、LED驱动电源、手机充电器、开关电源、电子镇流器、电子变压器等领域。
封装： -
全部
-
TO-3P-3
-
TO-262
-
TO-220F
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0805
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TO-3P
-
TO-220
-
TO-220C
-
TO-252
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 13A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 380mΩ@10V,6.5A
功率(Pd)： 183W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 9.5pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 35nC@10V
1+： ¥ 2.4
10+： ¥ 1.92
50+： ¥ 1.71
100+： ¥ 1.45
500+： ¥ 1.34
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 13mΩ@10V,25A
功率(Pd)： 90W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 43pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.28nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 24nC@10V
5+： ¥ 1.4176
50+： ¥ 1.132
150+： ¥ 1.0096
500+： ¥ 0.8568
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 120A
功率(Pd)： 220W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.6mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 24pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 7.26nF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 114nC@10V
1+： ¥ 3.77
10+： ¥ 3.08
50+： ¥ 2.74
100+： ¥ 2.4
500+： ¥ 2.2
1000+： ¥ 2.09
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 120A
功率(Pd)： 172W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.9mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 25.7pF@40V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.81nF@40V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 64nC@10V
1+： ¥ 2.51
10+： ¥ 2
50+： ¥ 1.79
100+： ¥ 1.52
500+： ¥ 1.4
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 60A
功率(Pd)： 91W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 8.5mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.8V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 62pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.2nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 36.6nC@10V
5+： ¥ 1.7584
50+： ¥ 1.3972
150+： ¥ 1.2424
500+： ¥ 1.0492
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 50A
功率(Pd)： 78W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 13mΩ@10V,25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 43pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.28nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 24nC@10V
5+： ¥ 1.1049
50+： ¥ 0.8823
150+： ¥ 0.7869
500+： ¥ 0.6678
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 9A
功率(Pd)： 45W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 680mΩ@10V,4.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 7pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.07nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 29nC@10V
5+： ¥ 1.5009
50+： ¥ 1.1985
150+： ¥ 1.0689
500+： ¥ 0.9072
漏源电压(Vdss)： 700V
连续漏极电流(Id)： 7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.3Ω@10V,3.5A
功率(Pd)： 48W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 6pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.11nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 28.2nC@10V
5+： ¥ 1.4593
50+： ¥ 1.1653
150+： ¥ 1.0393
500+： ¥ 0.882
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 210mΩ@10V,10A
功率(Pd)： 67W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 8.5pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.05nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 51nC@10V
1+： ¥ 3.17
10+： ¥ 2.6
50+： ¥ 2.31
100+： ¥ 2.02
500+： ¥ 1.85
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 18A
功率(Pd)： 60W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 270mΩ@10V,9A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 9.5pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.62nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 45nC@10V
1+： ¥ 2.98
10+： ¥ 2.44
50+： ¥ 2.17
100+： ¥ 1.9
500+： ¥ 1.74
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 13A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 380mΩ@10V,6.5A
功率(Pd)： 50W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 9.5pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 35nC@10V
1+： ¥ 2.19
10+： ¥ 1.75
50+： ¥ 1.56
100+： ¥ 1.33
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 460mΩ@10V,5.5A
功率(Pd)： 48W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 8.1pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.514nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 33nC@10V
5+： ¥ 1.7719
50+： ¥ 1.4149
150+： ¥ 1.2619
500+： ¥ 1.071
反向电流(Ir)： 100uA
直流反向耐压(Vr)： 100V
二极管配置： 1对共阴极
整流电流： 15A
正向压降(Vf)： 820mV
5+： ¥ 0.7105
50+： ¥ 0.5705
150+： ¥ 0.500499
500+： ¥ 0.448
反向电流(Ir)： 100uA
直流反向耐压(Vr)： 200V
二极管配置： 1对共阴极
整流电流： 10A
正向压降(Vf)： 880mV
5+： ¥ 0.6699
50+： ¥ 0.5379
150+： ¥ 0.4719
500+： ¥ 0.4224
反向电流(Ir)： 100uA
直流反向耐压(Vr)： 150V
二极管配置： 1对共阴极
整流电流： 10A
正向压降(Vf)： 830mV
5+： ¥ 0.7308
50+： ¥ 0.5868
150+： ¥ 0.5148
500+： ¥ 0.4608
反向电流(Ir)： 100uA
直流反向耐压(Vr)： 100V
二极管配置： 1对共阴极
整流电流： 10A
正向压降(Vf)： 810mV
5+： ¥ 0.607954
50+： ¥ 0.487954
150+： ¥ 0.427954
500+： ¥ 0.382954
反向电流(Ir)： 100uA
直流反向耐压(Vr)： 200V
二极管配置： 1对共阴极
正向压降(Vf)： 840mV
整流电流： 5A
5+： ¥ 0.5684
50+： ¥ 0.4564
150+： ¥ 0.4004
500+： ¥ 0.3584
2500+： ¥ 0.3248
反向电流(Ir)： 100uA
直流反向耐压(Vr)： 150V
二极管配置： 1对共阴极
正向压降(Vf)： 800mV
整流电流： 5A
5+： ¥ 0.5684
50+： ¥ 0.4564
150+： ¥ 0.4004
500+： ¥ 0.3584
2500+： ¥ 0.3248
反向电流(Ir)： 100uA
直流反向耐压(Vr)： 100V
二极管配置： 1对共阴极
正向压降(Vf)： 770mV
整流电流： 5A
5+： ¥ 0.5278
50+： ¥ 0.4238
150+： ¥ 0.3718
500+： ¥ 0.3328
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 180mΩ@10V,10A
功率(Pd)： 185W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 4pF@100V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.17nF@100V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 39nC@10V
1+： ¥ 6.18
10+： ¥ 5.19
50+： ¥ 4.65
100+： ¥ 4.03
500+： ¥ 3.76
1000+： ¥ 3.63
