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首页 品牌列表 HUASHUO(华朔)

HUASHUO(华朔)

网址：http://www.hs-semi.cn/
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，以及特殊制程的IC Design in House。产品广泛应用于计算机，消费类电子，通讯电源，锂电等新能源产业。 华朔以追求绿色节能，高效可靠的产品态度，我们的使命就是为客户及员工创造价值。
类目：
  • 全部
  • 电池管理
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • TO-263-3
  • DFN-6(2x3)
  • SOT-723
  • SOT-523(SC-75)
  • DFN-8(5x5.8)
  • PQFN-8(3x3)
  • DFN-8(3.3x3.3)
  • SOT-223-4
  • DFN(3x3)
  • TSSOP-8
  • TO-247
  • SOT-23-6L
  • SOT-563
  • SOT-363
  • SOT-23L
  • TO-251
  • DFN-6L(2x2)
  • TOLL
  • TDSON-8-4
  • PRPAK-3x3
  • PRPAK-8(3x3)
  • PRPAK3x3
  • PRPAK5x6
  • PRPAK-5x6
  • PRPAK-8(5x6)
  • WLCSP-4
  • PRPAK-EP(3x3)
  • DFN-6-EP(3x2)
  • TDSON-8(6x5)
  • PRPAK(5x6)
  • TDSON-8-EP(6x5)
  • PRPAK(3x3)
  • TO-220F-3
  • TO-252-4
  • DFN-4(1x1)
  • DFN-8(5x6)
  • PQFN-8(5x6)
  • DFN-8(3x3)
  • DFN-6(2x2)
  • DFN-3(0.6x1)
  • SOT-323-6
  • SOT-323(SC-70)
  • SOT-23-6
  • TO-252
  • SOT-23(TO-236)
  • SOT-23-3L
  • SOT-23-3
  • TO-220
  • LFPRAK-8(5x6)
  • SOP-8
  • SOT-223
  • SOT-89
  • TO-263
当前 “HUASHUO(华朔)” 共487件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

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数量

操作

HSY0076A
HSY0076A
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TOLL
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TOLL 100V 320A 1.9mΩ@10V,90A 333W 4V@250uA 388pF@50V 1个N沟道 13.37nF@50V 215nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 320A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.9mΩ@10V,90A
功率(Pd)： 333W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 388pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 13.37nF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 215nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
1498
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 14.05
10+： ¥ 12.11
30+： ¥ 10.9
100+： ¥ 9.66
500+： ¥ 9.1
1000+： ¥ 8.86
合计总额： ¥ 14.0500
HSX80N20
HSX80N20
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-247 200V 80A 20mΩ@10V,30A 370W 4V@250uA 99pF@50V 1个N沟道 7.49nF@50V 115nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 20mΩ@10V,30A
功率(Pd)： 370W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 99pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 7.49nF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 115nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
60
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 12.77
10+： ¥ 11.01
30+： ¥ 9.91
合计总额： ¥ 12.7700
HSX120N20
HSX120N20
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-247 200V 120A 11mΩ@10V,20A 500W 4.5V@250uA 37pF@50V 1个N沟道 3.52nF@50V 46nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 11mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 500W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 37pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.52nF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 46nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
100
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 15.09
10+： ¥ 12.95
30+： ¥ 11.62
90+： ¥ 10.25
合计总额： ¥ 15.0900
HSX044N25
HSX044N25
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-247 250V 55A 350W 34mΩ@10V,5A 5V@250uA 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 250V
连续漏极电流(Id)： 55A
功率(Pd)： 350W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 34mΩ@10V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 5V@250uA
类型： 1个N沟道
300
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 13.26
10+： ¥ 11.51
30+： ¥ 10.41
100+： ¥ 9.28
合计总额： ¥ 13.2600
HSW6822
HSW6822
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) SOT-23-6L 20V 5A 22mΩ@4.5V,5A 1.7W 1.2V@250uA 63pF@10V 2个N沟道 480pF@10V 6.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 22mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)： 1.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.2V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 63pF@10V
类型： 2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 480pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 6.5nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
2980
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.421
100+： ¥ 0.341
300+： ¥ 0.301
合计总额： ¥ 4.2100
HSW6815
HSW6815
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) SOT-23-6L 20V 4A 750mW 38mΩ@4.5V,4A 700mV@250uA 2个P沟道
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 4A
功率(Pd)： 750mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 38mΩ@4.5V,4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 700mV@250uA
类型： 2个P沟道
2970
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.651895
50+： ¥ 0.531895
150+： ¥ 0.471895
500+： ¥ 0.426895
2500+： ¥ 0.390895
合计总额： ¥ 3.2595
HSW6113
HSW6113
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) SOT-23-6L 60V 4.5A 90mΩ@10V,3A 1.8W 2.5V@250uA 50pF@15V 1个P沟道 1.08nF@15V 11.8nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 4.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 90mΩ@10V,3A
功率(Pd)： 1.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 50pF@15V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.08nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 11.8nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
3000
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.2898
50+： ¥ 1.0378
150+： ¥ 0.9298
500+： ¥ 0.795
3000+： ¥ 0.735
合计总额： ¥ 6.4490
HSW2N10D
HSW2N10D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) SOT-23-6L 100V 2A 220mΩ@10V,2A 700mW 1.4V@250uA 2个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 220mΩ@10V,2A
功率(Pd)： 700mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.4V@250uA
类型： 2个N沟道
3000
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.651895
50+： ¥ 0.531895
150+： ¥ 0.471895
500+： ¥ 0.426895
2500+： ¥ 0.390895
合计总额： ¥ 3.2595
HSW2004
HSW2004
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： SOT-23-6L
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) SOT-23-6L 20V 4A 24mΩ@4.5V,4A;45mΩ@4.5V,4A 1.4W 1V@250uA 93pF@10V;92pF@10V 1个N沟道+1个P沟道 500pF@10V;661pF@10V 10nC@4.5V;6.9nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 24mΩ@4.5V,4A;45mΩ@4.5V,4A
功率(Pd)： 1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 93pF@10V;92pF@10V
类型： 1个N沟道+1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 500pF@10V;661pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 10nC@4.5V;6.9nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
3000
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.48415
50+： ¥ 0.39215
150+： ¥ 0.34615
500+： ¥ 0.31165
3000+： ¥ 0.28405
合计总额： ¥ 2.4207
HSU8119
HSU8119
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252 80V 70A 15mΩ@10V,20A 130W 2.5V@250uA 50pF@40V 1个P沟道 13.3nF@40V 190nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 80V
连续漏极电流(Id)： 70A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 15mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 130W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 50pF@40V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 13.3nF@40V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 190nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
656
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.91
10+： ¥ 4.01
30+： ¥ 3.56
100+： ¥ 3.11
500+： ¥ 2.85
合计总额： ¥ 4.9100
HSU8066
HSU8066
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252 80V 70A 8.7mΩ@10V,10A 55W 2.3V@250uA 12pF@40V 1个N沟道 1.738nF@40V 29nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 80V
连续漏极电流(Id)： 70A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 8.7mΩ@10V,10A
功率(Pd)： 55W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 12pF@40V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.738nF@40V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 29nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
2480
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.72
10+： ¥ 2.17
30+： ¥ 1.94
100+： ¥ 1.65
500+： ¥ 1.52
1000+： ¥ 1.44
合计总额： ¥ 2.7200
HSU6905
HSU6905
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252-4
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252-4 60V 23A 34.7W 32mΩ@10V,15A;30mΩ@10V,20A 2.5V@250uA 64pF@15V;241pF@15V 1个N沟道+1个P沟道 1.378nF@15V;2.245nF@15V 12.56nC@4.5V;25nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 23A
功率(Pd)： 34.7W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 32mΩ@10V,15A;30mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 64pF@15V;241pF@15V
类型： 1个N沟道+1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.378nF@15V;2.245nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 12.56nC@4.5V;25nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
2147
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.26
10+： ¥ 1.8
30+： ¥ 1.6
100+： ¥ 1.35
500+： ¥ 1.24
1000+： ¥ 1.18
合计总额： ¥ 2.2600
HSU6117
HSU6117
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252 60V 60A 14mΩ@10V,18A 90W 2.5V@250uA 241pF@30V 1个P沟道 4.635nF@30V 85nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 14mΩ@10V,18A
功率(Pd)： 90W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 241pF@30V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.635nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 85nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
352
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.47
10+： ¥ 2.81
30+： ¥ 2.48
100+： ¥ 2.15
合计总额： ¥ 3.4700
HSU6105
HSU6105
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252 60V 29A 35mΩ@10V,20A 45W 2.5V@250uA 241pF@15V 1个P沟道 2.235nF@15V 25nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 29A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 35mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 45W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 241pF@15V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.235nF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 25nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
220
最小包：78
起订量：6
增量：6
6+： ¥ 1.8942
60+： ¥ 1.5162
180+： ¥ 1.3542
合计总额： ¥ 11.3652
HSU5P20
HSU5P20
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252 200V 5A 2.4Ω@10V,1A 2W 4V@250uA 20pF@100V 1个P沟道 500pF@100V 8.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.4Ω@10V,1A
功率(Pd)： 2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 20pF@100V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 500pF@100V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 8.5nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
2364
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.58
10+： ¥ 2.08
30+： ¥ 1.86
100+： ¥ 1.59
500+： ¥ 1.47
1000+： ¥ 1.4
合计总额： ¥ 2.5800
HSU6048
HSU6048
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252 60V 90A 60W 3.6mΩ@10V,20A 2.3V@250uA 22pF@30V 1个N沟道 3.458nF@30V 58nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 90A
功率(Pd)： 60W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.6mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 22pF@30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.458nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 58nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
990
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.88
10+： ¥ 3.2
30+： ¥ 2.86
100+： ¥ 2.52
500+： ¥ 2.31
合计总额： ¥ 3.8800
HSU6066
HSU6066
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252 60V 72A 52W 5.5mΩ@10V,15A 2.3V@250uA 25pF@30V 1个N沟道 1.67nF@30V 33nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 72A
功率(Pd)： 52W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.5mΩ@10V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 25pF@30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.67nF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 33nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
275
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.36
10+： ¥ 1.33
30+： ¥ 1.31
100+： ¥ 1.29
合计总额： ¥ 1.3600
HSU4P25
HSU4P25
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252 250V 4A 4Ω@10V,0.3A 2W 4V@250uA 20pF@100V 1个P沟道 500pF@100V 8.9nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 250V
连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4Ω@10V,0.3A
功率(Pd)： 2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 20pF@100V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 500pF@100V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 8.9nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
2369
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.58
10+： ¥ 2.08
30+： ¥ 1.86
100+： ¥ 1.59
500+： ¥ 1.47
1000+： ¥ 1.4
合计总额： ¥ 2.5800
HSU55N02
HSU55N02
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252 20V 55A 7mΩ@4.5V,20A 29W 900mV@250uA 125pF@10V 1个N沟道 2.25nF@10V 23nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 20V
连续漏极电流(Id)： 55A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7mΩ@4.5V,20A
功率(Pd)： 29W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 900mV@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 125pF@10V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.25nF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 23nC@4.5V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
2500
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.5473
50+： ¥ 0.4433
150+： ¥ 0.3913
500+： ¥ 0.3523
2500+： ¥ 0.3211
合计总额： ¥ 2.7365
HSU5N25
HSU5N25
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HUASHUO(华朔)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) HUASHUO(华朔) TO-252 250V 5A 1.2Ω@10V,1A 2.7W 3V@250uA 8pF@100V 1个N沟道 670pF@100V 12.5nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 250V
连续漏极电流(Id)： 5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.2Ω@10V,1A
功率(Pd)： 2.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 8pF@100V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 670pF@100V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 12.5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
2500
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.4188
50+： ¥ 1.1416
150+： ¥ 1.0228
500+： ¥ 0.8745
2500+： ¥ 0.8085
合计总额： ¥ 7.0940
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