华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日，位于西安经济技术开发区草滩生态产业园，占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元，天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东，持有公司88.46%的股权。
封装： -
全部
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DPAK
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PPAK(5x6)
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TO-263-3
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TO-252-2
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DFN-8(5.2x5.9)
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TDSON-8(5.2x5.9)
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TO-220FB-3L
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TO-247
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TDSON-8(5.9x5.2)
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TOLL-8
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DFN-8(5.1x6.1)
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TO-263-2
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TO-252-2L
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PDFN5x6-8L
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TO-263-6L
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PDFN-8L(5x6)
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PPAK-8(5x6)
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DFN-6L(2x3)
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TO-263-6
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TO-247A-3L
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TO-220FPAB-3
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DFN-8(3x3)
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PPAK-8L(5x6)
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TO-263-2L
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TO-263
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TO-220
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TO-220F-3
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TO-252
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SOP-8
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TOLL
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DFN-8(5x6)
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PDFN-8(3.3x3.3)
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TO-220FB-3
当前 “HUAYI(华羿微)”
共354件相关型号
5+： ¥ 2.1337
50+： ¥ 1.7221
150+： ¥ 1.5457
500+： ¥ 1.25932
2500+： ¥ 1.16622
5000+： ¥ 1.11036
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 120A
功率(Pd)： 187.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.8mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 76pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 4.036nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 70nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
1+： ¥ 2.79
10+： ¥ 2.26
30+： ¥ 2.03
100+： ¥ 1.75
500+： ¥ 1.49
800+： ¥ 1.42
5+： ¥ 1.5689
50+： ¥ 1.2707
150+： ¥ 1.1429
500+： ¥ 0.9834
2500+： ¥ 0.8698
1+： ¥ 3.76
10+： ¥ 3.1
30+： ¥ 2.77
100+： ¥ 2.44
500+： ¥ 2.24
1+： ¥ 3.09
10+： ¥ 2.49
30+： ¥ 2.23
100+： ¥ 1.91
500+： ¥ 1.76
1000+： ¥ 1.68
1+： ¥ 4.79
10+： ¥ 3.96
30+： ¥ 3.55
100+： ¥ 2.983
500+： ¥ 2.7455
1000+： ¥ 2.622
1+： ¥ 3.91
10+： ¥ 3.82
30+： ¥ 3.76
100+： ¥ 3.7
5+： ¥ 1.3187
50+： ¥ 1.053
150+： ¥ 0.9392
500+： ¥ 0.7971
2500+： ¥ 0.7338
5000+： ¥ 0.6959
1+： ¥ 8.44
10+： ¥ 7.18
30+： ¥ 6.49
100+： ¥ 5.016
500+： ¥ 4.693
1+： ¥ 8.85
10+： ¥ 7.44
30+： ¥ 6.55
100+： ¥ 5.64
1+： ¥ 2.68
10+： ¥ 2.62
30+： ¥ 2.58
100+： ¥ 2.53
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)： 180A
功率(Pd)： 348W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.3mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)： 159.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)： 7.409nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)： 319pF@50V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
1+： ¥ 6.55
10+： ¥ 5.61
30+： ¥ 5.1
100+： ¥ 4.52
500+： ¥ 4.26
1000+： ¥ 4.139999
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 162A
功率(Pd)： 214W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.5mΩ@10V,81A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 3.5
10+： ¥ 3.43
30+： ¥ 3.38
100+： ¥ 3.34
1+： ¥ 4.73
10+： ¥ 4.62
30+： ¥ 4.54
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 68V
连续漏极电流(Id)： 70A
功率(Pd)： 75W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 8.5mΩ@10V,35A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 2.95
10+： ¥ 2.39
30+： ¥ 2.15
类型： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 68V
连续漏极电流(Id)： 70A
功率(Pd)： 75W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 8.5mΩ@10V,35A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
1+： ¥ 2.58
10+： ¥ 2.1
30+： ¥ 1.89
100+： ¥ 1.5485
500+： ¥ 1.4345
1000+： ¥ 1.368
1+： ¥ 3.44
10+： ¥ 2.81
30+： ¥ 2.5
100+： ¥ 2.19
500+： ¥ 2
1000+： ¥ 1.9
类型： 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 60A
功率(Pd)： 52W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
5+： ¥ 2.0444
50+： ¥ 1.6665
150+： ¥ 1.5046
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 1.7564
10+： ¥ 1.5416
30+： ¥ 1.4064
90+： ¥ 1.268
660+： ¥ 1.206
990+： ¥ 1.1789
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 1.9155
10+： ¥ 1.6514
30+： ¥ 1.4876
90+： ¥ 1.3189
660+： ¥ 1.2426
990+： ¥ 1.2091
