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首页 品牌列表 HXY MOSFET(华轩阳电子)

HXY MOSFET(华轩阳电子)

网址：http://www.hxymos.com
华轩阳电子，专注为数码产品、消费类电器、5G通信、汽车新能源、医疗设备等领域客户提供高性能功率器件解决方案。我们致力于为中国芯片崛起而努力，提供可靠、经济实惠的产品，助力客户实现本土器件替代进口的目标。 产品范围涵盖：MOSFET、ESD、LDO、二极管、三极管、IGBT以及电源芯片等多种功率器件。特别推荐我们的碳化硅MOSFET和碳化硅二极管，具备卓越的性能和可靠性，适用于多个领域的高要求应用。 我们拥有超过10年研发经验的技术团队，不断创新提升产品质量，确保满足客户的需求。我们采用ISO质量管理体系，以确保产品达到最高标准。我们深知客户的独特需求，致力于建立长期合作关系。提供忠诚可靠的服务，为客户提供定制化解决方案，以满足其特定应用的需求。
类目：
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封装：
  • 全部
  • SOT-323(SC-70)
  • SOP-20
  • ZIP-15
  • SOT-23-6
  • SOT-523(SC-75)
  • SOT-323-6
  • DFN-10(1x2.5)
  • DFN0603-2
  • DFN1006-2(SOD-882)
  • SMC(DO-214AB)
  • TO-277
  • SMAF
  • SOD-123F
  • SOT-143
  • SOT-23-5
  • SOT-23(TO-236)
  • DFN-8(8x8)
  • DFN-8(5x6)
  • TO-263-7L
  • TO-247
  • TO-247-2L
  • TO-220-2L
  • TO-247-4L
  • TO-247-3L
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  • DFN1610-2L
  • SOT-89-3L
  • SOP-8L
  • MSOP-8L
  • TO252-2L
  • TO-247S
  • TO-252-4L
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  • SC-70-6
  • SOT-723
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  • SMB
  • SMA
  • ESOP-8
  • DIP-4
  • SOP-4
  • SOT-523
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  • SOP-16
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  • SOD-123
  • SOT-323
  • SMD-4P
  • DFN3x3-8L
  • TSSOP-8
  • DFN-2L(1x0.6)
  • SOT-23-3L
  • HZIP-25
  • TO-252-2L
  • MSOP-8
  • DFN-8L(3x3)
  • DFN-8L(5x6)
  • TOLL
  • TO-220F
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  • SOP-14
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  • SOT-23-5L
  • SOT-363
  • DFN-10L(2.5x1)
  • SOD-923
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  • SOT-23
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参数

库存

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数量

操作

18N50F
18N50F
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： TO-220F
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-220F 50V 18A 300mΩ 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 50V
连续漏极电流(Id)： 18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 300mΩ
类型： 1个N沟道
93
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.65
10+： ¥ 3.86
50+： ¥ 3.46
合计总额： ¥ 4.6500
16N65
16N65
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-263 650V 16A 450mΩ 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 16A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 450mΩ
类型： 1个N沟道
100
最小包：1000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.457
10+： ¥ 2.403
30+： ¥ 2.367
100+： ¥ 2.331
合计总额： ¥ 2.4570
12N65
12N65
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： TO-220F
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-220F 650V 12A 800mΩ@10V 4V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 800mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V
类型： 1个N沟道
451
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.1866
10+： ¥ 2.679
50+： ¥ 2.021
100+： ¥ 1.7672
500+： ¥ 1.6168
1000+： ¥ 1.5416
合计总额： ¥ 3.1866
5N50
5N50
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： TO-252-2L
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-252-2L 500V 5A 1.74Ω@10V 4V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 500V
连续漏极电流(Id)： 5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.74Ω@10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V
类型： 1个N沟道
1192
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.2346
50+： ¥ 1.0036
150+： ¥ 0.9046
500+： ¥ 0.781
2500+： ¥ 0.616
5000+： ¥ 0.583
合计总额： ¥ 6.1730
662K
662K
类目： 线性稳压器(LDO)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： SOT-23
描述：
线性稳压器(LDO) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23 300mA 固定 3.3V 正极 1 8V 过流保护(OCP);短路保护
输出电流： 300mA
输出类型： 固定
输出电压： 3.3V
输出极性： 正极
输出通道数： 1
最大输入电压： 8V
特性： 过流保护(OCP);短路保护
115103
最小包：3000
起订量：50
增量：50
50+： ¥ 0.107085
500+： ¥ 0.086781
3000+： ¥ 0.066326
6000+： ¥ 0.059558
24000+： ¥ 0.053693
51000+： ¥ 0.050534
合计总额： ¥ 5.3543
10N65
10N65
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： TO-220F
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-220F 650V 10A 1.05Ω@10V 4V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.05Ω@10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V
类型： 1个N沟道
621
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.65
10+： ¥ 2.19
50+： ¥ 1.99
100+： ¥ 1.74
合计总额： ¥ 2.6500
ZVN4106F-HXY
ZVN4106F-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： SOT-23
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
类型： 1个N沟道
120
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.13863
100+： ¥ 0.135416
300+： ¥ 0.133273
合计总额： ¥ 1.3863
ZVN3310F-HXY
ZVN3310F-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： SOT-23
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
类型： 1个N沟道
200
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.283
50+： ¥ 0.276779
150+： ¥ 0.272632
合计总额： ¥ 1.4150
TPS1120-HXY
TPS1120-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOP-8 2个P沟道
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
类型： 2个P沟道
202
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.0377
50+： ¥ 1.01493
150+： ¥ 0.99972
合计总额： ¥ 5.1885
TPN6R303NC-HXY
TPN6R303NC-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： DFN-8L(3x3)
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) DFN-8L(3x3) 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
类型： 1个N沟道
180
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.5776
50+： ¥ 0.56487
150+： ¥ 0.556415
合计总额： ¥ 2.8880
TPN11003NL-HXY
TPN11003NL-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： DFN-8L(3x3)
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) DFN-8L(3x3) 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
类型： 1个N沟道
200
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.323
10+： ¥ 1.296
30+： ¥ 1.278
100+： ¥ 1.26
合计总额： ¥ 1.3230
TPH1R403NL-HXY
TPH1R403NL-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： DFN-8(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) DFN-8(5x6) 30V 150A 2.4mΩ@10V,30A 2.5V 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 150A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.4mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V
类型： 1个N沟道
9628
最小包：5000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.2724
10+： ¥ 1.8676
30+： ¥ 1.6928
100+： ¥ 1.4812
500+： ¥ 1.1776
1000+： ¥ 1.1224
合计总额： ¥ 2.2724
TPCC8093-HXY
TPCC8093-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： DFN-8L(3x3)
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) DFN-8L(3x3) 20V 60A 15W 4mΩ@4.5V,30A 386pF@10V 1个N沟道 2.5nF@10V 32nC@4.5V
漏源电压(Vdss)： 20V
配置： -
连续漏极电流(Id)： 60A
功率(Pd)： 15W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4mΩ@4.5V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： 386pF@10V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.5nF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 32nC@4.5V
195
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.65721
50+： ¥ 0.64277
150+： ¥ 0.633175
合计总额： ¥ 3.2860
TPC8126-HXY
TPC8126-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOP-8 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
类型： 1个P沟道
500
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.77672
50+： ¥ 0.75962
150+： ¥ 0.748315
500+： ¥ 0.736915
合计总额： ¥ 3.8836
TPC8040-H-HXY
TPC8040-H-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOP-8 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
类型： 1个N沟道
150
最小包：3000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.06128
50+： ¥ 1.03797
150+： ¥ 1.0224
合计总额： ¥ 5.3064
TP86R203NL-HXY
TP86R203NL-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： SOP-8
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOP-8 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
类型： 1个N沟道
200
最小包：3000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.3855
10+： ¥ 1.3515
30+： ¥ 1.3345
100+： ¥ 1.3175
合计总额： ¥ 1.3855
TP4066
TP4066
类目： 电池管理
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： ESOP-8
描述：
电池管理 HXY MOSFET(华轩阳电子) ESOP-8 4.2V~9V 锂离子/聚合物 线性充电芯片 1A
电源电压： 4.2V~9V
电池类型： 锂离子/聚合物
芯片类型： 线性充电芯片
最大充电电流： 1A
429
最小包：4000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.3217
50+： ¥ 1.0697
150+： ¥ 0.9617
合计总额： ¥ 6.6085
TN2106K-HXY
TN2106K-HXY
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： SOT-23
描述：
场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
类型： 1个N沟道
120
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.13863
100+： ¥ 0.135416
300+： ¥ 0.133273
合计总额： ¥ 1.3863
TLC555-HXY
TLC555-HXY
类目： 定时器/计时器
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： SOP-8
描述：
定时器/计时器 HXY MOSFET(华轩阳电子) SOP-8 4.5V~15V 500kHz
供电电压： 4.5V~15V
是否可编程： -
工作温度： -
重置时间： -
频率： 500kHz
供电电流： -
2215
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.70944
50+： ¥ 0.61704
150+： ¥ 0.57744
500+： ¥ 0.528
2500+： ¥ 0.506
5000+： ¥ 0.4928
合计总额： ¥ 3.5472
TIP42C-HXY
TIP42C-HXY
类目： 三极管(BJT)
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： TO-220
描述：
三极管(BJT) HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-220 200uA 100V 2W 75@3A,4V 3A 3MHz 1.2V@3A,375mA PNP -55℃~+150℃@(Tj)
集电极截止电流(Icbo)： 200uA
集射极击穿电压(Vceo)： 100V
功率(Pd)： 2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 75@3A,4V
集电极电流(Ic)： 3A
特征频率(fT)： 3MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 1.2V@3A,375mA
晶体管类型： PNP
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1272
最小包：50
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.250106
50+： ¥ 0.946461
150+： ¥ 0.849369
500+： ¥ 0.728283
2500+： ¥ 0.674343
5000+： ¥ 0.641979
合计总额： ¥ 6.2505
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