英诺赛科（Innoscience）主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发与产业化，并已于2017年底建成了我国首条8英寸硅基氮化镓功率器件的量产线，产品性能达到国际领先水平，加上其IDM全产业链模式的商业模式，使得公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。
当前 “Innoscience(英诺赛科)”
共4件相关型号
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 22A
Pd-功耗： 75W
Vgs(th)-阈值电压： 1.6V
RDS(on)-导通电阻(10V)： -
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： 165mΩ
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 2nC
Ciss-输入电容： 73pF
Crss-反向传输电容： 0.2pF
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 8.79
10+： ¥ 7.47
30+： ¥ 6.75
100+： ¥ 5.93
500+： ¥ 5.57
1000+： ¥ 5.4
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 7A
Pd-功耗： 39W
Vgs(th)-阈值电压： 1.6V
RDS(on)-导通电阻(10V)： -
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： 365mΩ
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 0.9nC
Ciss-输入电容： 34pF
Crss-反向传输电容： 0.4pF
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 3.65
10+： ¥ 3
30+： ¥ 2.68
100+： ¥ 2.35
500+： ¥ 2.08
1000+： ¥ 1.98
沟道类型： 1个N沟道
技术路线： -
Vds-漏源击穿电压： 650V
Id-漏极电流(25℃)： 12A
Pd-功耗： 75W
Vgs(th)-阈值电压： 1.6V
RDS(on)-导通电阻(10V)： 165mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)： -
RDS(on)-导通电阻(6V)： -
RDS(on)-导通电阻(4.5V)： -
RDS(on)-导通电阻(2.5V)： -
Qg-栅极电荷： 2nC
Ciss-输入电容： 73pF
Crss-反向传输电容： 0.2pF
工作温度： -55℃~+150℃
1+： ¥ 7.89
10+： ¥ 6.66
30+： ¥ 5.98
100+： ¥ 5.22
500+： ¥ 4.67
1000+： ¥ 4.51
1+： ¥ 10.98
10+： ¥ 9.47
30+： ¥ 8.53
100+： ¥ 7.23
500+： ¥ 6.79
1000+： ¥ 6.6
