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IPS(华润芯功率)

InPower半导体有限公司(IPS)是一家专业的无厂设计公司,为功率管理应用设计功率半导体产品。目前的IPS目标市场分别是消费电子,汽车电子,家电和信息技术。
类目:
  • 全部
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • TO-263-2
  • TO-220
当前 “IPS(华润芯功率)” 共3件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

FTB07N08N
封装: TO-263-2
描述:
场效应管(MOSFET) IPS(华润芯功率) TO-263-2
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
功率(Pd): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
类型: -
输入电容(Ciss@Vds): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
0
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.4598
10+: ¥ 0.3755
30+: ¥ 0.3405
100+: ¥ 0.296
500+: ¥ 0.2753
800+: ¥ 0.2641
合计总额: ¥ 0.4598
FTP02N04NA
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) IPS(华润芯功率) TO-220 40V 300A 1.8mΩ@10V,100A 312.5W 3V@250uA 950pF@25V N沟道 14.36nF@25V 250nC@10V +150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id): 300A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.8mΩ@10V,100A
功率(Pd): 312.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds): 950pF@25V
类型: N沟道
输入电容(Ciss@Vds): 14.36nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs): 250nC@10V
工作温度: +150℃@(Tj)
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.7573
10+: ¥ 0.6348
30+: ¥ 0.5728
100+: ¥ 0.5123
500+: ¥ 0.4757
1000+: ¥ 0.4566
合计总额: ¥ 0.7573
FTP03N06NA
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) IPS(华润芯功率) TO-220 60V 230A 3mΩ@10V,95A 284W 4V@250uA 371.5pF@25V N沟道 5.681nF@25V 98.4nC@10V +150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 230A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@10V,95A
功率(Pd): 284W
阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds): 371.5pF@25V
类型: N沟道
输入电容(Ciss@Vds): 5.681nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs): 98.4nC@10V
工作温度: +150℃@(Tj)
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.6348
10+: ¥ 0.5314
30+: ¥ 0.4805
100+: ¥ 0.428
500+: ¥ 0.3978
1000+: ¥ 0.3819
合计总额: ¥ 0.6348
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