首页 品牌列表 JTM(晶通)
晶通半导体(深圳)有限公司成立于2020年12月,由瑞士联邦理工和前瑞士PI研发团队创立,专注于功率器件驱动芯片和氮化镓功率器件设计与销售的高科技企业。总部位于深圳市福田区新一代产业园。公司技术和研发实力雄厚,并被政府认定为“高新技术企业”。公司自成立以来,汇集业界精英,专注将融合国内外先进的芯片技术和产业资源,为客户提供先进高效的驱动芯片、智能氮化镓功率开关及系统解决方案。公司拥有多名资深产业专家和博士,申请及授权十余项发明专利,多次获得国际国内技术奖项。公司技术团队研发了多种独创性的氮化镓技术,获得Nature Electronics等杂志的专文报道。
类目:
  • 全部
  • 栅极驱动芯片
封装:
  • 全部
  • SOT-23-6
  • SOP-8
当前 “JTM(晶通)” 共3件相关型号
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  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

JT0505M0S-T1
品牌: JTM(晶通)
封装: SOT-23-6
描述:
栅极驱动芯片 JTM(晶通) SOT-23-6 -40℃~+125℃ MOSFET;IGBT 5A 2.5ns 3.5ns 4.8V~25V 7A
工作温度: -40℃~+125℃
负载类型: MOSFET;IGBT
峰值拉电流: 5A
上升时间: 2.5ns
下降时间: 3.5ns
电源电压: 4.8V~25V
峰值灌电流: 7A
1005
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 8.7
10+: ¥ 7.35
30+: ¥ 6.61
100+: ¥ 5.77
500+: ¥ 5.4
1000+: ¥ 5.23
合计总额: ¥ 8.7000
JT0505G0D-C1
品牌: JTM(晶通)
封装: SOP-8
描述:
栅极驱动芯片 JTM(晶通) SOP-8 -40℃~+125℃ MOSFET;IGBT 5A 2.5ns 3.5ns 4.8V~25V 7A
工作温度: -40℃~+125℃
负载类型: MOSFET;IGBT
峰值拉电流: 5A
上升时间: 2.5ns
下降时间: 3.5ns
电源电压: 4.8V~25V
峰值灌电流: 7A
1004
最小包:4000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 8.7
10+: ¥ 7.35
30+: ¥ 6.61
100+: ¥ 5.77
500+: ¥ 5.4
1000+: ¥ 5.23
合计总额: ¥ 8.7000
JT0505M0D-C1
品牌: JTM(晶通)
封装: SOP-8
描述:
栅极驱动芯片 JTM(晶通) SOP-8 -40℃~+125℃ MOSFET;IGBT 5A 2.5ns 3.5ns 4.8V~25V 7A
工作温度: -40℃~+125℃
负载类型: MOSFET;IGBT
峰值拉电流: 5A
上升时间: 2.5ns
下降时间: 3.5ns
电源电压: 4.8V~25V
峰值灌电流: 7A
980
最小包:4000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 8.7
10+: ¥ 7.35
30+: ¥ 6.61
100+: ¥ 5.77
500+: ¥ 5.4
合计总额: ¥ 8.7000
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