KTP科泰普2012年成立于中国台湾，是国家级高新技术企业、知识产权贯标企业。公司为了更好地服务亚太区的合作伙伴，2023年于深圳成立了亚太区总部：广东科泰普半导体有限公司，同时也设立了香港办事处。
KTP科泰普是半导体集成电路行业专注于工业级和车规级先进功率器件芯片的设计公司，全面掌握二三极管、可控硅、MOSFET、IGBT、光耦的设计、工艺和封装等核心技术。KTP科泰普的自主专利技术大大提升了国内中高端功率半导体的设计水平，提高了国内功率半导体产品的整体性能，目前已解决部分高端功率器件芯片依赖进口产品的“卡脖子”现象，正在为国家重大战略目标做出积极贡献。
KTP科泰普致力于高端工业电源的市场培育，通过完全自主的设计，高端制造，严格的测试与车规级的可靠性考评，KTP科泰普产品兼具高性能、高一致性、高可靠性的优势，被广泛应用到新能源汽车、汽车充电桩、光伏发电、智能电网、储能和便携储能、数据中心、5G通讯基站、轨道交通等重要应用领域。
基于多年的技术专研、产品积累、市场考验和优秀的产业链整合能力，以及完善的客户服务链体系，KTP科泰普已成为国内领先的高性能功率器件芯片设计企业。KTP科泰普坚持以新能源经济为导向，面向国家与社会重大需求，面向新能源主战场，以技术创新驱动企业发展，不断扩大核心技术优势，有力推动高端功率器件芯片的国产替代。未来KTP科泰普将持续发力，继续深化产品的全面国产化。
类目： -
全部
-
晶闸管(可控硅)/模块
-
场效应管(MOSFET)
-
栅极驱动光耦
-
可控硅输出光耦
-
固态继电器(MOS输出)
-
晶体管输出光耦
-
逻辑输出光耦
封装： -
全部
-
TO-3P
-
TO-220A
-
TO-252
-
PDFN-8L(3x3)
-
PDFN-8L(5x6)
-
SOP-8
-
SO-6
-
SSOP-6
-
SOP-6
-
DIP-6
-
DIP-8
-
SOP-4
-
SMD-8
传播延迟tpLH/tpHL： 400ns
通道数： 1
电源电压： 15V~32V
工作温度： -40℃~+110℃
隔离电压(rms)： 5kV
共模瞬变抗扰度CMTI： 35kV/us
输入类型： DC
1+： ¥ 3.6005
10+： ¥ 2.9545
30+： ¥ 2.641
100+： ¥ 2.318
500+： ¥ 2.128
1+： ¥ 3.002
10+： ¥ 2.432
30+： ¥ 2.1945
100+： ¥ 1.8905
500+： ¥ 1.748
1000+： ¥ 1.672
1+： ¥ 2.8975
10+： ¥ 2.3465
30+： ¥ 2.1185
100+： ¥ 1.824
500+： ¥ 1.691
导通时间(Ton)： 600us
继电器触点形式： 1 Form A
隔离电压(rms)： 3.75kV
截止时间(Toff)： 700us
负载电压： 400V
导通电阻： 10Ω
连续负载电流： 120mA
1+： ¥ 4.997
10+： ¥ 4.1135
30+： ¥ 3.667
100+： ¥ 3.2205
500+： ¥ 2.964
1000+： ¥ 2.8215
负载电压： 80V
工作温度： -55℃~+110℃
上升时间： 2us@5V,5mA,100Ω
隔离电压(rms)： 5kV
输出电流： 50mA
下降时间： 3us@5V,5mA,100Ω
集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF)： 300mV@1mA,10mA
输出通道数： 1
反向电压： 6V
正向电压： 1.45V
输出类型： 光电三极管
输入电压类型： DC
1180
最小包：1500
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.356816
100+： ¥ 0.288416
300+： ¥ 0.254216
1500+： ¥ 0.228566
4500+： ¥ 0.208046
10500+： ¥ 0.197786
输出通道数： 1
隔离电压(rms)： 5kV
输出电流(It(rms))： 100mA
正向电流： 60mA
负载电压： 600V
正向电压： 1.18V
可控硅类型： 双向可控硅
工作温度： -55℃~+100℃
5+： ¥ 1.052885
50+： ¥ 0.845405
150+： ¥ 0.756485
500+： ¥ 0.645525
传播延迟tpLH/tpHL： 650ns;400ns
通道数： 1
电源电压： 4.5V~30V
工作温度： -40℃~+100℃
隔离电压(rms)： 3.75kV
共模瞬变抗扰度CMTI： 30kV/us
输入类型： DC
1+： ¥ 3.173
10+： ¥ 2.6125
30+： ¥ 2.3275
100+： ¥ 2.052
500+： ¥ 1.881
1000+： ¥ 1.7955
传播延迟tpLH/tpHL： 650ns;400ns
通道数： 1
电源电压： 4.5V~30V
工作温度： -40℃~+100℃
隔离电压(rms)： 3.75kV
共模瞬变抗扰度CMTI： 30kV/us
输入类型： DC
1+： ¥ 1.9285
10+： ¥ 1.881
50+： ¥ 1.8525
1+： ¥ 3.6005
10+： ¥ 2.9545
30+： ¥ 2.641
100+： ¥ 2.318
500+： ¥ 2.128
1000+： ¥ 2.033
1+： ¥ 2.8595
10+： ¥ 2.3085
45+： ¥ 2.0615
90+： ¥ 1.767
495+： ¥ 1.634
1+： ¥ 2.8215
10+： ¥ 2.261
30+： ¥ 2.0235
100+： ¥ 1.7195
500+： ¥ 1.5865
传播延迟tpLH/tpHL： 100ns
通道数： 2
电源电压： 4.5V~5.5V
工作温度： -40℃~+85℃
隔离电压(rms)： 5kV
输入类型： AC
1+： ¥ 6.384
10+： ¥ 5.377
30+： ¥ 4.826
100+： ¥ 4.2085
500+： ¥ 3.9235
1000+： ¥ 3.8
传播延迟tpLH/tpHL： 1.5us
通道数： 2
工作温度： -40℃~+85℃
隔离电压(rms)： 2.5kV
共模瞬变抗扰度CMTI： 30kV/us
输入类型： AC
1+： ¥ 5.776
10+： ¥ 4.788
50+： ¥ 4.3035
100+： ¥ 3.8095
500+： ¥ 3.5245
1000+： ¥ 3.3725
保持电流(Ih)： 100mA
门极触发电流(Igt)： 50mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.4V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 500mW
通态RMS电流(It(rms))： 40A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 1.2kV
浪涌电流(Itsm@f)： 420A
可控硅类型： 双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.3V
1+： ¥ 9.1865
10+： ¥ 7.923
30+： ¥ 7.1345
90+： ¥ 6.3175
保持电流(Ih)： 75mA
门极触发电流(Igt)： 50mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.5V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 500mW
通态RMS电流(It(rms))： 25A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
浪涌电流(Itsm@f)： 250A
可控硅类型： 双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1V
1+： ¥ 3.021
10+： ¥ 2.489
50+： ¥ 2.223
100+： ¥ 1.957
500+： ¥ 1.805
保持电流(Ih)： 75mA
门极触发电流(Igt)： 50mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.5V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 500mW
通态RMS电流(It(rms))： 25A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
浪涌电流(Itsm@f)： 250A
可控硅类型： 双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1V
1+： ¥ 3.04
10+： ¥ 2.4985
50+： ¥ 2.2325
100+： ¥ 1.9665
500+： ¥ 1.8145
保持电流(Ih)： 60mA
门极触发电流(Igt)： 50mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.4V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 500mW
通态RMS电流(It(rms))： 20A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
浪涌电流(Itsm@f)： 200A
可控硅类型： 双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1V
1+： ¥ 2.945
10+： ¥ 2.3655
50+： ¥ 2.1185
100+： ¥ 1.8145
500+： ¥ 1.6815
保持电流(Ih)： 60mA
门极触发电流(Igt)： 50mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.4V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 500mW
通态RMS电流(It(rms))： 20A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
浪涌电流(Itsm@f)： 200A
可控硅类型： 双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1V
1+： ¥ 2.945
10+： ¥ 2.3655
50+： ¥ 2.1185
100+： ¥ 1.8145
500+： ¥ 1.6815
保持电流(Ih)： 50mA
门极触发电流(Igt)： 50mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.5V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 500mW
通态RMS电流(It(rms))： 16A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
浪涌电流(Itsm@f)： 160A
可控硅类型： 双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1V
1+： ¥ 2.4605
10+： ¥ 1.957
50+： ¥ 1.7385
100+： ¥ 1.4725
500+： ¥ 1.349
1000+： ¥ 1.2825
保持电流(Ih)： 50mA
门极触发电流(Igt)： 50mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.5V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 500mW
通态RMS电流(It(rms))： 12A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
浪涌电流(Itsm@f)： 120A
可控硅类型： 双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1V
1+： ¥ 2.356
10+： ¥ 1.8905
50+： ¥ 1.7005
100+： ¥ 1.4535
500+： ¥ 1.3395
1000+： ¥ 1.273
