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kwansemi(冠禹)

冠禹半导体是一家技术驱动型的集成电路和功率半导体器件芯片设计公司,由十多位美国/德国/日本等海归技术研发核心人员于2010年在中国台湾注册成立,注册资本一亿新台币,公司总部位于中国台湾新竹科学园区。 冠禹半导体致力于自主知识产权的集成电路和半导体器件的技术研发和产业化,公司已获得20多项发明专利,并有多项自主知识产权的国际原创核心器件技术,多项研发成果在IEEE等国际期刊/国际会议上发表,并被SCI、EI索引。 冠禹半导体主要产品包括电源管理IC,MOSFET,SJ MOS,IGBT,TMBS,GaN FET等,产品广泛应用于汽车电子、智能家居、电机驱动、新能源、家用电器、消费电子、LED照明、网络通信,计算机等市场领域,获得国内外知名公司的认证。 冠禹半导体利用自身技术优势,与国际知名的中国台湾8寸晶圆代工厂和大陆一线封装测试代工厂紧密合作,并在芯片设计,晶圆流片,封装测试,信赖性测试,应用测试等产品实现全过程建立完善的质量管理体系,确保产品的品质卓越和供货稳定。 为了更好的服务中国大陆市场,冠禹半导体陆续在香港,深圳,北京,上海成立分公司或办事处。 冠禹半导体忠诚服务和诚信对待所有客户,重视倾听客户的声音,致力于建立合作共赢的长期协作关系。
类目:
  • 全部
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • TO-263
  • SOP-8
  • TO-252
  • SOT-23
  • SOT-23-3L
当前 “kwansemi(冠禹)” 共7件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

KS9203GAT
封装: TO-263
描述:
场效应管(MOSFET) kwansemi(冠禹) TO-263 1个N沟道 85V 130A 150W 4.4mΩ@10V,40A 3V@250uA 39nC@10V 2.455nF@40V 45pF@40V
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 85V
连续漏极电流(Id): 130A
功率(Pd): 150W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.4mΩ@10V,40A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 39nC@10V
输入电容(Ciss@Vds): 2.455nF@40V
反向传输电容(Crss@Vds): 45pF@40V
工作温度: -
0
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.21
10+: ¥ 2.63
30+: ¥ 2.34
100+: ¥ 2.06
500+: ¥ 1.79
800+: ¥ 1.7
合计总额: ¥ 3.2100
KS3401AA
封装: SOT-23
描述:
场效应管(MOSFET) kwansemi(冠禹) SOT-23
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.3116
100+: ¥ 0.2508
300+: ¥ 0.2204
3000+: ¥ 0.18848
6000+: ¥ 0.17024
9000+: ¥ 0.16112
合计总额: ¥ 0.3116
KS3218DB
封装: TO-252
描述:
场效应管(MOSFET) kwansemi(冠禹) TO-252
0
最小包:2500
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.8349
50+: ¥ 0.6669
150+: ¥ 0.5949
500+: ¥ 0.488
2500+: ¥ 0.448
5000+: ¥ 0.424
合计总额: ¥ 0.8349
KS3314HA
封装: SOP-8
描述:
场效应管(MOSFET) kwansemi(冠禹) SOP-8
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.9595
10+: ¥ 0.7663
30+: ¥ 0.6835
100+: ¥ 0.5802
500+: ¥ 0.5342
1000+: ¥ 0.4876
合计总额: ¥ 0.9595
KS2368EA
封装: SOT-23-3L
描述:
场效应管(MOSFET) kwansemi(冠禹) SOT-23-3L
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.2255
100+: ¥ 0.1815
300+: ¥ 0.1595
3000+: ¥ 0.1364
6000+: ¥ 0.1232
9000+: ¥ 0.1166
合计总额: ¥ 0.2255
KS2268EA
封装: SOT-23-3L
描述:
场效应管(MOSFET) kwansemi(冠禹) SOT-23-3L 1个N沟道 20V 5A 1.3W 25mΩ@4.5V,3A 700mV@250uA 5nC@4.5V 520pF@10V 60pF@10V
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id): 5A
功率(Pd): 1.3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@4.5V,3A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 5nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds): 520pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds): 60pF@10V
工作温度: -
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.223354
100+: ¥ 0.179354
300+: ¥ 0.157354
3000+: ¥ 0.1364
6000+: ¥ 0.1232
9000+: ¥ 0.1166
合计总额: ¥ 0.2234
KS2302AA
封装: SOT-23
描述:
场效应管(MOSFET) kwansemi(冠禹) SOT-23
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
20+: ¥ 0.135532
200+: ¥ 0.107182
600+: ¥ 0.091432
3000+: ¥ 0.07938
9000+: ¥ 0.07119
21000+: ¥ 0.06678
合计总额: ¥ 0.1355
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