深圳市韩景元电子有限公司专业从事于功率半导体开关元件及防护器件的研发与生产，公司原位于韩国，随着中国区域迅速的发展和需求，2004年在山东省威海市全资兴建了现代化的生产基地，工厂现占地面积2万平方米，建筑面积3万平方米，现有职工305人，大、中专学历以上职工占比50%以上，其中工程技术、品质管理60多人。目前产品主要销往韩国、中国台湾、新加坡及东南亚等地区，经过多年的努力，公司产品已被国外市场认可，并为国外多家知名股份公司OEM全系列产品。
目前生产产品有1-100A单，双向可控硅，防护器件瞬态电压抑制二极管（TVS）、肖特基二极管（Schottky)及高压触发二极管（SIDAC）等。
深圳市韩景元电子有限公司对利润的追求永远让位于对质量的保证，我们明白每一个芯片的品质对产品的重要性，所有供应产品全部采用原装进口芯片，我们也有强大的产品应用、技术支持团队，有来自韩国总部的资深工程师及技术专业人才，能为客户提供最全面、最有保障的产品应用及技术支持。 卓越的品质，是大家共同的目标。品质是企业信誉与发展的基础，我们将根据用户的需求提供高产品质量和高效率服务！
类目： -
全部
-
场效应管(MOSFET)
-
晶闸管(可控硅)/模块
封装： -
全部
-
TO-220A
-
DFN-6(2x2)
-
DFN-8(2x3)
-
SOP-8
-
SOT-523(SC-75)
-
DFN-3L(1x0.6)
-
SOT-23-6
-
TO-220B
-
SOT-23-3L
-
SOT-89-2
-
TO-202-3
-
TO-3P
-
TO-251
-
SOT-223
-
TO-126P-3
-
SOT-23(TO-236)
-
TO-126
-
TO-92
-
TO-220
-
TO-252
-
TO-220F
-
TO-263
-
ITO-247
-
TO-247J
-
TO-220C
保持电流(Ih)： 120mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.8V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 2W
通态RMS电流(It(rms))： 30A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 1.6kV
浪涌电流(Itsm@f)： 330A
可控硅类型： 1个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.5V
1+： ¥ 4.17
10+： ¥ 3.43
50+： ¥ 3.12
100+： ¥ 2.76
500+： ¥ 2.54
1000+： ¥ 2.42
通态RMS电流(It(rms))： 25A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
1+： ¥ 2.48
10+： ¥ 2.04
30+： ¥ 1.85
100+： ¥ 1.62
500+： ¥ 1.27
800+： ¥ 1.21
保持电流(Ih)： 150mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.8V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 1W
通态RMS电流(It(rms))： 80A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 1.6kV
浪涌电流(Itsm@f)： 800A
可控硅类型： 1个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.5V
1+： ¥ 18.8
10+： ¥ 15.98
30+： ¥ 14.31
90+： ¥ 11.9795
保持电流(Ih)： 150mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.8V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 1W
通态RMS电流(It(rms))： 80A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 1.2kV
浪涌电流(Itsm@f)： 800A
可控硅类型： 1个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.5V
1+： ¥ 18.04
10+： ¥ 15.34
30+： ¥ 13.73
90+： ¥ 12.1
保持电流(Ih)： 120mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.55V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 1W
通态RMS电流(It(rms))： 75A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 1.6kV
浪涌电流(Itsm@f)： 800A
可控硅类型： 1个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.3V
1+： ¥ 10.58
10+： ¥ 9.12
30+： ¥ 8.22
90+： ¥ 7.28
450+： ¥ 6.86
900+： ¥ 6.68
保持电流(Ih)： 120mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.55V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 1W
通态RMS电流(It(rms))： 75A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 1.2kV
浪涌电流(Itsm@f)： 800A
可控硅类型： 1个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.3V
1+： ¥ 9.72
10+： ¥ 8.16
30+： ¥ 7.19
90+： ¥ 6.2
保持电流(Ih)： 30mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.7V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 500mW
通态RMS电流(It(rms))： 12A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 1.2kV
可控硅类型： 1个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1V
5+： ¥ 2.0136
50+： ¥ 1.6431
150+： ¥ 1.4721
500+： ¥ 1.2588
2000+： ¥ 1.1638
5000+： ¥ 1.1068
保持电流(Ih)： 80mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.55V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 1W
通态RMS电流(It(rms))： 26A
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
工作温度： -40℃~+150℃
浪涌电流(Itsm@f)： 300A
可控硅类型： 1个双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.5V
1+： ¥ 2.7048
10+： ¥ 2.1952
30+： ¥ 1.9698
100+： ¥ 1.6954
500+： ¥ 1.4896
800+： ¥ 1.4112
保持电流(Ih)： 25mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.55V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 1W
通态RMS电流(It(rms))： 12A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
浪涌电流(Itsm@f)： 126A
可控硅类型： 1个双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.3V
5+： ¥ 1.001462
50+： ¥ 0.977452
150+： ¥ 0.961478
500+： ¥ 0.945504
保持电流(Ih)： 50mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.55V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 1W
通态RMS电流(It(rms))： 12A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
浪涌电流(Itsm@f)： 126A
可控硅类型： 1个双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.3V
1+： ¥ 1.973328
10+： ¥ 1.582308
50+： ¥ 1.442658
100+： ¥ 1.233624
500+： ¥ 1.140524
1000+： ¥ 1.084664
保持电流(Ih)： 100mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.5V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 2W
通态RMS电流(It(rms))： 100A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 1.6kV
浪涌电流(Itsm@f)： 1.1kA
可控硅类型： 1个双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.3V
1+： ¥ 29.81
10+： ¥ 25.34
25+： ¥ 22.69
100+： ¥ 20
通态峰值电压(Vtm)： 1.4V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 500mW
通态RMS电流(It(rms))： 12A
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
可控硅类型： 1个双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.3V
1+： ¥ 1.958236
10+： ¥ 1.567216
50+： ¥ 1.427566
100+： ¥ 1.218532
500+： ¥ 1.125432
1000+： ¥ 1.069572
保持电流(Ih)： 10mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.55V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 300mW
通态RMS电流(It(rms))： 1A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
浪涌电流(Itsm@f)： 12A
可控硅类型： 双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.2V
30100
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.032
100+： ¥ 0.0287
300+： ¥ 0.0282
1000+： ¥ 0.0234
保持电流(Ih)： 10mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.55V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 300mW
通态RMS电流(It(rms))： 1A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
浪涌电流(Itsm@f)： 12A
可控硅类型： 双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.2V
6300
最小包：3000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.0284
100+： ¥ 0.0252
300+： ¥ 0.0247
1000+： ¥ 0.0228
保持电流(Ih)： 80mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.55V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 1W
通态RMS电流(It(rms))： 26A
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
工作温度： -40℃~+150℃
浪涌电流(Itsm@f)： 300A
可控硅类型： 双向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 1.5V
1+： ¥ 0.6841
10+： ¥ 0.6126
30+： ¥ 0.6014
90+： ¥ 0.5107
保持电流(Ih)： 5mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.7V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 200mW
通态RMS电流(It(rms))： 4A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
浪涌电流(Itsm@f)： 30A
可控硅类型： 单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 800mV
5+： ¥ 0.082
50+： ¥ 0.0739
150+： ¥ 0.0726
500+： ¥ 0.06
保持电流(Ih)： 5mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.5V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 300mW
通态RMS电流(It(rms))： 1A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
浪涌电流(Itsm@f)： 12A
可控硅类型： 双向可控硅
2580
最小包：4000
起订量：10
增量：10
10+： ¥ 0.0428
100+： ¥ 0.0385
300+： ¥ 0.0379
1000+： ¥ 0.0315
保持电流(Ih)： 5mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.7V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 200mW
通态RMS电流(It(rms))： 4A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
浪涌电流(Itsm@f)： 30A
可控硅类型： 单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 800mV
5+： ¥ 0.1307
50+： ¥ 0.1058
160+： ¥ 0.0934
480+： ¥ 0.0807
3200+： ¥ 0.0733
4800+： ¥ 0.0695
保持电流(Ih)： 5mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.7V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 200mW
通态RMS电流(It(rms))： 4A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 600V
浪涌电流(Itsm@f)： 30A
可控硅类型： 单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 800mV
5+： ¥ 0.1028
50+： ¥ 0.0921
150+： ¥ 0.0905
500+： ¥ 0.0753
保持电流(Ih)： 4mA
通态峰值电压(Vtm)： 1.7V
门极平均耗散功率(PG(AV))： 100mW
通态RMS电流(It(rms))： 1A
工作温度： -40℃~+125℃
断态峰值电压(Vdrm)： 800V
浪涌电流(Itsm@f)： 12A
可控硅类型： 单向可控硅
门极触发电压(Vgt)： 800mV
23520
最小包：3000
起订量：20
增量：20
20+： ¥ 0.0246
200+： ¥ 0.0222
600+： ¥ 0.0218
3000+： ¥ 0.018
