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Long-Tek(龙夏)

福建龙夏电子科技有限公司,是福建省重点扶持的半导体科技企业,龙岩市首家集成电路设计和封装测试企业。拥有国际一流、国内领先的功率器件芯片研发能力,同时拥有封装制造和芯片销售的高新技术企业。公司研发团队现有博士1名,硕士4名,2018年公司入选第六批福建省引才“百人计划”企业创新团队。公司总部位于福建省龙岩国家经济技术开发区(高新区), 占地1500 ㎡,建有功率器件芯片CP测试净化车间和成品测试实验室,在上海、深圳设有服务于华南和华东市场的办事处。在晶圆代工方面和国内外知名晶圆厂形成战略合作,尤其在 SGT MOS 和 LOW VF沟槽SBD(TMBS)进口替代方面取得显著成果。 福建龙夏电子研发团队致力于动力锂电池保护、新能源汽车电子、消费电子、电动工具等领域的功率器件新产品的研发。主要销售功率器件芯片种类有 MOSFET、SBD 芯片,提供6寸和8寸晶圆,以及不同封装形式成品。
类目:
  • 全部
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • DFN(5x6)
  • TO-247
  • TO-220
  • TO-263
  • TOLL
当前 “Long-Tek(龙夏)” 共24件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

LR120N08SA3
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-220
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.49
10+: ¥ 2.9
50+: ¥ 2.6
100+: ¥ 2.3
500+: ¥ 2.03
1000+: ¥ 1.94
合计总额: ¥ 3.4900
LR067N08S8
封装: DFN(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) DFN(5x6)
0
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 1.72
10+: ¥ 1.68
30+: ¥ 1.66
100+: ¥ 1.63
合计总额: ¥ 1.7200
LR065N08S3
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-220
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.32
10+: ¥ 2.7
50+: ¥ 2.43
100+: ¥ 2.1
500+: ¥ 1.86
1000+: ¥ 1.77
合计总额: ¥ 3.3200
LR063N08S2
封装: TO-263
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-263 80V 80A 5.1mΩ
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id): 80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.1mΩ
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.19
10+: ¥ 2.65
50+: ¥ 2.38
100+: ¥ 2.11
500+: ¥ 1.86
800+: ¥ 1.77
合计总额: ¥ 3.1900
LR055N08SA8
封装: DFN(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) DFN(5x6) 80V 90A 4.8mΩ
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id): 90A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ
0
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.41
200+: ¥ 1.71
500+: ¥ 1.65
1000+: ¥ 1.62
合计总额: ¥ 4.4100
LR055N08SA3
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-220 80V 120A 4.7mΩ
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id): 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.7mΩ
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.95
200+: ¥ 1.92
500+: ¥ 1.85
1000+: ¥ 1.82
合计总额: ¥ 4.9500
LR052N08SA2
封装: TO-263
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-263 80V 120A 4.5mΩ
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id): 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ
0
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.01
200+: ¥ 1.94
500+: ¥ 1.88
800+: ¥ 1.84
合计总额: ¥ 5.0100
LR045N10S1
封装: TO-247
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-247
0
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 7.12
10+: ¥ 6.05
30+: ¥ 5.46
90+: ¥ 4.8
510+: ¥ 4.29
1200+: ¥ 4.16
合计总额: ¥ 7.1200
LR049N08SA3
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-220
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4
10+: ¥ 3.32
50+: ¥ 2.98
100+: ¥ 2.64
500+: ¥ 2.32
1000+: ¥ 2.22
合计总额: ¥ 4.0000
LR046N08SA2
封装: TO-263
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-263 80V 120A 3.7mΩ
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id): 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ
0
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.76
200+: ¥ 2.23
500+: ¥ 2.16
800+: ¥ 2.12
合计总额: ¥ 5.7600
LR046N08S8
封装: DFN(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) DFN(5x6)
0
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.24
10+: ¥ 2.19
30+: ¥ 2.16
100+: ¥ 2.12
合计总额: ¥ 2.2400
LR045N10S3
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-220
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.79
10+: ¥ 4.81
50+: ¥ 4.31
100+: ¥ 3.82
500+: ¥ 3.37
1000+: ¥ 3.22
合计总额: ¥ 5.7900
LR042N10S2
封装: TO-263
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-263
0
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.59
10+: ¥ 3.51
30+: ¥ 3.46
100+: ¥ 3.41
合计总额: ¥ 3.5900
LR041N08SA3
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-220
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.8
10+: ¥ 3.98
50+: ¥ 3.57
100+: ¥ 3.17
500+: ¥ 2.79
1000+: ¥ 2.67
合计总额: ¥ 4.8000
LR038N08SA2
封装: TO-263
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-263 80V 120A 2.9mΩ
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id): 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.9mΩ
0
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 6
200+: ¥ 2.33
500+: ¥ 2.25
800+: ¥ 2.2
合计总额: ¥ 6.0000
LR037N10S10
封装: TOLL
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TOLL
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.38
10+: ¥ 4.28
30+: ¥ 4.22
100+: ¥ 4.15
合计总额: ¥ 4.3800
LR035N08S3
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-220 80V 120A 2.9mΩ
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id): 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.9mΩ
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 7.8
200+: ¥ 3.02
500+: ¥ 2.92
1000+: ¥ 2.86
合计总额: ¥ 7.8000
LR032N08S2
封装: TO-263
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-263
0
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.49
10+: ¥ 3.41
30+: ¥ 3.36
100+: ¥ 3.31
合计总额: ¥ 3.4900
LR032N08S10
封装: TOLL
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TOLL
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.19
10+: ¥ 4.099999
30+: ¥ 4.03
100+: ¥ 3.97
合计总额: ¥ 4.1900
LR032N08S1
封装: TO-247
描述:
场效应管(MOSFET) Long-Tek(龙夏) TO-247 80V 160A 2.6mΩ
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id): 160A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.6mΩ
0
最小包:330
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.38
10+: ¥ 4.28
30+: ¥ 4.22
100+: ¥ 4.15
合计总额: ¥ 4.3800
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