龙腾半导体有限公司是一家致力于新型功率半导体器件研发及销售于一体的高新技术企业。公司视技术创新为企业发展的核心竞争力，建有国内一流水准的研发中心及应用测试实验室。公司通过ISO9001-2015质量体系认证，在功率半导体器件设计及应用领域申请83项专利。
公司建有国内一流水准的研发中心及实验室。公司推出的超结功率场效应管（Super Junction VDMOS、Shielding Gate VDMOS）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、快恢复二极管（FRD）等系列产品具有高能效、高可靠性及高性价比的优点，已在计算机及服务器电源、LED驱动电源、充电器、适配器、TV板卡电源等多个领域得到广泛应用；在新能源汽车充电桩、车载充电机、汽车电机驱动、光伏逆变器、工业变频器、UPS、电焊机市场等领域持续增长。
类目： -
全部
-
场效应管(MOSFET)
-
快恢复/高效率二极管
封装： -
全部
-
PRPAK(3x4)
-
PDFN-8(3.3x3.3)
-
DFN-8(4.9x5.8)
-
PDFN-8(5x6)
-
TO-263
-
TO-247-3
-
SOT-23
-
DFN-8(3x3)
-
DFN-8(5.2x5.9)
-
SOP-8
-
TO-251
-
TO-252-2
-
TO-252
-
TO-262-3
-
TO-263-2
-
TO-220MF
-
TO-220F-3
-
TO-220FB-3
-
TO-220
-
TO-220-2
当前 “LONTEN(龙腾半导体)”
共87件相关型号
漏源电压(Vdss)： 700V
连续漏极电流(Id)： 7A
功率(Pd)： 50W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.08Ω@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 2.73
10+： ¥ 2.15
30+： ¥ 1.91
100+： ¥ 1.6
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 7A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 650mΩ@10V,3.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 1.84
10+： ¥ 1.79
30+： ¥ 1.76
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 4.88
10+： ¥ 3.95
30+： ¥ 3.48
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 3A
功率(Pd)： 30W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.5Ω@10V,1.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 1.87
10+： ¥ 1.4743
30+： ¥ 1.3047
100+： ¥ 1.0931
500+： ¥ 0.9988
1000+： ¥ 0.9423
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 3.895
10+： ¥ 3.23
30+： ¥ 2.907
100+： ¥ 2.5745
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.1mΩ@10V,50A
功率(Pd)： 208W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 4.89
10+： ¥ 3.99
50+： ¥ 3.54
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 6.92
10+： ¥ 5.96
30+： ¥ 5.43
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5mΩ@4.5V,20A
功率(Pd)： 57.6W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.2V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 3.35
10+： ¥ 2.78
30+： ¥ 2.49
100+： ¥ 2.21
500+： ¥ 2.04
1000+： ¥ 1.95
1+： ¥ 2.1588
10+： ¥ 1.9236
30+： ¥ 1.806
100+： ¥ 1.6884
500+： ¥ 1.428
1000+： ¥ 1.3944
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 0.7462
10+： ¥ 0.6559
30+： ¥ 0.6172
100+： ¥ 0.5689
500+： ¥ 0.5474
1000+： ¥ 0.5345
漏源电压(Vdss)： 40V
连续漏极电流(Id)： 39A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.8mΩ@10V,12A
功率(Pd)： 24W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.7V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 39.5pF@15V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 693pF@15V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 15.5nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
5+： ¥ 0.8895
50+： ¥ 0.7819
150+： ¥ 0.7358
500+： ¥ 0.6782
2500+： ¥ 0.6526
5000+： ¥ 0.6372
漏源电压(Vdss)： 30V
连续漏极电流(Id)： 120A
功率(Pd)： 42.14W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.2V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 3.14
10+： ¥ 2.57
50+： ¥ 2.28
漏源电压(Vdss)： 800V
连续漏极电流(Id)： 5A
功率(Pd)： 50W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 980mΩ@10V,2.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 4.16
10+： ¥ 3.37
30+： ¥ 2.97
100+： ¥ 2.58
500+： ¥ 2.34
1000+： ¥ 2.22
漏源电压(Vdss)： 700V
连续漏极电流(Id)： 11A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 450mΩ@10V,5.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 5
10+： ¥ 4.04
30+： ¥ 3.57
100+： ¥ 3.09
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 950mΩ@10V,2A
功率(Pd)： 40W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 2.35
10+： ¥ 1.85
30+： ¥ 1.64
100+： ¥ 1.37
500+： ¥ 1.26
1000+： ¥ 1.18
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 1.9A
功率(Pd)： 18W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.5Ω@10V,950mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 1.2801
10+： ¥ 1.0197
30+： ¥ 0.9081
漏源电压(Vdss)： 600V
连续漏极电流(Id)： 11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 380mΩ@10V,5.5A
功率(Pd)： 90W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 3.92
10+： ¥ 3.1
30+： ¥ 2.69
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 550mΩ@10V,3.5A
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 1.15pF@100V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 481pF@100V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 13.1nC@0~10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
1+： ¥ 2.546
10+： ¥ 2.2705
30+： ¥ 2.1375
100+： ¥ 2.0045
500+： ¥ 1.919
1000+： ¥ 1.881
漏源电压(Vdss)： -
连续漏极电流(Id)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -
功率(Pd)： -
阈值电压(Vgs(th)@Id)： -
反向传输电容(Crss@Vds)： -
类型： -
输入电容(Ciss@Vds)： -
栅极电荷(Qg@Vgs)： -
1+： ¥ 1.1818
10+： ¥ 1.1559
30+： ¥ 1.1385
漏源电压(Vdss)： 650V
连续漏极电流(Id)： 11A
功率(Pd)： -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 380mΩ@10V,5.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA
类型： 1个N沟道
1+： ¥ 4.88
10+： ¥ 3.95
30+： ¥ 3.48
100+： ¥ 3.02
500+： ¥ 2.74
1000+： ¥ 2.6
