深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.
公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。
公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。
展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
类目: -
全部
-
碳化硅场效应管(MOSFET)
-
碳化硅二极管
-
预售晶体管
-
DC-DC电源芯片
-
触发二极管
-
电压基准芯片
-
超势垒整流器(SBR)
-
线性稳压器(LDO)
-
稳压二极管
-
三极管(BJT)
-
开关二极管
-
肖特基二极管
-
快恢复/高效率二极管
-
场效应管(MOSFET)
-
整流桥
-
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
-
通用二极管
封装: -
全部
-
TO-247-3L
-
TO-220F
-
TO-220-2
-
TO-247-2
-
KBJ6
-
DFN1006-2(SOD-882)
-
SOT-323-6
-
DO-214AA
-
DFN1006-3
-
DFN0603
-
SOT-143
-
SOT-23-6
-
SOT-89
-
KBPC-6
-
KBJ-4
-
DFN-10(1x2.5)
-
DFN1006
-
GBL
-
MBF(50mil)
-
MBS(50MIL)
-
UMB
-
-
-
UMSB
-
ITO-220AB
-
TO-220
-
DO-214AB
-
TO-252-3
-
TBS
-
ABS
-
LBXS
-
TO-277
-
DO-213AB
-
ITO-220AB-3
-
SMAG
-
TTF
-
DO-214AC
-
SOT-89-3L
-
GBJ6
-
SMA
-
Plugin
-
SMD
-
KBJ
-
TO-252
-
DBS
-
LL-34
-
SMBF
-
SMAF
-
SOD-123
-
SOD-123FL
-
SOD-523
-
SOT-23
-
ABF
-
SMC(DO-214AB)
-
SOD-323
-
DIP-4
-
KBU
-
BR-6
-
KBPC-25
-
BR-8
-
GBU
-
WOM
-
R-1
-
KBL
-
KBP
-
DB
-
MBF
-
MBM
-
MBS
-
DO-15
-
R-6
-
DO-27
-
DO-41
-
SOT-23-3
-
DO-218
-
GBJ
-
SMB(DO-214AA)
-
SMA(DO-214AC)
当前 “MDD(辰达半导体)”
共2,891件相关型号
整流电流: 1A
反向电流(Ir): 5uA@1kV
正向压降(Vf): 1.1V@1A
直流反向耐压(Vr): 1kV
1+: ¥ 3.24
200+: ¥ 1.3
500+: ¥ 1.25
1000+: ¥ 1.23
反向电流(Ir): 10uA@1kV
直流反向耐压(Vr): 1kV
正向压降(Vf): 950mV@6A
1+: ¥ 6.73
200+: ¥ 2.69
500+: ¥ 2.6
1000+: ¥ 2.55
反向电流(Ir): 10uA@1kV
正向压降(Vf): 1.1V@10A
直流反向耐压(Vr): 1kV
1+: ¥ 8.48
200+: ¥ 3.38
500+: ¥ 3.27
1000+: ¥ 3.22
反向电流(Ir): 500uA@60V
直流反向耐压(Vr): 60V
二极管配置: 独立式
整流电流: 3A
正向压降(Vf): 700mV@3A
1+: ¥ 0.339
200+: ¥ 0.131189
500+: ¥ 0.126579
1000+: ¥ 0.1243
正向压降(Vf): 1.3V@3A
反向电流(Ir): 5uA@1kV
反向恢复时间(trr): 500ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 3A
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 1kV
1+: ¥ 0.324
200+: ¥ 0.125384
500+: ¥ 0.120978
1000+: ¥ 0.1188
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id): 2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@3A,4.5V
功率(Pd): 225mW
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@250uA
类型: 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds): 330pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs): 6.6nC@10V
工作温度: -55℃~+150℃
1+: ¥ 2.5051
200+: ¥ 0.9996
500+: ¥ 0.9662
1000+: ¥ 0.9497
直流反向耐压(Vr): 600V
正向压降(Vf): 1.7V@1A
反向恢复时间(trr): 35ns
整流电流: 1A
1+: ¥ 3.42
200+: ¥ 1.37
500+: ¥ 1.32
1000+: ¥ 1.3
反向电流(Ir): 300uA@200V
直流反向耐压(Vr): 200V
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 950mV@2A
整流电流: 2A
1+: ¥ 4.47
200+: ¥ 1.79
500+: ¥ 1.73
1000+: ¥ 1.7
反向电流(Ir): 500uA@100V
直流反向耐压(Vr): 100V
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 850mV@2A
整流电流: 2A
1+: ¥ 0.231
200+: ¥ 0.089394
500+: ¥ 0.086253
1000+: ¥ 0.0847
反向电流(Ir): 500uA@60V
直流反向耐压(Vr): 60V
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
正向压降(Vf): 700mV@1A
1+: ¥ 0.147
200+: ¥ 0.056888
500+: ¥ 0.054888
1000+: ¥ 0.0539
反向电流(Ir): 500uA@40V
直流反向耐压(Vr): 40V
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 550mV@1A
整流电流: 1A
1+: ¥ 0.09
200+: ¥ 0.034829
500+: ¥ 0.033605
1000+: ¥ 0.033
反向电流(Ir): 500uA@40V
直流反向耐压(Vr): 40V
二极管配置: 独立式
整流电流: 3A
正向压降(Vf): 550mV@3A
1+: ¥ 0.288
200+: ¥ 0.111453
500+: ¥ 0.107536
1000+: ¥ 0.1056
二极管配置: 独立式
整流电流: 2A
反向电流(Ir): 5uA@1kV
直流反向耐压(Vr): 1kV
正向压降(Vf): 1.1V@2A
1+: ¥ 0.054
200+: ¥ 0.020898
500+: ¥ 0.020163
1000+: ¥ 0.0198
二极管配置: 独立式
整流电流: 2A
反向电流(Ir): 5uA@1kV
直流反向耐压(Vr): 1kV
正向压降(Vf): 1.1V@2A
1+: ¥ 0.063
200+: ¥ 0.024381
500+: ¥ 0.023524
1000+: ¥ 0.0231
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
反向电流(Ir): 5uA@1kV
正向压降(Vf): 1.1V@1A
直流反向耐压(Vr): 1kV
1+: ¥ 0.099
200+: ¥ 0.038312
500+: ¥ 0.036966
1000+: ¥ 0.0363
正向压降(Vf): 1.3V@2A
反向电流(Ir): 5uA@400V
反向恢复时间(trr): 150ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 2A
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 400V
1+: ¥ 0.18
200+: ¥ 0.069658
500+: ¥ 0.06721
1000+: ¥ 0.066
正向压降(Vf): 1.3V@1A
反向电流(Ir): 5uA@200V
反向恢复时间(trr): 150ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 200V
1+: ¥ 0.087
200+: ¥ 0.033668
500+: ¥ 0.032485
1000+: ¥ 0.031899
正向压降(Vf): 1.3V@1A
反向电流(Ir): 5uA@400V
反向恢复时间(trr): 50ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
工作温度: -50℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 400V
1+: ¥ 0.069
200+: ¥ 0.026703
500+: ¥ 0.025764
1000+: ¥ 0.0253
正向压降(Vf): 1.7V@1A
反向电流(Ir): 5uA@600V
反向恢复时间(trr): 35ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 600V
1+: ¥ 0.075
200+: ¥ 0.029024
500+: ¥ 0.028004
1000+: ¥ 0.0275
正向压降(Vf): 1.7V@1A
反向电流(Ir): 5uA@600V
反向恢复时间(trr): 35ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 600V
1+: ¥ 0.078
200+: ¥ 0.030185
500+: ¥ 0.029125
1000+: ¥ 0.0286
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