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MDD(辰达半导体)

深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业. 公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。 公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。 展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
类目:
  • 全部
  • 碳化硅场效应管(MOSFET)
  • 碳化硅二极管
  • 预售晶体管
  • DC-DC电源芯片
  • 触发二极管
  • 电压基准芯片
  • 超势垒整流器(SBR)
  • 线性稳压器(LDO)
  • 稳压二极管
  • 三极管(BJT)
  • 开关二极管
  • 肖特基二极管
  • 快恢复/高效率二极管
  • 场效应管(MOSFET)
  • 整流桥
  • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
  • 通用二极管
封装:
  • 全部
  • TO-247-3L
  • TO-220F
  • TO-220-2
  • TO-247-2
  • KBJ6
  • DFN1006-2(SOD-882)
  • SOT-323-6
  • DO-214AA
  • DFN1006-3
  • DFN0603
  • SOT-143
  • SOT-23-6
  • SOT-89
  • KBPC-6
  • KBJ-4
  • DFN-10(1x2.5)
  • DFN1006
  • GBL
  • MBF(50mil)
  • MBS(50MIL)
  • UMB
  • -
  • UMSB
  • ITO-220AB
  • TO-220
  • DO-214AB
  • TO-252-3
  • TBS
  • ABS
  • LBXS
  • TO-277
  • DO-213AB
  • ITO-220AB-3
  • SMAG
  • TTF
  • DO-214AC
  • SOT-89-3L
  • GBJ6
  • SMA
  • Plugin
  • SMD
  • KBJ
  • TO-252
  • DBS
  • LL-34
  • SMBF
  • SMAF
  • SOD-123
  • SOD-123FL
  • SOD-523
  • SOT-23
  • ABF
  • SMC(DO-214AB)
  • SOD-323
  • DIP-4
  • KBU
  • BR-6
  • KBPC-25
  • BR-8
  • GBU
  • WOM
  • R-1
  • KBL
  • KBP
  • DB
  • MBF
  • MBM
  • MBS
  • DO-15
  • R-6
  • DO-27
  • DO-41
  • SOT-23-3
  • DO-218
  • GBJ
  • SMB(DO-214AA)
  • SMA(DO-214AC)
当前 “MDD(辰达半导体)” 共2,891件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

1N4007G L
类目: 通用二极管
封装: DO-41
描述:
通用二极管 MDD(辰达半导体) DO-41 1A 5uA@1kV 1.1V@1A 1kV
整流电流: 1A
反向电流(Ir): 5uA@1kV
正向压降(Vf): 1.1V@1A
直流反向耐压(Vr): 1kV
0
最小包:10000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.24
200+: ¥ 1.3
500+: ¥ 1.25
1000+: ¥ 1.23
合计总额: ¥ 3.2400
6A10-T/B
类目: 通用二极管
封装: Plugin
描述:
通用二极管 MDD(辰达半导体) Plugin 10uA@1kV 1kV 950mV@6A
反向电流(Ir): 10uA@1kV
直流反向耐压(Vr): 1kV
正向压降(Vf): 950mV@6A
0
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 6.73
200+: ¥ 2.69
500+: ¥ 2.6
1000+: ¥ 2.55
合计总额: ¥ 6.7300
10A10-T/B
类目: 通用二极管
封装: Plugin
描述:
通用二极管 MDD(辰达半导体) Plugin 10uA@1kV 1.1V@10A 1kV
反向电流(Ir): 10uA@1kV
正向压降(Vf): 1.1V@10A
直流反向耐压(Vr): 1kV
0
最小包:1000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 8.48
200+: ¥ 3.38
500+: ¥ 3.27
1000+: ¥ 3.22
合计总额: ¥ 8.4800
SS36-SMB-AJ-T3-ZX
封装: DO-214AA
描述:
肖特基二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AA 500uA@60V 60V 独立式 3A 700mV@3A
反向电流(Ir): 500uA@60V
直流反向耐压(Vr): 60V
二极管配置: 独立式
整流电流: 3A
正向压降(Vf): 700mV@3A
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.339
200+: ¥ 0.131189
500+: ¥ 0.126579
1000+: ¥ 0.1243
合计总额: ¥ 0.3390
RS3M-SMC-T3-ZX
封装: DO-214AB
描述:
快恢复/高效率二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AB 1.3V@3A 5uA@1kV 500ns 独立式 3A -55℃~+150℃@(Tj) 1kV
正向压降(Vf): 1.3V@3A
反向电流(Ir): 5uA@1kV
反向恢复时间(trr): 500ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 3A
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 1kV
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.324
200+: ¥ 0.125384
500+: ¥ 0.120978
1000+: ¥ 0.1188
合计总额: ¥ 0.3240
SI2301S-2.3A
封装: SOT-23
描述:
场效应管(MOSFET) MDD(辰达半导体) SOT-23 20V 2A 90mΩ@3A,4.5V 225mW 1V@250uA 1个P沟道 330pF@10V 6.6nC@10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id): 2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@3A,4.5V
功率(Pd): 225mW
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@250uA
类型: 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds): 330pF@10V
栅极电荷(Qg@Vgs): 6.6nC@10V
工作温度: -55℃~+150℃
0
最小包:6000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 2.5051
200+: ¥ 0.9996
500+: ¥ 0.9662
1000+: ¥ 0.9497
合计总额: ¥ 2.5051
SF18-T/B
类目: 开关二极管
封装: DO-41
描述:
开关二极管 MDD(辰达半导体) DO-41 600V 1.7V@1A 35ns 1A
直流反向耐压(Vr): 600V
正向压降(Vf): 1.7V@1A
反向恢复时间(trr): 35ns
整流电流: 1A
0
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.42
200+: ¥ 1.37
500+: ¥ 1.32
1000+: ¥ 1.3
合计总额: ¥ 3.4200
SS2200A
封装: SMA
描述:
肖特基二极管 MDD(辰达半导体) SMA 300uA@200V 200V 独立式 950mV@2A 2A
反向电流(Ir): 300uA@200V
直流反向耐压(Vr): 200V
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 950mV@2A
整流电流: 2A
0
最小包:6000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.47
200+: ¥ 1.79
500+: ¥ 1.73
1000+: ¥ 1.7
合计总额: ¥ 4.4700
SS210-A1-SMAJ-ZX
封装: DO-214AC
描述:
肖特基二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AC 500uA@100V 100V 独立式 850mV@2A 2A
反向电流(Ir): 500uA@100V
直流反向耐压(Vr): 100V
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 850mV@2A
整流电流: 2A
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.231
200+: ¥ 0.089394
500+: ¥ 0.086253
1000+: ¥ 0.0847
合计总额: ¥ 0.2310
SS16(2K)-ZX
封装: DO-214AC
描述:
肖特基二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AC 500uA@60V 60V 独立式 1A 700mV@1A
反向电流(Ir): 500uA@60V
直流反向耐压(Vr): 60V
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
正向压降(Vf): 700mV@1A
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.147
200+: ¥ 0.056888
500+: ¥ 0.054888
1000+: ¥ 0.0539
合计总额: ¥ 0.1470
SS14(2K)-ZX
封装: DO-214AC
描述:
肖特基二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AC 500uA@40V 40V 独立式 550mV@1A 1A
反向电流(Ir): 500uA@40V
直流反向耐压(Vr): 40V
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 550mV@1A
整流电流: 1A
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.09
200+: ¥ 0.034829
500+: ¥ 0.033605
1000+: ¥ 0.033
合计总额: ¥ 0.0900
SK34-SMA-A2-ZX
封装: DO-214AC
描述:
肖特基二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AC 500uA@40V 40V 独立式 3A 550mV@3A
反向电流(Ir): 500uA@40V
直流反向耐压(Vr): 40V
二极管配置: 独立式
整流电流: 3A
正向压降(Vf): 550mV@3A
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.288
200+: ¥ 0.111453
500+: ¥ 0.107536
1000+: ¥ 0.1056
合计总额: ¥ 0.2880
S2M-SMAJ-ZX
类目: 通用二极管
封装: DO-214AC
描述:
通用二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AC 独立式 2A 5uA@1kV 1kV 1.1V@2A
二极管配置: 独立式
整流电流: 2A
反向电流(Ir): 5uA@1kV
直流反向耐压(Vr): 1kV
正向压降(Vf): 1.1V@2A
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.054
200+: ¥ 0.020898
500+: ¥ 0.020163
1000+: ¥ 0.0198
合计总额: ¥ 0.0540
S2MF-S2M-SMAF-A2-T3-ZX
类目: 通用二极管
封装: SMAF
描述:
通用二极管 MDD(辰达半导体) SMAF 独立式 2A 5uA@1kV 1kV 1.1V@2A
二极管配置: 独立式
整流电流: 2A
反向电流(Ir): 5uA@1kV
直流反向耐压(Vr): 1kV
正向压降(Vf): 1.1V@2A
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.063
200+: ¥ 0.024381
500+: ¥ 0.023524
1000+: ¥ 0.0231
合计总额: ¥ 0.0630
S1M(2K)-ZX
类目: 通用二极管
封装: DO-214AC
描述:
通用二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AC 独立式 1A 5uA@1kV 1.1V@1A 1kV
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
反向电流(Ir): 5uA@1kV
正向压降(Vf): 1.1V@1A
直流反向耐压(Vr): 1kV
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.099
200+: ¥ 0.038312
500+: ¥ 0.036966
1000+: ¥ 0.0363
合计总额: ¥ 0.0990
RS2G-SMBG-T3-ZX
封装: DO-214AA
描述:
快恢复/高效率二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AA 1.3V@2A 5uA@400V 150ns 独立式 2A -55℃~+150℃@(Tj) 400V
正向压降(Vf): 1.3V@2A
反向电流(Ir): 5uA@400V
反向恢复时间(trr): 150ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 2A
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 400V
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.18
200+: ¥ 0.069658
500+: ¥ 0.06721
1000+: ¥ 0.066
合计总额: ¥ 0.1800
RS1D(2K)-ZX
封装: DO-214AC
描述:
快恢复/高效率二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AC 1.3V@1A 5uA@200V 150ns 独立式 1A -55℃~+150℃@(Tj) 200V
正向压降(Vf): 1.3V@1A
反向电流(Ir): 5uA@200V
反向恢复时间(trr): 150ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 200V
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.087
200+: ¥ 0.033668
500+: ¥ 0.032485
1000+: ¥ 0.031899
合计总额: ¥ 0.0870
US1G(2K)-ZX
封装: DO-214AC
描述:
快恢复/高效率二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AC 1.3V@1A 5uA@400V 50ns 独立式 1A -50℃~+150℃@(Tj) 400V
正向压降(Vf): 1.3V@1A
反向电流(Ir): 5uA@400V
反向恢复时间(trr): 50ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
工作温度: -50℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 400V
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.069
200+: ¥ 0.026703
500+: ¥ 0.025764
1000+: ¥ 0.0253
合计总额: ¥ 0.0690
ES1JF-SMAF-46MIL-T3-ZX
封装: SMAF
描述:
快恢复/高效率二极管 MDD(辰达半导体) SMAF 1.7V@1A 5uA@600V 35ns 独立式 1A -55℃~+150℃@(Tj) 600V
正向压降(Vf): 1.7V@1A
反向电流(Ir): 5uA@600V
反向恢复时间(trr): 35ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 600V
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.075
200+: ¥ 0.029024
500+: ¥ 0.028004
1000+: ¥ 0.0275
合计总额: ¥ 0.0750
ES1J(2K)-ZX
封装: DO-214AC
描述:
快恢复/高效率二极管 MDD(辰达半导体) DO-214AC 1.7V@1A 5uA@600V 35ns 独立式 1A -55℃~+150℃@(Tj) 600V
正向压降(Vf): 1.7V@1A
反向电流(Ir): 5uA@600V
反向恢复时间(trr): 35ns
二极管配置: 独立式
整流电流: 1A
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
直流反向耐压(Vr): 600V
0
最小包:2000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 0.078
200+: ¥ 0.030185
500+: ¥ 0.029125
1000+: ¥ 0.0286
合计总额: ¥ 0.0780
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