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首页 品牌列表 minos(迈诺斯)

minos(迈诺斯)

网址：http://www.mns-kx.com
深圳市迈诺斯科技有限公司成立于2010年,总部位于深圳。是一家半导体研发、设计、生产、销售为一体的科技型企业。产品广泛应用于逆变器、UPS、储能、光伏、电池保护板、功放音响、适配器、消费类电子产品领域等等。 迈诺斯科技通过引进国内外最先进的半导体技术,在深圳设有研发中心,设立功率器件测试和应用实验室，主要负责产品的设计验证、可靠性验证、系统分析、失效分析等。 公司采用HV MOSTRENCH MOS,DOUBLE TRENCH MOS 和IGBT工艺技术。为客户提供高性能功率器件产品。我们的功率器件能够满足各种工作条件，包括高电压、高电流、高温度等等，为客户提供高效可靠的解决方案。
类目：
  • 全部
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TTC5200
TTC5200
类目： 三极管(BJT)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-3PL
描述：
三极管(BJT) minos(迈诺斯) TO-3PL 230V 150W 80@1A,5V 15A 30MHz 3V@8A,800mA NPN
集射极击穿电压(Vceo)： 230V
功率(Pd)： 150W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 80@1A,5V
集电极电流(Ic)： 15A
特征频率(fT)： 30MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 3V@8A,800mA
晶体管类型： NPN
工作温度： -
240
最小包：25
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.49
10+： ¥ 3.7
25+： ¥ 3.31
100+： ¥ 2.91
500+： ¥ 2.68
1000+： ¥ 2.56
合计总额： ¥ 4.4900
TTA1943
TTA1943
类目： 三极管(BJT)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-3PL
描述：
三极管(BJT) minos(迈诺斯) TO-3PL 230V 150W 80@1A,5V 15A 30MHz 3V@8A,800mA PNP
集射极击穿电压(Vceo)： 230V
功率(Pd)： 150W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 80@1A,5V
集电极电流(Ic)： 15A
特征频率(fT)： 30MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 3V@8A,800mA
晶体管类型： PNP
工作温度： -
45
最小包：25
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.54
10+： ¥ 3.74
25+： ¥ 3.34
100+： ¥ 2.94
500+： ¥ 2.71
1000+： ¥ 2.58
合计总额： ¥ 4.5400
TDA7377
TDA7377
类目： 音频功率放大器
品牌： minos(迈诺斯)
封装： ZSIP-15
描述：
音频功率放大器 minos(迈诺斯) ZSIP-15
无
500
最小包：25
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 7.9
10+： ¥ 6.7
30+： ¥ 6.04
100+： ¥ 5.29
500+： ¥ 4.96
合计总额： ¥ 7.9000
K3878
K3878
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-3P
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-3P 900V 9A 350W 970mΩ@10V,4.5A 3.95V@250uA 23pF@25V 1个N沟道 2.53nF@25V 60nC@10V
漏源电压(Vdss)： 900V
连续漏极电流(Id)： 9A
功率(Pd)： 350W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 970mΩ@10V,4.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.95V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 23pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.53nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 60nC@10V
210
最小包：30
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.37
10+： ¥ 5.39
30+： ¥ 4.85
90+： ¥ 4.24
510+： ¥ 3.97
990+： ¥ 3.85
合计总额： ¥ 6.3700
IRS2092
IRS2092
类目： 音频功率放大器
品牌： minos(迈诺斯)
封装： SOP-16
描述：
音频功率放大器 minos(迈诺斯) SOP-16 500W D类功放
输出功率： 500W
功放类型： D类功放
247
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 10.95
10+： ¥ 9.44
50+： ¥ 8.5
100+： ¥ 7.53
600+： ¥ 7.1
900+： ¥ 6.91
合计总额： ¥ 10.9500
IRF9540NS
IRF9540NS
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-263 110V 35A 26mΩ@10V,15A 180W 2V@250uA 11pF@25V 1个P沟道 2.315nF@25V 40nC@10V
漏源电压(Vdss)： 110V
连续漏极电流(Id)： 35A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 26mΩ@10V,15A
功率(Pd)： 180W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 11pF@25V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.315nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 40nC@10V
4375
最小包：800
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 2.943
10+： ¥ 2.457
30+： ¥ 2.214
100+： ¥ 1.971
500+： ¥ 1.692
800+： ¥ 1.62
合计总额： ¥ 2.9430
IRF640NS
IRF640NS
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-263
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-263 200V 18A 130mΩ@10V,7.5A 130W 4V@250uA 130pF@25V 1个N沟道 1.32nF@25V 23nC@10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 130mΩ@10V,7.5A
功率(Pd)： 130W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 130pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.32nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 23nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
36
最小包：800
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.1
10+： ¥ 2.56
30+： ¥ 2.29
100+： ¥ 2.03
500+： ¥ 1.96
800+： ¥ 1.87
合计总额： ¥ 3.1000
IRF630N
IRF630N
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-220 200V 9A 260Ω@10V,4A 75W 4V@250uA 8.6pF@25V 1个N沟道 550pF@25V 12nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 260Ω@10V,4A
功率(Pd)： 75W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 8.6pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 550pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 12nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
7465
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.5223
10+： ¥ 1.2283
50+： ¥ 1.0113
100+： ¥ 0.854
500+： ¥ 0.784
1000+： ¥ 0.742
合计总额： ¥ 1.5223
IRF5210
IRF5210
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-220 110V 35A 26mΩ@10V,15A 180W 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 110V
连续漏极电流(Id)： 35A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 26mΩ@10V,15A
功率(Pd)： 180W
类型： 1个P沟道
692
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.47
10+： ¥ 3.68
50+： ¥ 3.28
100+： ¥ 2.89
500+： ¥ 2.66
合计总额： ¥ 4.4700
IRF3205
IRF3205
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-220 55V 110A 7.2mΩ@10V,40A 210W 4V@250uA 211pF@25V 1个N沟道 3.247nF@25V 146nC@10V -55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)： 55V
连续漏极电流(Id)： 110A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7.2mΩ@10V,40A
功率(Pd)： 210W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 211pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 3.247nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 146nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
4
最小包：50
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 2.1246
50+： ¥ 1.6246
150+： ¥ 1.4446
500+： ¥ 1.22
2500+： ¥ 1.12
5000+： ¥ 1.06
合计总额： ¥ 10.6230
IRF1405
IRF1405
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-220 60V 190A 3.2mΩ@10V,50A 210W 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 190A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3.2mΩ@10V,50A
功率(Pd)： 210W
类型： 1个N沟道
908
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 5.11
10+： ¥ 4.21
50+： ¥ 3.76
100+： ¥ 3.31
500+： ¥ 3.04
合计总额： ¥ 5.1100
TDA7388
TDA7388
类目： 音频功率放大器
品牌： minos(迈诺斯)
封装： HZIP-25B
描述：
音频功率放大器 minos(迈诺斯) HZIP-25B 190mA 四声道 18V 25W -20℃~+75℃
静态电流(Iq)： 190mA
扬声器通道数： 四声道
工作电压： 18V
输出功率： 25W
工作温度： -20℃~+75℃
549
最小包：17
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 9.12
10+： ¥ 7.87
34+： ¥ 7.08
102+： ¥ 6.28
493+： ¥ 5.92
1003+： ¥ 5.76
合计总额： ¥ 9.1200
IRLR024NTR
IRLR024NTR
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-252 60V 30A 25mΩ@10V,10A 44W 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 25mΩ@10V,10A
功率(Pd)： 44W
类型： 1个N沟道
1855
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.9671
50+： ¥ 0.7782
150+： ¥ 0.6972
500+： ¥ 0.5963
合计总额： ¥ 4.8355
IRFZ44N
IRFZ44N
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-220
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-220 60V 60A 12mΩ@10V,25A 87W 3V@250uA 30pF@25V 1个N沟道 910pF@25V 31nC@10V -55℃~+175℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 12mΩ@10V,25A
功率(Pd)： 87W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 30pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 910pF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 31nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)
3944
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 1.374195
10+： ¥ 1.124295
50+： ¥ 0.987445
100+： ¥ 0.853825
500+： ¥ 0.794325
1000+： ¥ 0.758625
合计总额： ¥ 1.3742
IRFR1205TR
IRFR1205TR
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-252 60V 30A 25mΩ@10V,10A 44W 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 25mΩ@10V,10A
功率(Pd)： 44W
类型： 1个N沟道
2285
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.6801
50+： ¥ 0.6657
150+： ¥ 0.6561
500+： ¥ 0.6465
合计总额： ¥ 3.4005
IRFP9240
IRFP9240
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-247 200V 11A 340mΩ@10V,6.6A 130W 4V@250uA 81pF@-25V 1个P沟道 1.2nF@-25V 52nC@-10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 340mΩ@10V,6.6A
功率(Pd)： 130W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 81pF@-25V
类型： 1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.2nF@-25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 52nC@-10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
722
最小包：25
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.56
10+： ¥ 5.49
25+： ¥ 4.9
100+： ¥ 4.23
500+： ¥ 3.94
1000+： ¥ 3.8
合计总额： ¥ 6.5600
IRFP450
IRFP450
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-247
无
300
最小包：25
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.65
10+： ¥ 3.86
30+： ¥ 3.46
100+： ¥ 3.07
合计总额： ¥ 4.6500
IRFP4227
IRFP4227
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-247 200V 65A 20mΩ@10V,46A 150W 3.9V@250uA 165pF@25V 1个N沟道 2.2nF@25V 58nC@10V
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 65A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 20mΩ@10V,46A
功率(Pd)： 150W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3.9V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 165pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 2.2nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 58nC@10V
工作温度： -
252
最小包：25
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 9.16
10+： ¥ 7.9
25+： ¥ 6.72
100+： ¥ 5.91
500+： ¥ 5.55
1000+： ¥ 5.39
合计总额： ¥ 9.1600
IRFP250N
IRFP250N
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-247 200V 30A 104W 70mΩ@10V,20A 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 30A
功率(Pd)： 104W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 70mΩ@10V,20A
类型： 1个N沟道
203
最小包：25
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.47
10+： ¥ 3.64
25+： ¥ 3.23
100+： ¥ 2.82
合计总额： ¥ 4.4700
IRFP240
IRFP240
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： minos(迈诺斯)
封装： TO-247
描述：
场效应管(MOSFET) minos(迈诺斯) TO-247 200V 18A 130mΩ@10V,7.5A 130W 4V@250uA 130pF@25V 1个N沟道 1.32nF@25V 23nC@10V -55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 130mΩ@10V,7.5A
功率(Pd)： 130W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 130pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.32nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 23nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
263
最小包：25
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.45
10+： ¥ 5.4
25+： ¥ 4.83
100+： ¥ 4.17
500+： ¥ 3.88
1000+： ¥ 3.75
合计总额： ¥ 6.4500
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