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首页 品牌列表 MOT(仁懋)

MOT(仁懋)

网址：https://www.mot-mos.com
广东仁懋电子有限公司创始于2011年，是国内知名的功率半导体高新技术企业，自主品牌MOT, 并荣获国家级专精特新“小巨人”称号，致力于为全球电子制造企业提供优质半导体元器件产品。仁懋电子拥有两大生产基地：珠三角深圳工厂和长三角江苏盐城工厂，公司员工共500多人，其中研发技术人员100余人。 公司专注于全系列MOSFET、二三极管等半导体芯片和功率器件的研发、设计生产及销售。主营产品：肖特基二极管、三极管、低中高压MOS、快恢复二极管、低压降肖特基、IGBT等，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域。
类目：
  • 全部
  • 稳压二极管
  • 开关二极管
  • 三极管(BJT)
  • 肖特基二极管
  • 场效应管(MOSFET)
封装：
  • 全部
  • SOD-123
  • TO-3PN
  • SOD-323
  • SOT-23(TO-236)
  • TO-251
  • TO-247
  • TO-247S
  • TO-263
  • TO-252-2
  • TO-3PB
  • PDFN-8L(3x3)
  • PDFN-8L(5x6)
  • TO-252
  • TO-220
  • TO-220F
  • PDFN3x3
  • PDFN5x6
  • TOLL-8
  • TOLL-8L
当前 “MOT(仁懋)” 共279件相关型号
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  • 价格
  • 库存
  • 销量

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价格梯度（含税价格）

数量

操作

MOT9166T
MOT9166T
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TOLL-8L
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TOLL-8L 200V 114A 6mΩ@10V,50A 300W 4V@250uA 60pF@Vds=100V 1个N沟道 11.636nF@Vds=100V 186nC@Vgs=10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 200V
连续漏极电流(Id)： 114A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 6mΩ@10V,50A
功率(Pd)： 300W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 60pF@Vds=100V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 11.636nF@Vds=100V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 186nC@Vgs=10V
工作温度： -55℃~+150℃
406
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 14.78
10+： ¥ 12.74
30+： ¥ 11.47
100+： ¥ 10.17
合计总额： ¥ 14.7800
MOT6929G
MOT6929G
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： PDFN5x6
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) PDFN5x6 60V 20A 28W 22.5mΩ@10V,5A 2.5V@250uA 22pF@30V 1个N沟道 288pF@30V 50nC@10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 20A
功率(Pd)： 28W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 22.5mΩ@10V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 22pF@30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 288pF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 50nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
435
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.56962
50+： ¥ 0.55594
150+： ¥ 0.54682
500+： ¥ 0.5377
合计总额： ¥ 2.8481
MOT6929J
MOT6929J
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： PDFN3x3
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) PDFN3x3 60V 20A 28W 22.5mΩ@10V,5A 2.5V@250uA 22pF@30V 1个N沟道 288pF@30V 50nC@10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 20A
功率(Pd)： 28W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 22.5mΩ@10V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 22pF@30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 288pF@30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 50nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
985
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.420259
50+： ¥ 0.409862
150+： ¥ 0.402931
500+： ¥ 0.396
合计总额： ¥ 2.1013
MOT70R280D
MOT70R280D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TO-252-2
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TO-252-2
无
500
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.69
10+： ¥ 3.85
30+： ¥ 3.43
100+： ¥ 3.02
500+： ¥ 2.77
合计总额： ¥ 4.6900
MOT70R280HF
MOT70R280HF
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TO-220F
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TO-220F
无
200
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.89
10+： ¥ 4.019999
30+： ¥ 3.58
100+： ¥ 3.14
合计总额： ¥ 4.8900
MOT70R380D
MOT70R380D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TO-252-2
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TO-252-2
无
500
最小包：2500
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 3.78
10+： ¥ 3.11
30+： ¥ 2.77
100+： ¥ 2.43
500+： ¥ 2.23
合计总额： ¥ 3.7800
MOT70R380F
MOT70R380F
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TO-220F
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TO-220F
无
200
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.03
10+： ¥ 3.31
30+： ¥ 2.95
100+： ¥ 2.59
合计总额： ¥ 4.0300
MOT7136T
MOT7136T
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TOLL-8L
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TOLL-8L 150V 300A 375W 3mΩ@10V,50A 4V@250uA 80pF@Vds=75V 1个N沟道 11.32nF@Vds=75V 158nC@Vgs=10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 150V
连续漏极电流(Id)： 300A
功率(Pd)： 375W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 80pF@Vds=75V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 11.32nF@Vds=75V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 158nC@Vgs=10V
工作温度： -55℃~+150℃
1908
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 16.8
10+： ¥ 14.57
30+： ¥ 13.17
100+： ¥ 11.74
500+： ¥ 11.09
1000+： ¥ 10.81
合计总额： ¥ 16.8000
MOT7N50SD
MOT7N50SD
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TO-252-2
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TO-252-2
无
2500
最小包：2500
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.5881
50+： ¥ 1.2727
150+： ¥ 1.1375
500+： ¥ 0.9688
2500+： ¥ 0.8937
合计总额： ¥ 7.9405
MOT8113T
MOT8113T
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TOLL-8L
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TOLL-8L 85V 300A 500W 1.1mΩ@10V,50A 4V@250uA 472pF@50V 1个N沟道 14.49nF@50V 240nC@10V -55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 300A
功率(Pd)： 500W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.1mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 472pF@50V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 14.49nF@50V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 240nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
114
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 11.267
10+： ¥ 9.7185
30+： ¥ 8.7495
100+： ¥ 7.752
500+： ¥ 7.3055
1000+： ¥ 7.106
合计总额： ¥ 11.2670
MOT8120T
MOT8120T
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TOLL-8
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TOLL-8 80V 280A 1.5mΩ@10V,30A 208W 4V@250uA 152pF@40V 1个N沟道 8.237nF@40V 138nC@10V -55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)： 80V
连续漏极电流(Id)： 280A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.5mΩ@10V,30A
功率(Pd)： 208W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 152pF@40V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 8.237nF@40V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 138nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
250
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 6.5455
10+： ¥ 5.548
30+： ¥ 4.997
100+： ¥ 4.3795
500+： ¥ 4.104
1000+： ¥ 3.9805
合计总额： ¥ 6.5455
MOT8121T
MOT8121T
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TOLL-8L
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TOLL-8L 85V 280A 1.8mΩ@10V,30A 500W 4V@250uA 152pF@Vds=40V 1个N沟道 8.237nF@Vds=40V 138nC@Vgs=10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 85V
连续漏极电流(Id)： 280A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.8mΩ@10V,30A
功率(Pd)： 500W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 152pF@Vds=40V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 8.237nF@Vds=40V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 138nC@Vgs=10V
工作温度： -55℃~+150℃
177
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 4.28
10+： ¥ 4.179999
30+： ¥ 4.11
100+： ¥ 4.05
合计总额： ¥ 4.2800
MOT8576T
MOT8576T
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TOLL-8L
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TOLL-8L 80V 500A 0.7mΩ@10V,50A 450W 4V@250uA 152pF@Vds=40V 1个N沟道 8.237nF@Vds=40V 138nC@Vgs=10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 80V
连续漏极电流(Id)： 500A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 0.7mΩ@10V,50A
功率(Pd)： 450W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 152pF@Vds=40V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 8.237nF@Vds=40V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 138nC@Vgs=10V
工作温度： -55℃~+150℃
0
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 8.78
10+： ¥ 8.58
30+： ¥ 8.44
100+： ¥ 7.95
合计总额： ¥ 8.7800
MOT7146T
MOT7146T
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TOLL-8L
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TOLL-8L 150V 220A 4.5mΩ@10V,50A 375W 4V@250uA 60pF@75V 1个N沟道 9.32nF@75V 158nC@10V -55℃~+175℃
漏源电压(Vdss)： 150V
连续漏极电流(Id)： 220A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.5mΩ@10V,50A
功率(Pd)： 375W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 60pF@75V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 9.32nF@75V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 158nC@10V
工作温度： -55℃~+175℃
1892
最小包：2000
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 14.12
10+： ¥ 12.23
30+： ¥ 11.06
100+： ¥ 9.49
500+： ¥ 8.94
1000+： ¥ 8.71
合计总额： ¥ 14.1200
MOT6522J
MOT6522J
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： PDFN-8L(3x3)
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) PDFN-8L(3x3)
无
200
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.51097
50+： ¥ 0.499739
150+： ¥ 0.492251
合计总额： ¥ 2.5549
MOT6522G
MOT6522G
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： PDFN-8L(5x6)
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) PDFN-8L(5x6)
无
200
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.6027
50+： ¥ 0.5895
150+： ¥ 0.5807
合计总额： ¥ 3.0135
MOT6522D
MOT6522D
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TO-252
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TO-252
无
200
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.5634
50+： ¥ 0.551
150+： ¥ 0.5428
合计总额： ¥ 2.8170
MOT6515J
MOT6515J
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： PDFN3x3
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) PDFN3x3 60V 50A 28W 15mΩ@10V,25A 3V@250uA 180pF@25V 1个N沟道 1.82nF@25V 62nC@10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 50A
功率(Pd)： 28W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 15mΩ@10V,25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 180pF@25V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.82nF@25V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 62nC@10V
工作温度： -55℃~+150℃
862
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 0.518795
50+： ¥ 0.506349
150+： ¥ 0.498085
500+： ¥ 0.489725
合计总额： ¥ 2.5940
MOT6511J
MOT6511J
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： PDFN3x3
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) PDFN3x3 60V 35A 9mΩ@10V,20A 41W 3V@250uA 9.9pF@Vds=30V 1个N沟道 1.01nF@Vds=30V 22.6nC@Vgs=10V -55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)： 60V
连续漏极电流(Id)： 35A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 9mΩ@10V,20A
功率(Pd)： 41W
阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA
反向传输电容(Crss@Vds)： 9.9pF@Vds=30V
类型： 1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)： 1.01nF@Vds=30V
栅极电荷(Qg@Vgs)： 22.6nC@Vgs=10V
工作温度： -55℃~+150℃
910
最小包：5000
起订量：5
增量：5
5+： ¥ 1.165175
50+： ¥ 0.933755
150+： ¥ 0.834575
500+： ¥ 0.71079
2500+： ¥ 0.65569
5000+： ¥ 0.62263
合计总额： ¥ 5.8259
MOT65R099HF
MOT65R099HF
类目： 场效应管(MOSFET)
品牌： MOT(仁懋)
封装： TO-220F
描述：
场效应管(MOSFET) MOT(仁懋) TO-220F
无
200
最小包：50
起订量：1
增量：1
1+： ¥ 11.63
10+： ¥ 10.02
30+： ¥ 9
100+： ¥ 7.96
合计总额： ¥ 11.6300
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