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NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
类目:
  • 全部
  • 栅极驱动芯片
  • 预售新品
  • IGBT管/模块
  • 场效应管(MOSFET)
封装:
  • 全部
  • SOT-89
  • TO-247P
  • SOP-8-4.0mm
  • TO-263-6L
  • DFN-8(5.8x4.9)
  • PDFN-8(5x5.8)
  • TO-247-3L
  • TO-251S
  • SOT-23-3
  • TOLL
  • TO-251(IPAK)
  • PDFN-8(5.8x4.9)
  • DFN5x6Clip
  • DFN-8(5x5.7)
  • DFN-8(5.1x6)
  • PDFN-8(5.2x6.2)
  • DFN-8(3x3)
  • TO-263-3
  • TO-3P
  • PDFN-8(5.1x5.8)
  • SOT-223-3L
  • TO-252-4L
  • DFN-6(2x2)
  • TO-220-3L
  • TSSOP-8
  • DFN-8(5.1x5.8)
  • DFN-8(5.7x5.1)
  • TO-220F
  • PDFN-8(3.1x3.2)
  • PDFN-8(5x5)
  • TO-220-3
  • SOT-23-6
  • SO-8
  • TO-252-3
  • TO-92-3
  • PDFN-8(4.9x5.8)
  • TO-263-7L
  • DFN-8(3.3x3.3)
  • SOT-223
  • TO-252-4
  • TO-251
  • SOT-89-3
  • SOT-23(TO-236)
  • SOP-89
  • DFN(3x3)
  • DFN5x6Clip-GC
  • DFN5x6Clip-G
  • DFN(5x6)
  • SOP-8
  • DFN-8L(5x6)
  • TO-263-2L
  • SOT-23-3L
  • SOT-23-6L
  • DFN-8(5x6)
  • TO-247
  • FDFN-8L(5x6)
  • DFN-8L(3x3)
  • SOT-23
  • DFN2x2-6L
  • DFN2x3-6L
  • TO-252-2
  • TO-252-2L
  • TO-252
  • TO-220
  • TO-263
当前 “NCE(无锡新洁能)” 共857件相关型号
  • 综合
  • 价格
  • 库存
  • 销量

型号/类目/品牌/封装/描述

参数

库存

价格梯度(含税价格)

数量

操作

NCEP6055AGU
封装: DFN-8L(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) DFN-8L(5x6)
0
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 3.28
10+: ¥ 2.66
30+: ¥ 2.4
100+: ¥ 2.07
500+: ¥ 1.92
1000+: ¥ 1.83
合计总额: ¥ 3.2800
NCEP40T20A
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) TO-220
20
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 4.72
10+: ¥ 3.91
50+: ¥ 3.51
合计总额: ¥ 4.7200
NCEP025N60G
封装: DFN-8L(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) DFN-8L(5x6)
1975
最小包:5000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.02
10+: ¥ 4.099999
30+: ¥ 3.64
100+: ¥ 3.19
500+: ¥ 2.92
1000+: ¥ 2.78
合计总额: ¥ 5.0200
NCE85H21C
封装: TO-220
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) TO-220 85V 210A 300W 4.95mΩ@10V,40A 4V@250uA 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 85V
连续漏极电流(Id): 210A
功率(Pd): 300W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.95mΩ@10V,40A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA
类型: 1个N沟道
0
最小包:50
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.79
10+: ¥ 4.89
30+: ¥ 4.4
100+: ¥ 3.84
500+: ¥ 3.59
1000+: ¥ 3.47
合计总额: ¥ 5.7900
NCE65TF078T
封装: TO-247
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) TO-247
0
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 18.8
10+: ¥ 16.45
30+: ¥ 14.98
90+: ¥ 13.48
510+: ¥ 12.8
990+: ¥ 12.5
合计总额: ¥ 18.8000
NCE65NF036T
封装: TO-247
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) TO-247
241
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 23.5
10+: ¥ 20.71
30+: ¥ 19.05
90+: ¥ 17.37
合计总额: ¥ 23.5000
NCE60TD65BT
类目: IGBT管/模块
封装: TO-247
描述:
IGBT管/模块 NCE(无锡新洁能) TO-247
154
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 12.84
10+: ¥ 11.11
30+: ¥ 10.03
90+: ¥ 8.92
合计总额: ¥ 12.8400
NCE60P82AD
封装: TO-263-2L
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) TO-263-2L
0
最小包:800
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 5.7
200+: ¥ 2.28
500+: ¥ 2.2
800+: ¥ 2.16
合计总额: ¥ 5.7000
NCE60P05N
封装: SOT-23-6L
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) SOT-23-6L
0
最小包:3000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.514901
50+: ¥ 0.503583
150+: ¥ 0.496038
500+: ¥ 0.488492
合计总额: ¥ 2.5745
NCE60P05BY
封装: SOT-23-3L
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) SOT-23-3L
50
最小包:3000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 1.1138
50+: ¥ 0.9038
150+: ¥ 0.8138
合计总额: ¥ 5.5690
NCE60P04SN
封装: SOT-23-6L
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) SOT-23-6L
5
最小包:3000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.5545
50+: ¥ 0.5416
150+: ¥ 0.5329
合计总额: ¥ 2.7725
NCE60NF031T
封装: TO-247
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) TO-247
0
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 23.46
10+: ¥ 20.67
30+: ¥ 19.01
90+: ¥ 17.33
510+: ¥ 16.55
1200+: ¥ 16.21
合计总额: ¥ 23.4600
NCE6045XG
封装: DFN-8(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) DFN-8(5x6)
4695
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 2.295
1000+: ¥ 0.9158
2500+: ¥ 0.8852
合计总额: ¥ 11.4750
NCE50TD120VT
类目: IGBT管/模块
封装: TO-247
描述:
IGBT管/模块 NCE(无锡新洁能) TO-247
670
最小包:30
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 23.46
10+: ¥ 20.36
30+: ¥ 18.52
90+: ¥ 16.649999
510+: ¥ 15.79
合计总额: ¥ 23.4600
NCE30H11BG
封装: FDFN-8L(5x6)
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) FDFN-8L(5x6)
0
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.9735
50+: ¥ 0.9521
150+: ¥ 0.9379
500+: ¥ 0.9236
合计总额: ¥ 4.8675
NCE3065Q
封装: DFN-8L(3x3)
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) DFN-8L(3x3)
67
最小包:2500
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.6251
50+: ¥ 0.6107
150+: ¥ 0.6011
合计总额: ¥ 3.1255
NCE3008Y
封装: SOT-23
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) SOT-23
2920
最小包:3000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.7157
50+: ¥ 0.5797
150+: ¥ 0.5117
500+: ¥ 0.4607
合计总额: ¥ 3.5785
NCE20ND07U
封装: DFN2x3-6L
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) DFN2x3-6L
200
最小包:3000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.6802
50+: ¥ 0.6643
150+: ¥ 0.6537
合计总额: ¥ 3.4010
NCE20P10J
封装: DFN2x2-6L
描述:
场效应管(MOSFET) NCE(无锡新洁能) DFN2x2-6L
0
最小包:5000
起订量:5
增量:5
5+: ¥ 0.488185
50+: ¥ 0.476867
150+: ¥ 0.469321
500+: ¥ 0.461775
合计总额: ¥ 2.4409
NCE15TD120BD
类目: IGBT管/模块
封装: TO-263
描述:
IGBT管/模块 NCE(无锡新洁能) TO-263
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
1+: ¥ 15.3
200+: ¥ 6.11
500+: ¥ 5.91
1000+: ¥ 5.8
合计总额: ¥ 15.3000
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