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PN SILICON(智晶)

上海智晶半导体科技有限公司成立于2014年6月,位于上海张江高科技园区,在深圳,常州,美国加州设有办事处,是专业的半导体功率器件及ESD与EOS解决方案提供商。公司倡导“专业、务实、开放、创新”的企业精神,具有良好的内部机制,拥有资深的行业背景和雄厚的研发实力,独立的研发团队,完善的供应链体系,成熟的运营团队。目前有员工20余人,其中50%以上为产品研发与品质管理人员。 公司主要产品:ESD保护器,浪涌TVS,大功率TVS,MOSFET,半导体放电管,气体放电管,肖特基二极管,SiC肖特基,稳压二极管。 公司的产品和服务主要面向手机,消费类电子,安防,网通,汽车电子市场。并与众多渠道商伙伴们共同致力于打造良好的市场服务体系。
类目:
  • 全部
  • 稳压二极管
  • 肖特基二极管
  • 场效应管(MOSFET)
  • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
封装:
  • 全部
  • SOD-523
  • DFN1006-2L
  • SOT-23-3
  • SOT-23
  • DFN2020-3(2x2)
  • X3-DFN0603
  • SOD-323
  • UDFN1006-2
  • SOD-123FL
  • DFN1610-2
  • DFN0603-2
  • X1-DFN1006-2
  • DFN1006-2
  • DFN0603-2L
当前 “PN SILICON(智晶)” 共30件相关型号
  • 综合
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操作

SS14D1F
封装: SOD-123FL
描述:
肖特基二极管 PN SILICON(智晶) SOD-123FL 独立式 550mV@1A 40V 1A 500uA@40V
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 550mV@1A
直流反向耐压(Vr): 40V
整流电流: 1A
反向电流(Ir): 500uA@40V
0
最小包:5000
起订量:1
增量:1
20+: ¥ 0.076564
200+: ¥ 0.074951
600+: ¥ 0.073876
2000+: ¥ 0.0728
合计总额: ¥ 0.0766
PZL4746
类目: 稳压二极管
封装: SOD-123FL
描述:
稳压二极管 PN SILICON(智晶) SOD-123FL 独立式 18V 5uA@13.7V 17.1V~18.9V 1W 20Ω
二极管配置: 独立式
稳压值(标称值): 18V
反向电流(Ir): 5uA@13.7V
稳压值(范围): 17.1V~18.9V
功率(Pd): 1W
阻抗(Zzt): 20Ω
50
最小包:3000
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.368343
100+: ¥ 0.300539
300+: ¥ 0.266637
合计总额: ¥ 0.3683
PSB521S-30
封装: SOD-523
描述:
肖特基二极管 PN SILICON(智晶) SOD-523 独立式 500mV@200mA 30V 200mA 30uA@10V
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 500mV@200mA
直流反向耐压(Vr): 30V
整流电流: 200mA
反向电流(Ir): 30uA@10V
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
50+: ¥ 0.116035
500+: ¥ 0.093832
3000+: ¥ 0.076872
6000+: ¥ 0.069471
24000+: ¥ 0.063057
51000+: ¥ 0.059603
合计总额: ¥ 0.1160
PSB521BS-40
封装: DFN1006-2L
描述:
肖特基二极管 PN SILICON(智晶) DFN1006-2L
60
最小包:10000
起订量:1
增量:1
20+: ¥ 0.119968
200+: ¥ 0.09606
600+: ¥ 0.082777
合计总额: ¥ 0.1200
PSB40V1D3
封装: SOD-323
描述:
肖特基二极管 PN SILICON(智晶) SOD-323 独立式 550mV@1A 40V 1A 100uA@40V
二极管配置: 独立式
正向压降(Vf): 550mV@1A
直流反向耐压(Vr): 40V
整流电流: 1A
反向电流(Ir): 100uA@40V
0
最小包:3000
起订量:1
增量:1
20+: ¥ 0.191352
200+: ¥ 0.155705
600+: ¥ 0.135902
3000+: ¥ 0.111535
9000+: ¥ 0.101237
21000+: ¥ 0.095692
合计总额: ¥ 0.1914
PM3400
封装: SOT-23-3
描述:
场效应管(MOSFET) PN SILICON(智晶) SOT-23-3
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
260
最小包:3000
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.23759
100+: ¥ 0.19559
300+: ¥ 0.17459
合计总额: ¥ 0.2376
PM2302
封装: SOT-23-3
描述:
场效应管(MOSFET) PN SILICON(智晶) SOT-23-3
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
900
最小包:3000
起订量:1
增量:1
20+: ¥ 0.183439
200+: ¥ 0.147439
600+: ¥ 0.127439
合计总额: ¥ 0.1834
PM2301
封装: SOT-23
描述:
场效应管(MOSFET) PN SILICON(智晶) SOT-23
类型: -
漏源电压(Vdss): -
连续漏极电流(Id): -
功率(Pd): -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): -
阈值电压(Vgs(th)@Id): -
栅极电荷(Qg@Vgs): -
输入电容(Ciss@Vds): -
反向传输电容(Crss@Vds): -
280
最小包:3000
起订量:1
增量:1
20+: ¥ 0.178853
200+: ¥ 0.143753
600+: ¥ 0.124253
合计总额: ¥ 0.1789
PESDU721P1
封装: X1-DFN1006-2
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) X1-DFN1006-2 ESD
类型: ESD
0
最小包:10000
起订量:1
增量:1
50+: ¥ 0.098541
500+: ¥ 0.078291
1500+: ¥ 0.067041
10000+: ¥ 0.056286
20000+: ¥ 0.050436
50000+: ¥ 0.047286
合计总额: ¥ 0.0985
PESDU4831P4-3
封装: DFN2020-3(2x2)
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) DFN2020-3(2x2)
2995
最小包:3000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.604967
50+: ¥ 0.534127
150+: ¥ 0.498707
500+: ¥ 0.472142
合计总额: ¥ 0.6050
PESDU4831D1FT
封装: SOD-123FL
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) SOD-123FL ESD
类型: ESD
690
最小包:3000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.822239
50+: ¥ 0.688147
150+: ¥ 0.621101
500+: ¥ 0.570816
合计总额: ¥ 0.8222
PESDU4581P6
封装: DFN1610-2
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) DFN1610-2
2580
最小包:3000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.522275
50+: ¥ 0.426136
150+: ¥ 0.378066
500+: ¥ 0.329293
合计总额: ¥ 0.5223
PESDU4581P1H
封装: X1-DFN1006-2
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) X1-DFN1006-2
0
最小包:10000
起订量:1
增量:1
20+: ¥ 0.174823
200+: ¥ 0.141807
600+: ¥ 0.123464
2000+: ¥ 0.112459
合计总额: ¥ 0.1748
PESDU4501P4-3
封装: DFN2020-3(2x2)
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) DFN2020-3(2x2) ESD
类型: ESD
2565
最小包:3000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.632229
50+: ¥ 0.515849
150+: ¥ 0.457659
500+: ¥ 0.368165
合计总额: ¥ 0.6322
PESDU3361P1
封装: X1-DFN1006-2
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) X1-DFN1006-2 ESD
类型: ESD
9100
最小包:10000
起订量:1
增量:1
20+: ¥ 0.153745
200+: ¥ 0.123572
600+: ¥ 0.10681
2000+: ¥ 0.086186
合计总额: ¥ 0.1537
PESDU3321P0
封装: X3-DFN0603
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) X3-DFN0603 ESD
类型: ESD
9400
最小包:10000
起订量:1
增量:1
20+: ¥ 0.182751
200+: ¥ 0.146886
600+: ¥ 0.126961
2000+: ¥ 0.112869
合计总额: ¥ 0.1828
PESDU2881D3
封装: SOD-323
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) SOD-323 ESD
类型: ESD
2740
最小包:3000
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.372732
100+: ¥ 0.30412
300+: ¥ 0.269814
合计总额: ¥ 0.3727
PESDU2481D1F
封装: SOD-123FL
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) SOD-123FL
2345
最小包:3000
起订量:1
增量:1
5+: ¥ 0.458499
50+: ¥ 0.374099
150+: ¥ 0.331899
500+: ¥ 0.300249
合计总额: ¥ 0.4585
PESDU2471D1FT
封装: SOD-123FL
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) SOD-123FL
290
最小包:3000
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.403564
100+: ¥ 0.337784
300+: ¥ 0.304894
合计总额: ¥ 0.4036
PESDU2401P1
封装: DFN1006-2
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) PN SILICON(智晶) DFN1006-2 ESD
类型: ESD
9510
最小包:10000
起订量:1
增量:1
10+: ¥ 0.205266
100+: ¥ 0.18123
300+: ¥ 0.169212
1000+: ¥ 0.160198
5000+: ¥ 0.141258
合计总额: ¥ 0.2053
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